【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するＦＥＴセルと、分配回路とＦＥＴセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、ＦＥＴセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をＦＥＴセルごとに配置する。 （もっと読む）

【課題】バイアス電流の制御電圧の設定範囲を拡大させつつ、バイアス回路の構成の自由度を向上させ、簡単かつ小規模な構成で複数の通信方式への対応を実現する高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路３２を、入力されるベース電流に応じたバイアス電流を増幅器１１に供給するトランジスタＱ５、基準電圧Ｖｒｅｆに応じた電流を流すトランジスタＱ３、トランジスタＱ３に流れる電流に応じてトランジスタＱ５のベース電流を補正することによりトランジスタＱ５の温度特性を補償するトランジスタＱ２、及びトランジスタＱ５のベースに接続され制御電圧Ｖｃｃの切り替えに応じてトランジスタＱ５のベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部（トランジスタＱ４、Ｑ６、及び抵抗Ｒ５〜Ｒ７、Ｒ９、Ｒ１０）で構成する。増幅器１１は、バイアス回路３２から供給されるバイアス電流を用いて、入力される高周波信号を増幅する。 （もっと読む）

【課題】 入力された信号の位相差が大きいときの出力電力の低下を抑制した信号変換回路を提供する。
【解決手段】 第１信号Ｓ１，第２信号Ｓ２，第１信号Ｓ１をφ１だけ遅延させた第３信号Ｓ３，第２信号Ｓ２をφ２（φ２＝φ１＋φ３）だけ遅延させた第４信号Ｓ４を出力する第１回路４と、第１信号Ｓ１，第２信号Ｓ２がソース端子，ゲート端子に入力されて第５信号Ｓ５を出力するトランジスタ７と、第３信号Ｓ３，第４信号Ｓ４がソース端子，ゲート端子に入力されて第６信号Ｓ６を出力するトランジスタ８と、第６信号Ｓ６をφ４（φ４≧０）だけ遅延させた第７信号Ｓ７をスイッチ回路５７を介して出力し、第５信号Ｓ５をφ５（φ５＝１８０°＋φ１＋φ４）だけ遅延させた第８信号Ｓ８を出力する第２回路５と、スイッチ回路５７を制御する第３回路６と、第７信号Ｓ７，第８信号Ｓ８を加算する第４回路９とを有する信号変換回路とする。 （もっと読む）

【課題】安定動作させながら、ＲＦパルス信号の波形を高速に立ち下げることができるＲＦパルス信号生成用スイッチング回路を提供することにある。
【解決手段】ドレインスイッチング回路２１は、ｎ型からなる第１、第２、第３のＦＥＴ２１１，２１２，２１３を備える。第１、第３のＦＥＴ２１１，２１３のゲートには、制御パルスが印加され、ソースは接地されている。第１のＦＥＴ２１１のドレインは、第２のＦＥＴ２１２のゲートに接続し、第２のＦＥＴ２１２のドレインには、駆動電圧Ｖｄｓが印加される。第２のＦＥＴ２１２のソースと第３のＦＥＴ２１３のドレインは接続され、接続点がパワーＦＥＴ３１のドレインに接続されている。第２のＦＥＴ２１２のゲートソース間には、第２のＦＥＴ２１２がオフ状態からオン状態へ遷移する際のゲート電圧を補償するための電荷を供給するコンデンサ２１５が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置され、ガン発振である高周波負性抵抗発振の発振周波数において負性抵抗を生ずる能動素子１４０と、基板上に配置され、能動素子のドレイン端子電極と出力端子との間に接続され、負性抵抗の絶対値に等しい抵抗値を有する抵抗Ｒと、抵抗Ｒに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスＬとキャパシタンスＣからなるタンク回路とからなる安定化回路１２０とを備え、安定化回路１２０は、発振周波数に、インダクタンスＬとキャパシタンスＣからなる共振周波数を同調することによって、発振周波数において、抵抗Ｒによって負性抵抗をキャンセルする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】多段増幅段を含むＲＦ電力増幅回路の低パワーおよび中間パワー時における電力付加効率(ＰＡＥ)の低下を軽減する。
【解決手段】ＲＦ電力増幅回路313は、前段増幅器310、後段増幅器311、制御部312を具備する。前段増幅器310はＲＦ送信入力信号Ｐinに応答して、前段増幅器310の出力の増幅信号に後段増幅器311が応答する。制御部312は、出力電力制御電圧Ｖapcに応答して、前段増幅器310と前記後段増幅器311のアイドリング電流を制御して前段増幅器310と前記後段増幅器311の利得を制御する。出力電力制御電圧Ｖapcに応答して、前段増幅器310のアイドリング電流と利得とは第１の連続関数2ndAmpに従って連続的に変化して、後段増幅器311のアイドリング電流と利得とは第２の連続関数3rdAmpに従って連続的に変化する。第２の連続関数3rdAmpは、第１の連続関数2ndAmpよりも１次以上高次の関数である。 （もっと読む）

