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国際特許分類[B01J29/42]の内容

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【課題】セラミック多孔体とセラミック基材とが剥離し難い、品質安定性に優れたセラミック接合体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
本発明によって提供される製造方法は、セラミック基材20の表面にセラミック多孔体10が接合されたセラミック接合体30を製造する方法である。この製造方法は、少なくともセラミック粉末と有機バインダと非水溶性有機溶剤と水とを含有しているセラミック多孔体形成用組成物を調製すること、ここで、該組成物中における水の含有量はセラミック粉末とバインダと非水溶性有機溶剤との合計質量に対して1質量%〜50質量%に相当する量である;該組成物をセラミック基材20の表面に塗工すること;及び、その塗工物を焼成してセラミック基材20の表面にセラミック多孔体10が接合されたセラミック接合体30を得ること;を包含する。 (もっと読む)


【課題】酢酸からの直接的且つ選択的な酢酸エチルの製造方法を提供する。
【解決手段】酢酸及び水素を含む供給流を、200℃〜300℃の昇温温度において、5〜30絶対気圧の運転圧力で、シリカ、H−ZSM−5等の触媒担体上のニッケル、白金、及びパラジウムからなる群から選択される少なくとも1種類の金属、並びに銅、及びコバルトから選択される少なくとも1種類の金属から実質的になる水素化触媒と接触させる、酢酸エチルの製造方法。 (もっと読む)


二成分修飾モレキュラーシーブを製造する方法は、モレキュラーシーブをリン含有水溶液に加えて、混合物を形成させて、前記混合物をpH1〜10で、70〜200℃の温度で、かつ0.2〜1.2MPaの圧力で、10〜200分間反応させて、次いで、濾過し、乾燥させて、得られたものを焼成し、リン修飾モレキュラーシーブを得て、その後、前記リン修飾モレキュラーシーブを銀イオン含有水溶液に加えて、リン修飾モレキュラーシーブを銀イオンと、0〜100℃で暗所で30〜150分間反応させて、次いで、濾過し、乾燥させて、焼成することを含む。得られた二成分修飾モレキュラーシーブは、総て乾物ベースで、アルミナに対するシリカ割合が15〜60の間で、88〜99wt%のモレキュラーシーブと、(酸化物に基づき)0.5〜10wt%のリンと、(酸化物に基づき)0.01〜2wt%の銀と、を含む。二成分修飾モレキュラーシーブから製造された触媒は、改善された熱水安定性及びマイクロ活性を有する。 (もっと読む)


本発明は、複合床において実施される、スチレンの存在下でフェニルアセチレンに選択的に水素を付加する方法を開示する。本方法では、水素付加反応条件の下で、フェニルアセチレンおよびスチレンを含有する炭化水素画分の供給原料を、触媒Aおよび触媒Bを収納する複合床反応器に通して、供給原料を触媒Aおよび触媒Bに順に接触させる。なお、上記触媒Aはニッケル系触媒であり、上記触媒Bはパラジウム系触媒および銅系触媒からなる群より選択される少なくとも1つの触媒であり、装荷された触媒Bに対する装荷された触媒Aの重量比は0.5:1〜5:1である。 (もっと読む)


【課題】排気ガス中の炭素数が異なる各種HCを効率的に吸着して浄化できるようにする。
【解決手段】排気ガス中のHCをクラッキング触媒2で分解し、このクラッキング触媒2を経た排気ガス中のHCを、炭素数が多いHCを優先的に吸着するHC吸着材6aと炭素数が少ないHCを優先的に吸着するHC吸着材6bとに分けて吸着させ、炭素数が多いHCを優先的に吸着するHC吸着材6aから脱離するHCは触媒金属量又は酸素吸蔵材量が多い三元触媒7aによって浄化し、炭素数が少ないHCを優先的に吸着するHC吸着材6bから脱離するHCは触媒金属量又は酸素吸蔵材量が少ない三元触媒7bによって浄化する。 (もっと読む)


【課題】窒素酸化物(NO)の濃度が激しく変動している排ガスに対しても付加設備なしでほぼ100%近く脱硝でき、かつアンモニア(NH)が残留せず、NO等もほぼ発生しない高効率的な脱硝技術を提供する。
【解決手段】窒素酸化物に対し反応等量以上の過剰アンモニアの存在下にて窒素酸化物含有排ガスを脱硝触媒と接触させて窒素酸化物を分解除去した後、アンモニア分解触媒と接触させることで該アンモニアを分解除去する排ガスの脱硝処理方法において、脱硝触媒がバナジウム含有触媒であり、アンモニア分解触媒が多孔質シリカアルミナ担体に周期表の第8族〜第12族の金属元素から選ばれる少なくとも一つの金属元素をイオン交換法により担持したものであり、多孔質シリカアルミナのSi/Al(原子比)が1〜90であり、且つ、孔質シリカアルミナの比表面積が200〜900m/gであることを特徴とする脱硝処理方法とする。 (もっと読む)



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