【課題】待機動作における消費電力を削減すると共に、待機機能の実装に伴う面積オーバヘッドを最小化した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】セルデータを記憶するメモリセルアレイ１と、セルデータの誤り訂正のための冗長データを記憶する冗長メモリセルアレイ２とにより、ビット線ＢＬが共有される。セルデータ及び冗長データは、センスアンプ５により検知・増幅されて巡回冗長符号化器／復号化器７に出力される。巡回冗長符号化器／復号化器７は、セルデータを逐次処理して符号化して冗長データを生成し又はセルデータ及び冗長データを逐次処理して復号化しセルデータの誤り訂正を実行する。ロウデコーダ３，４及びカラムデコーダ９がビット線ＢＬ、ワード線ＷＬ及び冗長ワード線ＲＷＬを選択的に活性化することにより、巡回冗長符号化器／復号化器７が出力したセルデータ及び冗長データがメモリセルアレイ１又は冗長メモリセルアレイ２に書き込まれる。 （もっと読む）