【課題】主信号の変調帯域と相互変調積の周波数範囲外となる周波数では高インピーダンスでスプリアス低減効果のある電力増幅装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、入力信号を第１信号及び第２信号を含む伝送信号に電力増幅するＦＥＴ１０３と、ＦＥＴ１０３から出力される伝送信号のインダクタ成分を低減する第１のデカップリング素子１０４と、ＦＥＴ１０３に対し駆動電力を供給する電源回路２００と、電源回路２００に対しＦＥＴの出力端子１０６から出力されるＲＦ成分をカットする第２のデカップリング素子３００と、第１のデカップリング素子１０４と第２のデカップリング素子３００との間に接続され、第１信号の変調帯域とＦＥＴの出力信号における相互変調積の周波数領域では所定の第１インピーダンスで、第１信号の変調帯域と相互変調積の周波数領域外では第２インピーダンスを有するフィルタ４００とを備える。 （もっと読む）

【課題】ランプアップまたはランプダウンにおいてスイッチングスペクトラムの劣化を軽減すること。
【解決手段】初段と最終段のバイアス回路８１、８３が、初段と最終段の増幅回路４１、４３のアイドリング電流を決定する。電力検出回路５、６は、最終段出力信号Ｐｏｕｔの信号レベルに応答する電力検出信号Ｖ_ＤＥＴを生成する。誤差増幅器７に検出信号Ｖ_ＤＥＴと目標電力信号Ｖ_ＲＡＭＰが供給され、電力制御電圧Ｖ_ＡＰＣが制御信号増強回路９の入力に供給され、出力から増強制御信号Ｖ_ＥＮを生成する。制御信号増強回路９は、所定の非線型の入出力特性を有する。増強制御信号Ｖ_ＥＮが初段と最終段のバイアス回路８１、８３とに供給され、初段と最終段の増幅回路４１、４３のアイドリング電流は増強制御信号Ｖ_ＥＮによって制御され、ＲＦ電力増幅器の制御利得の低下が補償される。 （もっと読む）

【課題】ベクトル結合電力増幅のための方法およびシステムが、本明細書で開示される。
【解決手段】一実施形態では、複数の信号は個別に増幅され、次いで加算されて、所望の時変複素包絡線信号が形成される。１つまたは複数のこれらの信号の位相および／または周波数特性は、所望の時変複素包絡線信号の所望の位相、周波数、および／または振幅特性を提供するように制御される。別の実施形態では、時変複素包絡線信号は、複数の定包絡線成分信号に分解される。これらの成分信号は等しくあるいはほぼ等しく増幅され、次いで加算されて、元の時変包絡線信号の増幅されたバージョンが構成される。実施形態はまた、周波数アップコンバージョンをも行う。 （もっと読む）

【課題】基本波周波数の異なる複数の入力信号が入力する場合でも、各基本周波数に応じた高周波処理が行えるようにする。
【解決手段】 基本角周波数の異なる複数の信号をＦ級増幅し、該基本角周波数の信号成分及び、その高調波の信号成分を含んだ信号を出力するＦ級増幅器と、Ｆ級増幅器の後段に設けられて、当該Ｆ級増幅器に寄生する寄生回路のインピーダンスを取り込んで回路設定されることにより、信号の直流成分及び偶数次高調波の信号成分に対しては短絡状態とし、奇数次高調波の信号成分に対しては開放状態となる高調波処理部と、高調波処理部の後段に設けられて、高調波の信号成分に対しては短絡状態にする短絡部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の寄生容量が大きい場合にも零電圧スイッチングを実現する増幅回路を備える電源装置、非接触送電装置、車両、および非接触電力伝送システムを提供する。
【解決手段】電源装置２０は、チョークコイル２１０と、スイッチング素子２２０と、共振回路２５０と、補償回路２６０とを含む。スイッチング素子２２０の寄生容量２７０は、Ｅ級零電圧スイッチングを実現するための所定の容量よりも大きい。補償回路２６０は、スイッチング素子２２０に並列に接続される。補償回路２６０は、直列接続されたコイル２６２およびキャパシタ２６４を含み、誘導性インピーダンスを有する。 （もっと読む）

【課題】クラスＥのＨＰＡが広い帯域幅にわたって同時に高いＰＡＥ及び電力を維持することを可能にする。
【解決手段】スイッチングモード電力増幅器の出力に結合されたシャント誘導素子と、前記増幅器の前記出力に結合されている直列の誘導素子と、前記直列の誘導素子に結合されている直列の容量素子とを含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】入力バイアス電圧の調整の時間的効率を大幅に向上することができる電力増幅装置および電力増幅装置の入力バイアス電圧調整方法を提供すること。
【解決手段】バイアス電圧供給部は、ＧａＮ−ＦＥＴのゲートにバイアス電圧を与える。演算制御部は、異なる時点の負荷電流の差を算出する。参照テーブルは、ＧａＮ−ＦＥＴに対応して定められている、ゲートソース間電圧を一定に保ち始めたときからドレイン電流が変化していく当初のドレイン電流変化率と、ゲートソース間電圧を一定に保ち始めたときのドレイン電流を時間経過後に保つため必要なゲートソース間電圧の変更量との対応関係を記述している。参照制御部は、負荷電流の差を参照テーブルのドレイン電流変化率に当てはめて、ゲートソース間電圧の変更量を取り出す。バイアス電圧変更制御部は、変更量に基づいて、ゲートバイアス電圧を変更するように、バイアス電圧供給部を制御する。 （もっと読む）

