【課題】鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は、同じ熱処理条件では再溶融しない鉛フリーはんだ材料を提供する。
【解決手段】Ｓｎ１３．５〜１６．５質量％、Ａｇ９〜１１質量％、Ｂｉ４．５〜５．５質量％、Ｇｅ０．１〜５質量％、残部にＣｕを主成分として含むことを特徴とする５元系合金粒子。 （もっと読む）

【課題】電子部品をプリント配線板などにはんだ接続する際に、溶融したはんだによる電極間のショートの発生を防ぐことができるはんだペースト、電子部品、該電子部品を用いた電子機器の提供。
【解決手段】電極パッドを有する配線基板と、前記配線基板に実装され、複数の電極を有する部品と、前記部品を覆う封止樹脂と、前記配線基板内の配線を、外部の基板と接続する複数の端子とを有し、前記複数の電極が、前記電極パッドとはんだにより接続されており、前記はんだと前記封止樹脂との間に、前記はんだ側から、第１のヤング率を有する第１の樹脂層と、前記第１のヤング率よりも大きな値の第２のヤング率を有する第２の樹脂層とが順に形成されている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】例えば、電極などの接続対象物を互いに接続する場合に用いられる接続信頼性の高い接続方法および該接続方法を用いた電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１金属と、第１金属よりも融点が高く、第１金属と反応して３１０℃以上の融点を示す金属間化合物を生成する第２金属とからなる金属成分とを含む導電性材料を接続対象物の間に配置し、第１金属の融点以上の温度で導電性材料を加熱し、第１金属と第２金属とを反応させて両者の金属間化合物を生じさせるとともに、溶融した第１金属中で、金属間化合物を剥離、分散させながら反応を繰り返して行わせる。
第１金属として、ＳｎまたはＳｎを７０％以上含む合金を用いる。 （もっと読む）

【課題】半田の再溶解を防止して半田付けの接合信頼性を改善する。
【解決手段】少なくともＡｕとＳｎを含む半田粉と、金属粉とを有する半田であって、該半田を加熱固化した状態で、ＡｕがＳｎよりも多い第一相と、第一相よりもＳｎの比率が多い第二相と、の２相以上の相に分離されてなり、第一相中に金属粉を固溶させることができる。これにより、半田の融点が上昇し多段化したパッケージ製造時においても半田の再溶解を防止し、部品サイズの微小化、形状多様化に対応可能となる。また、アセンブリ工程のコストダウンも可能となる。 （もっと読む）

【課題】 非破壊により、はんだ接合部の劣化を容易に診断する。
【解決手段】 実施形態によれば、基板、基板の一主面上に設けられた配線部、及び配線部上にナノカーボンを含有するはんだ接合部を介して実装された少なくとも１つの半導体チップを含む電子部品を加熱しながら、電子部品の温度分布を測定し、及び温度分布の測定データに基づいてはんだ接合部の劣化を検出することを含むはんだ接合部の劣化診断方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】樹脂による補強を行う場合に、製造工程を簡易化でき、特に端子部材にソケット等の接続部材を装着する場合には、接続部材の装着を確実に行うことができる配線基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＰＧＡ用端子パッド２１上に端子ピン１５の基台６３を配置するとともに、ＰＧＡ用端子パッド２１上に半田と樹脂製の電気絶縁材とを含む接合材ペースト８５を配置し、その接合材ペースト８５を加熱することによって、半田を溶融させるとともに電気絶縁材を軟化させる。そして、その後冷却することによって、半田を固化させて基台６３とＰＧＡ用端子パッド２１を接合するとともに、基台６３に接合した半田接合部７０の露出面に電気絶縁表面層７２を形成する。 （もっと読む）

【課題】冷却器を構成する２つの部材のろう付けに係り、ボイドの発生位置を制御することで２つの部材の接合効率を向上させること。
【解決手段】ＨＶインバータの冷却器を構成する天板と絶縁基板をろう付けするろう付け方法であって、（１）天板の上にろう材層を介して絶縁基板を配置し、その後、レーザを照射することにより、天板と絶縁基板との間の接合部における任意の複数の位置にレーザ溶接を施して絶縁基板を天板に仮固定する。（４）その後、ろう材層を加熱溶融させることにより複数のレーザ溶接の位置をろう付け起点として絶縁基板を天板の上にろう付けする。（５）ろう付け後、複数のろう付け起点で囲まれる領域の中央部分に対応して、絶縁基板の上にパワー半導体を接合する。 （もっと読む）

【課題】マス形成はんだを冷却することによって形成されるチップとホルダの間の接合部の質を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、ろう材を形成するマス１６を加熱するステップ、加熱ステップの前にマスおよび部材１２を支持体１４上に配置するステップを含む。具体的には、方法は、マスを支持体上に位置付けるステップと、前記マスを支持体に対して押し付けるように、第１の圧縮力Ｆ１をマス上に加えるステップとを含み、第１の力Ｆ１の強度は、マスを平らにするように選択される所定の第１の値まで上がる。次に、方法は、部材を、平らにされたマス上に位置付けるステップと、前記部材を、平らにされたマスおよび支持体に対して押し付けるように、第２の圧縮力Ｆ２を部材に加えるステップとを含み、第２の力Ｆ２の強度は第２の所定値まで上がり、第２の所定値は第１の所定値より低い。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を被接合部材に対して確実にはんだ接合し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩＣ素子２０がはんだ接合されるリードフレーム１１の接合面１２には、内方に塗布されたはんだ３０の外方への流出を防止する環状溝１３が形成されている。そして、接合面１２のうち環状溝１３内の中心１３ａの近傍には、はんだ３０に対する濡れ性を変化させた第１表面状態Ｓ１と第２表面状態Ｓ２とが上記中心１３ａから外方に向けて放射状に区分けされている。 （もっと読む）

【課題】半田バンプ同士の接続性を良好に保ちつつ、溶融後の半田バンプ内に発生するボイドを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半田バンプ１を有する第１の基板２と第２の半田バンプ３を有する第２の基板４とを、半田バンプ１、３同士を仮固定しつつ積層した後に炉内に配置する。炉内に不活性ガスを導入した後、炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域まで上昇させる。炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域に維持しつつ、不活性ガスを排気して減圧雰囲気とした後、炉内にカルボン酸ガスを導入し、第１および第２の半田バンプ１、３の表面に存在する酸化膜を除去しつつ、溶融した第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを一体化して接合する。 （もっと読む）