国際特許分類[B01J23/00]の内容
処理操作;運輸 (1,245,546) | 物理的または化学的方法または装置一般 (124,790) | 化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置 (50,456) | グループ21/00に分類されない,金属または金属酸化物または水酸化物からなる触媒 (9,731)
国際特許分類[B01J23/00]の下位に属する分類
アルカリ金属またはアルカリ土類金属またはベリリウムに関するもの (192)
亜鉛,カドミウムまたは水銀に関するもの (70)
ガリウム,インジウムまたはタリウムに関するもの (31)
希土類に関するもの (211)
アクチニドに関するもの (4)
ゲルマニウム,すずまたは鉛に関するもの (56)
ひ素,アンチモン,ビスマス,バナジウム,ニオブ,タンタル,ポロニウム,クロム,モリブデン,タングステン,マンガン,テクネチウムまたはレニウムに関するもの (1,056)
貴金属に関するもの (4,338)
鉄族金属または銅に関するもの (3,517)
再生または再活性化 (255)
国際特許分類[B01J23/00]に分類される特許
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制御されたドーピングを含む半導体ナノワイヤ及びその製造方法
【課題】 一定の横方向寸法及び有意なドーピング・レベルを有する半導体ナノワイヤを形成する方法を提供する。
【解決手段】 基板上の触媒粒子が反応器内の半導体材料を含有する反応物質に暴露される。一定の横方向寸法を有する真性半導体ナノワイヤは、十分に低い温度で成長させることで、真性半導体ナノワイヤの側壁上での反応物質の熱分解が抑制される。真性半導体ナノワイヤが所望の長さまで成長すると、半導体ナノワイヤの側壁上での熱分解が可能となるように反応器内の温度が高められ、その後ドーパントが反応物質を含む反応器内に供給される。内側の真性半導体ナノワイヤとドーピング半導体シェルとを有する複合半導体ナノワイヤが形成される。触媒粒子が除去され、その後アニールによってドーパントが複合半導体ナノワイヤの体積中に均一に分散され、その結果、一定の横方向寸法及び実質的に均一なドーピングを有する半導体ナノワイヤが形成される。
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