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国際特許分類[B23K101/40]の内容

国際特許分類[B23K101/40]に分類される特許

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【課題】ボンディング工程の前にはんだとCuとの迅速な反応によって形成される金属間化合物の成長を制御し、ボンディング工程の後に金属間化合物の成長を阻害する方法を提供する。
【解決手段】(i)基板を含み、その上に少なくとも一層の金属パッドを堆積させた基板要素を調製する工程であって、金属パッドの層上に少なくとも一つの薄層のはんだが堆積させられ、その後リフロー処理を実施する工程;および(ii)基板要素上に適宜の厚さのはんだのバンプをさらに堆積させる工程を含む金属間化合物の成長の阻害方法であって、薄いはんだ層の適宜の熱処理の後に、薄いはんだ層と金属パッド中の金属との反応によって薄い金属間化合物が形成されることを特徴とする金属間化合物の成長の阻害方法。薄い金属間化合物の形成は、金属間化合物の成長を遅らせ、金属間化合物の変換を防ぐことが可能。 (もっと読む)


【課題】クラッド材に防食効果を有する電位勾配層を確実に形成することができ、冷却水に対して優れた耐食性が得られるとともに、クラッド材どうしの接合部近傍で薄板クラッド材に腐食孔が発生することを抑制できる熱交換器の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の熱交換器10は、薄板クラッド材2と、該薄板クラッド材2との間に通路4を画成するように配設され、前記薄板クラッド材2よりも厚い板厚を有する厚板クラッド材1と、各クラッド材1、2どうしの間に収容されたインナフィン3とを有し、厚板クラッド材1および薄板クラッド材2は、それぞれ、通路4側にZnを含有するろう材層12、22を有し、ろう付後表面Zn量A、Aが所定の条件を満たすように設定される。 (もっと読む)


【課題】優れた放熱性能を有し、製造コストの低いヒートシンク一体型の電力変換用パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】組立ての完了した半導体装置の金属ベース板と、ヒートシンクとの間に、はんだ板と熱源となる反応性金属箔を挿入して加圧し、反応性金属箔に電流を通電して発火させてはんだ板を溶融させ、室温下で瞬時に金属ベース板とヒートシンクを接合する。 (もっと読む)


【課題】高温での耐熱性を求められるICパッケージや車載モータやその他の電動モータの駆動を制御するための発熱量が大きいパワーモジュール等に使用する際の接合材料として、優れた耐熱特性とスペーサー作用を有した鉛フリーはんだ合金及び当該鉛フリーはんだ合金を簡易な方法にて提供する。
【解決手段】Sn−Cuを基本組成とする鉛フリーはんだ合金の製造過程に於いて、高温の液相を有する組成のはんだ合金を液相線温度以上に加熱して完全に溶解し、その後、Cu6Sn5を主とする金属間化合物が生成、成長するように、温度条件をコントロールしながら冷却して、Cu6Sn5等金属間化合物を生成させた後、当該金属間化合物を含有したはんだ合金を含有するCu6Sn5を主とする金属間化合物が消失しない温度条件にてはんだ接合を行うことにより、当該金属間化合物を含有したはんだ接合部を有するはんだ接合を可能とした。 (もっと読む)


【課題】プロセス温度の低温化とプロセス時間の短縮化可能な積層化高融点半田層およびその形成方法、およびこの積層化高融点半田層を適用した半導体装置を提供する。
【解決手段】低融点メタル薄膜層81と、低融点メタル薄膜層81の表面および裏面に配置された高融点メタル薄膜層82とを有する3層構造を複数積層化した積層化構造80と、積層化構造80の表面に配置された第1高融点メタル層1aと、積層化構造80の裏面に配置された第2高融点メタル層1bとを備え、低融点メタル薄膜層81と高融点メタル薄膜層82、積層化構造80と第1高融点メタル層1aおよび第2高融点メタル層1bは、液相拡散接合によって互いに合金化された積層化高融点半田層5、およびこの積層化高融点半田層5を適用する半導体装置10。 (もっと読む)


【課題】一方のクランパ部に対して他方のクランパ部の平行度を保つことのできる技術を提供する。
【解決手段】下クランパ部28を上クランパ部27に向かって平行に昇降する平行昇降機構40が備えるレベリング部29は、摺動孔26aの対向する内壁面に当接して挿入され、下クランパ部を載置する載置ブロック52と、載置ブロック52と対向する摺動孔26aの内壁面との間に設けられたスプリング部51とを有している。レベリング部29は、スプリング部51により摺動孔26aの内壁面に対して載置ブロック52を押し付けて位置決めしたまま摺動孔26a内を摺動することにより、載置ブロック52上に設けられた下クランパ部28の昇降をガイドする。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、ワークと加熱部材との容易にかつ確実に密着させて、加熱部材によりワークを精度よく加熱して適切にワークの接合部品を互いにはんだ付けすることができるリフローはんだ付け方法とその装置を提供する。
【解決手段】リフローはんだ付け装置は、はんだ箔1を介して接合部品2、3を重合してなるワークWが載置されてこのワークWを加熱する加熱部材5と、ワークWが載置された加熱部材5の周囲に密閉された空間を形成することが可能なチャンバ6と、このチャンバ5内の密閉された空間を減圧する減圧手段7と、チャンバ6内を減圧することによって生じるチャンバ6の内部と外部との圧力差を利用してワークWと加熱部材5とを互いに押し付けるように押圧する押圧手段8と、チャンバ6内に還元ガスを供給する手段9とを備えている。 (もっと読む)


【課題】応力緩和性及び耐熱性を両立する半導体接合構造体及びその製造方法を実現する。
【解決手段】半導体素子102と電極103とが接合部212を挟んで接合された半導体接合構造体において、接合部212は、電極103に接する第1金属間化合物層207と、半導体素子102に接する第2金属間化合物層208と、第1金属間化合物層207及び第2金属間化合物層208に挟まれた金属層とを備える。金属層は、Sn含有相210と、金属間化合物からなり且つSn含有相に分散された複数の結晶粒塊209とを含み、それぞれの結晶粒塊209は、第1金属間化合物層207及び第2金属間化合物層208に対し、いずれとも離れているか、又は、いずれか一方のみに接している。 (もっと読む)


【課題】熱変形が少なく、温度制御性に優れる誘導加熱用積層材を使用した、誘導加熱による車載パワーモジュールのはんだ付けのための被誘導加熱材を提供する。
【解決手段】温度によって透磁率が変化する感温磁性材(後述)をベースに、第1の層10aと第2の層10bと第3の層10cとからなる三層構造によって構成する。
第1、第3の層10a、10cには、温度プロファイルにおける高温側の保持温度に、キュリー点を合わせた感温磁性材11を配する。第2の層10bには、良熱伝導材12(Cu)を配置して構成する。同じ感温磁性材である第1の層10aおよび第3の層10cとは、同じ厚さ寸法とし、それに対する第2の層10bの厚さ寸法も、熱膨張率の違いに起因する熱変形を最小限とするべく設定する。 (もっと読む)


【課題】Biを主成分とするはんだ材料による接合構造体において、応力緩和性を改善して、接合部でのクラックや剥離の発生を防止する。
【解決手段】半導体素子102をCu電極103にBiを主成分とする接合材料104を介して接合した接合構造体において、接合材料104から被接合材料(半導体素子102、Cu電極103)に向けて、ヤング率が傾斜的に増大するような積層構造を介して半導体素子102とCu電極103とを接合することにより、パワー半導体モジュールの使用時における温度サイクルで生じる熱応力に対する応力緩和性を確保する。 (もっと読む)


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