【課題】メモリセルの性能劣化要因の影響を抑制した信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの各交差部に配置され、一端がワード線に他端がビット線に接続された複数のメモリセルＭＣを有するメモリセルアレイ１と、メモリセルＭＣに対するデータの読み出し／書き込みを行う読み出し／書き込み回路２と、メモリセルＭＣから読み出された所定長のデータと、メモリセルＭＣに書き込むべき所定長のデータとを比較及び判定し、その判定結果を表すフラグを作成する演算回路３とを備える。読み出し／書き込み回路２は、データ書き込み時には、メモリセルに書き込むべき所定長のデータの各ビットをフラグに応じて反転させ、所定長のデータ及びフラグのうち書き換えられるデータのみをメモリセルに書き込み、データ読み出し時には、所定長のデータと共に対応するフラグを読み出してフラグに応じて所定長のデータの各ビットを反転させて出力する。 （もっと読む）

【課題】市場において不良セルが発生しても、装置自身がその不良を冗長セルに自動的に置き換えることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリセルアレイは、複数のメモリセルを有する本体セルアレイ１１と、メモリセルと置き換え可能な複数の冗長セルを有するリダンダンシアレイ１２とを有する。消去回路２２は、メモリセル及び冗長セルのいずれかを含む対象セルに対して消去動作を行い、対象セルに対する消去動作の開始からの経過時間がタイマ１４により計測される。制御回路１３は、タイマ１４による経過時間の計測により、消去動作の開始から所定時間が経過したことを認知したとき、消去動作を停止させ、対象セルを冗長セルへ置き換える。 （もっと読む）