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国際特許分類[B01J3/06]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 物理的または化学的方法または装置一般 (124,790) | 化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置 (50,456) | 物質の化学的または物理的変化を生じさせるため低圧または高圧を利用するプロセス;そのための装置 (1,161) | 超高圧を使用するプロセス,例.ダイヤモンドの成形のためのもの;それに用いる装置,例.鋳型,ダイス (61)

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【課題】 褐色タイプのIIaダイアモンドを褐色からピンク色に変化する方法を提供すること。
【解決手段】 (i)ダイアモンドを完全に囲む圧力伝達媒体におけるダイアモンドの提供によりリアクションマスを生成する段階と、及び
(ii)適切な期間で6.9GPa乃至8.5GPaの圧力下で1900℃乃至2300℃の温度範囲をリアクションマスが受ける段階と、を含む、褐色タイプのIIaダイアモンドを褐色からピンク色に変化する方法。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率の優れた多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド1は、12Cあるいは13Cのいずれかの炭素同位体で実質的に構成された炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成され、複数の不純物の濃度がそれぞれ0.01質量%以下であり、結晶粒径が500nm以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド1は、12Cあるいは13Cの炭素同位体の純度が99.9質量%以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 (もっと読む)


【課題】温度の計測が可能となる特性を有する半導体多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体多結晶ダイヤモンドは、平均粒径が10nm以上200nm以下のダイヤモンド結晶粒と、5×1014/cm以上5×1019/cm以下の硼素および不可避不純物とで構成され、温度が上昇した際に電気抵抗が減少する特性を有するように硼素をダイヤモンド結晶粒中に分散させる。該半導体多結晶ダイヤモンドは、気相合成で作製され硼素を5×1014/cm以上5×1019/cm以下含むグラファイトを、1200℃以上2500℃以下の温度、7GPa以上25GPa以下の圧力で直接ダイヤモンドに変換することで得られる。 (もっと読む)


【課題】低圧条件でhBNからcBNを合成する低圧合成方法及びcBN原料粉末を用いたcBN焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属触媒として、CrおよびMoのいずれか1種又は2種を、Cr:10〜55質量%、Mo:10〜50質量%、(Cr+Mo):10〜50質量%の範囲内において含有するとともに、V:1〜50質量%、Al:1.5〜8質量%を含有し、残部はFe、NiおよびCoのいずれか1種又は2種以上の成分組成からなる合金粉末あるいは混合粉末を用いて、低圧(4GPa以上)かつ1200〜1700℃でhBNからcBNを合成し、また、cBNを原料粉末とし、金属触媒として用いた上記合金粉末あるいは混合粉末を焼結助剤として原料粉末に含有させて焼結し、cBN焼結体を得る。 (もっと読む)


【課題】SQUID磁束計で用いられる1.5GPa以上の超高圧が発生可能で磁化の小さな物質の磁化測定も可能で高圧発生空間が比較的大きく廉価な高圧発生装置及び磁化測定装置を提供する。
【解決手段】高圧発生装置10は、両端部にボルト部11が形成されたシリンダー12と、シリンダー内に設けられた一対のアンビル13と、一対のアンビルの間に高圧発生空間を形成するために設けられたガスケット15と、一対のアンビルの両端から押さえるピストン16と、ピストンを介して一対のアンビルを加圧する加圧棒17と、加圧棒で加圧した後に一対のアンビルを加圧した状態でピストンを固定するためにボルト部でねじ締めするクランプナット18と、を備え、シリンダー12とアンビル13とガスケット15とピストン16とクランプナット18は、非磁性物質により形成されている。 (もっと読む)


【課題】従来、切削工具などに用いられてきたダイヤモンド焼結体は、焼結助剤として鉄系金属元素を含むため、耐熱性に問題があった。また、鉄系金属を含まないダイヤモンド焼結体では、機械的強度が不足して、工具材料としては使用できず、導電性もないため、放電加工ができず、加工が困難であった。
【解決手段】非晶質もしくは微細なグラファイト型炭素材料のみを出発原料とし、ホウ素を添加して超高圧高温状態でダイヤモンドへの変換と焼結を同時に行い、耐熱性および機械的強度に優れ、さらに放電加工可能な導電性を有するダイヤモンド多結晶体を得る。 (もっと読む)


【課題】 グラファイト相を有するナノダイヤモンドから、グラファイト相を効率的に、高い割合で、かつ低コストで除去するナノダイヤモンドの精製方法、及び高純度の精製ナノダイヤモンドを提供する。
【解決手段】 グラファイト相を含有し、動的光散乱法で求めたメジアン径が250 nm以下のナノダイヤモンドを精製する方法であって、(1) 酸素と水及び/又はアルコールからなる処理溶媒とが共存する流体中で、グラファイト相を有するナノダイヤモンドを、上記処理溶媒の標準沸点以上の温度及び一気圧(ゲージ圧)以上の圧力で亜臨界処理又は超臨界処理するか、(2) 酸性化合物を含む溶液により、グラファイト相を有するナノダイヤモンドを超臨界処理する方法。 (もっと読む)


【課題】切削バイト等に用いるための、高強度で耐熱性に優れ、熱伝導率が低く切削点での温度を高く保ち、難削材の切削において高い切削性能が得られるダイヤモンド多結晶体を提供する。
【解決手段】非ダイヤモンド型炭素原料を超高圧・超高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接変換して得られる95質量%以上がダイヤモンドからなる多結晶体であり、ダイヤモンドの粒子のD95粒径が100nm以下で、かつ平均粒径が50nm以下であり、ダイヤモンド粒子が3次元的に結合して気孔が形成されており、気孔率が1〜30vol%であることを特徴とするダイヤモンド多結晶体。 (もっと読む)


単結晶ダイヤモンドを合成するための高圧高温(HPHT)方法であって、アスペスト比が少なくとも1であり、成長表面が{110}結晶面と実質的に平行である単結晶ダイヤモンド種子を利用することが記載される。1280℃から1390℃の温度範囲で成長する。 (もっと読む)


【課題】長期間安定した線径及び真円度を得られる伸線ダイスを提供すること。
【解決手段】超高圧高温下で非ダイヤモンド型炭素から焼結助剤や触媒の添加なしに変換焼結されて得られたダイヤモンド多結晶体であって、当該ダイヤモンド多結晶体を構成するダイヤモンド焼結粒子の平均粒径が50nmより大きく2500nm未満であり、純度が99%以上であり、かつ、該ダイヤモンド焼結粒子のD90粒径が(平均粒径+平均粒径×0.9)以下であるダイヤモンド多結晶体からなることを特徴とする伸線ダイス。 (もっと読む)


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