【課題】低出力モードで出力電力を変化させても、ゲインの差が殆ど生じない高周波増幅回路を実現する。
【解決手段】高周波増幅回路１００Ａは増幅用トランジスタ１０を備える。増幅用トランジスタ１０のベースは、バラスト抵抗素子５２を介してエミッタフォロワ用トランジスタ２０のエミッタに接続する。エミッタフォロワ用トランジスタ２０のベースには、抵抗素子５１を介してバイアス電源が接続されている。エミッタフォロワ用トランジスタ２０のコレクタには、抵抗素子５３を介してモード制御電源が接続されている。抵抗素子５３は固定抵抗値の抵抗素子である。モード制御電源は、可変電圧型であり、モードに応じて直流のモード制御電圧Ｖｍｏｄｅを発生する。モード制御電圧Ｖｍｏｄｅは、低出力モード時には低電圧となり、高出力モード時には高電圧となる。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを適切に改善するとともに、光照射による消費電力を抑制する。
【解決手段】包絡線抽出部１は、増幅部２で増幅される信号の包絡線を抽出する。増幅部２は、可変電源部３から供給される電力によって、入力される信号を増幅する。可変電源部３は、包絡線抽出部１から出力される包絡線に応じて、増幅部２に供給する電力を可変する。照射部４は、増幅部２に光を照射する。制御部５は、包絡線抽出部１から出力される包絡線の傾きに応じて、照射部４の出力する光を制御する。 （もっと読む）

【課題】電力増幅器を高効率化及び高信頼性化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、送信器は、第１のバッファ、第２のバッファ、論理回路、及びＥ級電力増幅器が設けられる。第１のバッファは、第１の正弦波信号が入力され、第１の正弦波信号を第１の矩形波信号に変換する。第２のバッファは、第１の正弦波信号よりも位相が遅れた第２の正弦波信号が入力され、第２の正弦波信号を第２の矩形波信号に変換する。論理回路は、第１及び第２の矩形波信号が入力され、第１及び第２の矩形波信号を論理演算して所定のデューティーを有するロジック信号を生成する。Ｅ級電力増幅器は、ロジック信号が入力され、ロジック信号に基づいて増幅動作する。 （もっと読む）

【課題】 電源効率の高い電力増幅合成回路ならびにそれを用いた電力増幅回路，送信装置および通信装置を提供する。
【解決手段】 ソース端子に第１入力信号が、ゲート端子に第２入力信号と同相の信号が入力されるトランジスタ33と、ソース端子に第２入力信号が、ゲート端子に第１入力信号と同相の信号が入力されるトランジスタ34と、ゲート端子が第１のトランジスタのドレイン端子に接続され、ソース端子が定電流源６を介してグランド電位に接続されるトランジスタ４と、トランジスタ４のドレイン端子および電源電位を接続する低域通過フィルタ回路８と、トランジスタ４のドレイン端子に接続された出力整合回路16と、第１入力信号および第２入力信号の位相差が増加すると定電流源を流れる電流が減少するように定電流源を制御する電流制御信号を出力する電流制御回路19とを備える電力増幅合成回路とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高効率で消費電力を抑えることが可能な高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】ソース接地され、ゲート端子が、信号が入力される入力ノードに接続された入力側トランジスタ１０と、ゲート接地され、ソース端子が、入力側トランジスタ１０のドレイン端子に共通に接続され、且つドレイン端子が、出力信号が出力される出力ノードに接続された複数の出力側トランジスタ２０，３０とを備え、各出力側トランジスタ２０，３０は、それぞれが異なるゲート・ソース間電圧によりバイアスされている構成とする。 （もっと読む）

【課題】広い入力レベル範囲にわたって高い効率を実現することが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路１０１において、入力側高調波整合回路３および出力側高調波整合回路４により、トランジスタＴＲの制御電極から前段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスと、トランジスタＴＲの導通電極から後段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスとが、それぞれ、対象信号のレベルが異なる条件下において整合されている。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増加させることなく、使用する経路に応じてフィードバック経路の接続・未接続を切替えることができる電力増幅器を得る。
【解決手段】スイッチＳＷ１は、制御信号に従って入力端子Ｔｉｎ１を出力端子Ｔｏｕｔ１と出力端子Ｔｏｕｔ２の何れかに接続する１入力多出力のスイッチである。スイッチＳＷ１の入力端子Ｔｉｎ１は、トランジスタＴｒ１のコレクタ（出力端子）に接続されている。フィードバック経路１２は、スイッチＳＷ１の出力端子Ｔｏｕｒ１をトランジスタＴｒ１のベース（入力端子）に接続させる。 （もっと読む）