【課題】アルコールを原料として、そのアルコールよりも炭素原子数が１以上大きいオレフィンを高い収率で効率よく製造できるオレフィンの製造方法、及びオレフィン製造用触媒を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを含む酸化インジウム含有触媒の存在下、アルコールから、該アルコールよりも炭素原子数が１以上多いオレフィンを製造するオレフィンの製造方法であって、前記アルコールを反応させる反応系に水及び／又は水素を共存させるオレフィンの製造方法及びオレフィン製造用触媒である。 （もっと読む）

【課題】アルコール化合物およびオレフィン化合物を高い効率で製造できる触媒、該触媒を用いる上記化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコール化合物から、その炭素数よりも少なくとも一つ大きいアルコール化合物およびオレフィン化合物の少なくとも１種を製造する触媒、アルデヒド化合物と変換用アルコールとからその炭素数より少なくとも一つ大きいアルコール化合物およびオレフィン化合物の少なくとも１種を製造する触媒、ケトン化合物と変換用アルコールとから、その炭素数と同じアルコール化合物およびオレフィン化合物の少なくとも１種を製造する触媒で、所定量の酸化ジルコニウムと、所定量の添加元素等とを含む触媒、該触媒を用いた上記化合物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エタノールからプロピレンを連続的に、かつ効率よく製造することができるプロピレンの製造方法を提供する。
【解決手段】エタノールと水とからアセトン及び水素を製造し、製造されたアセトンと水素とを反応させてプロピレンを製造するプロピレンの製造方法であって、鉄と、亜鉛と、アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属とを含有し、かつ亜鉛に対するアルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属のモル比が０．２〜２である鉄−亜鉛−アルカリ含有触媒の存在下で、前記アセトン及び水素を製造し、インジウム酸化物及びインジウムを含む複合酸化物のいずれかからなるインジウム含有触媒、あるいは、担体上にインジウムを担持してなり、当該インジウムが触媒全体の質量に対し元素として１質量％以上含むインジウム含有触媒の存在下で、前記プロピレンを製造するプロピレンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】簡易なプロセスにより、アセトンと水素分子とを反応させて効率的にプロピレンを製造するプロピレンの製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム含有触媒の存在下でアセトンと水素分子とを反応させてプロピレンを製造する方法であって、前記インジウム含有触媒が、インジウム酸化物及びインジウムを含む複合酸化物のいずれかであるか、又は、担体上にインジウムを元素として担持してなり、当該インジウムが触媒全体の質量に対し元素として１質量％以上含まれることを特徴とするプロピレンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、また、種々の溶媒が使用でき、反応後の生成物の抽出操作が不要な、簡便な含フッ素化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】 インジウム金属の存在下、以下の一般式Ｉで表される１種以上のフッ化アルキルヨージドと炭素−炭素間に二重結合ないし三重結合を有する不飽和化合物とを反応させ、当該炭素−炭素間の不飽和結合を構成する炭素原子にフッ化アルキル基を付加することにより、新たな炭素−炭素間結合を形成する方法。
Ｒｆ−ＣＸ_２−Ｉ （Ｉ）
（式中、Ｒｆはパーフルオロアルキル基を表し、Ｘはフッ素原子または水素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】内燃機関から排出される排ガス中に含まれる炭素（Ｃ）を主成分とするパティキュレート（ＰＭ）等を酸化して排ガスを浄化する排ガス浄化用触媒において、より低温で炭素成分を完全燃焼させることができる酸化用触媒を提供する。
【解決手段】一般式Ｒ_ｘＴｌ_ｙＯ_α（但し、ＲはＴｌ（I）及びＴｌ（III）以外の１種類又は２種類以上の元素を示し、Ｔｌは３価である。）で示されるタリウム酸化物を含む酸化用触媒存在下、炭素含有物質又は有機成分を熱処理することによって炭素含有物質又は有機成分を完全燃焼させる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、水中で有効に機能する水酸化金属を触媒とし、Ｃ＝Ｎ結合への選択的アレニル化及びプロパギル化反応による、アレニルメチルヒドラジン及びホモプロパギルヒドラジンの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、アレニルボロネートとα−ヒドラゾノエステルとを、金属水酸化物又は金属酸化物の存在下、水系溶媒中で反応させて、対応するα−アレニルヒドラジノエステル及び／又はα−プロパルギルヒドラジノエステルを製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 光照射により高い光変換効率で酸化還元反応を生じさせるIII −Ｖ族窒化物半導体、光触媒半導体素子、光触媒酸化還元反応装置および光電気化学反応実行方法の提供。
【解決手段】 本発明のIII −Ｖ族窒化物半導体は、光触媒酸化還元反応用のものであって、互いに半導体特性の異なる基層およびこの基層に積層された表層を有し、前記基層と前記表層とが接触する界面が形成されることにより、少なくとも表層がキャリア移動促進作用を有し、基層および表層とが、その導電型が同一であって、基層のキャリア濃度が、表層のキャリア濃度よりも高いものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オゾン発生効率を的確に向上でき、クリーンなオゾンガスを発生するオゾン発生装置を得る。
【解決手段】放電領域の誘電体又は電極にバンドギャップ２．０ｅＶ〜２．９ｅＶの光触媒物質を設け、電源から交流電圧を印加して上記放電領域に放電電力を注入し、原料ガス供給手段より上記放電領域に酸素ガスを供給し、放電によって発する少なくとも４２８ｎｍ〜６２０ｎｍの光波長を有する放電光と、上記光触媒物質との相互作用で、上記放電領域を通過する上記酸素ガスを酸素原子に解離させ、かつ上記酸素ガスと上記解離した酸素原子とを結合処理しオゾンガスを発生させる。 （もっと読む）

【課題】より簡便な方法で、波長が４００ｎｍ以上の可視光領域において、有機物の分解を有意に行うことが可能な、ＭｇＩｎ_２Ｏ_４材料を製造するための方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＭｇＩｎ_２Ｏ_４の製造方法であって、（１）ＭｇＣＯ_３およびＩｎ_２ＣＯ_３を、ＭｇＣＯ_３とＩｎ_２ＣＯ_３のモル比が１．０５：１．０〜１．２：１．０の間の範囲になるように混合して、混合物を得るステップと、（２）前記混合物を８００℃〜１０００℃の温度範囲で、６時間以上焼成して、第１の焼成体を得るステップと、（３）前記第１の焼成体を、１３００℃〜１４５０℃の温度範囲で、１２時間〜２４時間焼成して、ＭｇＩｎ_２Ｏ_４を得るステップと、を有する製造方法。 （もっと読む）