【課題】ワーク上に糸半田を溶融させながら塗布させる動作に要する時間を短縮させ、生産効率の向上を図ること。
【解決手段】塗布ノズル４０が糸切り高さ位置まで上昇すると、ＣＰＵ５０は搬送装置２によるワーク３の搬送動作を開始させる。一方、ＣＰＵ５０は糸切り高さ位置に到達した後、僅か遅れて高速度で下降するようにＺ軸駆動モータ３３Ｃを制御し、ワーク搬送待機高さ位置に下降すると停止させる。ワーク３が搬送されて停止すべき位置に到達すると、ワーク搬送待機高さ位置に向けて移動した高速度より遅い低速度で塗布高さ位置まで下降するように、Ｚ軸駆動モータ３３Ｃを制御する。前記低速度で塗布ノズル４０が下降すると共に糸半田３６を繰り出して、塗布ノズル４０が最下限の半田塗布高さ位置に到達して、ワーク３上に糸半田３６を溶融しながら塗布する。糸切り高さ位置まで上昇させて、糸半田３６を切って塗布動作が終了する。 （もっと読む）

【課題】インサート物質を介して接合された２枚の基板からなる複合基板において、該インサート物質の移動（流出）が抑制された構造を有する複合基板、及び該複合基板の製造方法の提供。
【解決手段】第一基板２と第二基板３とは、離間して互いの主面２ａ，３ａを向き合わせ、且つその間にインサート物質４を介して接合されており、第一基板２及び第二基板３のうち少なくとも一方の主面に、インサート物質４の移動を阻害する部位１が設けられていることを特徴とする複合基板１０。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の内部接合用の高温はんだ接合材と、基板実装に際して内部接合部が溶融しない半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳｎまたはＳｎ系はんだ合金によって、網目構造を有する多孔質金属体の空孔部分を充填し、かつその表面を被覆する。 （もっと読む）

【課題】フラックス除去の工程を省略することができるにもかかわらず、基板間の位置ずれを軽減する半田付け方法を提供する。
【解決手段】
複数の基板５０ａ、５０ｂに仮止め剤５５を塗布して、仮止め剤５５を介して基板同士を仮止めした状態でヒータ３３によって加熱し、半田５４の溶融する前または半田５４の溶融中に仮止め剤５５を蒸発させつつ、溶融した半田５４を介して基板５０ａ、５０ｂを半田接合する （もっと読む）

【課題】 半田付け時の半田の温度を制御して好適に半田付けを行うことができる半田付け用治具および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半田７０の半田付けに際して，半田付け用治具１００を用いる。半田付け用治具１００は，下側基材１１０と上側基材１２０とを有している。下側基材１１０には，温度制御部材１１１と蓋部材１１２とを備えている。温度制御部材１１１は，半田付けに用いられる半田の融点より低い融点の材質のものである。半田付けの際には，下側基材１１０の側と上側基材１２０の側とから加熱される。その加熱により温度制御部材１１１の温度が融点に達すると，温度制御部材１１１は溶融する。温度制御部材１１１が溶融するため，素子下電極３０の温度は温度制御部材１１１の融点に保たれる。これにより，半田７０は溶融して半田付けに供されるが，既に半田付けされた半田５０は溶融しない。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウェーハの分割性の向上と、発光デバイスの電気特性の低下の抑制を同時に達成できるレーザー加工装置およびレーザー加工方法を提供すること。
【解決手段】レーザー加工ユニット２６は、発振器４１が発振するレーザービームを、加工進行方向に対して偏光方向が直交する分離光４７ａと加工進行方向に対して偏光方向が平行な分離光４７ｂとに分離し、ウェーハＷの厚さ方向に変位させて２箇所の集光点に集光する集光器４４を備える。このとき、分離光４７ａは、発光デバイスが形成されているウェーハＷの表面Ｗｂから遠い集光点４８ａに集光され、分離光４７ｂは、ウェーハＷの表面Ｗｂに近い集光点４８ｂに集光される。 （もっと読む）

【課題】はんだ付けされた第１の部品と第２の部品に第３の部品をはんだ付けする際に、第１の部品と第２の部品とを接続するはんだの再溶融を防止することができるはんだ付け用治具を提供する。
【解決手段】加熱ビーム発射器３１，３２により上部電極５４が加熱される。加熱用プレート３０と下治具２１により、半導体素子５１およびヒートスプレッダ５２が、半導体素子５１とヒートスプレッダ５２とを接続するはんだ５３が再溶融しない温度で加熱される。そして、はんだ付けされた半導体素子５１とヒートスプレッダ５２に、上部電極５４がはんだ付けされる。 （もっと読む）

【課題】従来技術の封止方法の欠点が無い新規の封止方法を提供すること。
【解決手段】二つの要素(100、102)間の封止方法であって、前記二つの要素のうちの第一要素(100)の面に第一封止材料(104)を生成するステップと、前記二つの要素のうちの第二要素の一つの面に、前記第一封止材料とは異なる第二封止材料(108)を生成するステップと、前記二つの要素を、前記第一封止材料および第二封止材料の融解温度未満の温度Tcで前記封止材料が互いに押し付けられる熱圧着により、固定するステップと、を含み、前記第一封止材料および第二封止材料がそれぞれ、前記固定するステップ中に前記封止材料の相の成分の相互拡散により他方の封止材料の相と反応できる少なくとも一つの相を有し、それにより温度Tcよりも高い融解温度を有する少なくとも一つの別の固相を形成するように、前記第一封止材料および前記第二封止材料が選ばれる、方法。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールなどの半導体装置に使用される鉛フリーの接続材料において、常用する温度領域よりも高温に晒された場合に応力緩衝機能が劣化する場合があった。
【解決手段】
最表層を含む領域をZn系層とし、その内部に複数の浮島状のAl系相３を有する接続材料とし、その接続材料によって二つの部材１，２を接続することで、Al酸化物による濡れ性低下と耐熱性低下を抑制し、Al系相３により接続時の応力緩衝を行うとともに、使用時にAl系相３の硬化してもZn-Al合金層４で柔軟性を確保して接続材料の応力緩衝機能の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】少ない加熱源ではんだ付け対象の２つの部品を加熱してはんだ付けすることができるはんだ付け装置を提供する。
【解決手段】はんだ付け装置１０における下治具２１および連結部２２により、はんだ付け対象であるパワーモジュールＭｐと上部電極５４が位置決めされる。上治具２３により、供給する溶融前のはんだ２４が保持される。加熱用プレート３０により、下治具２１、連結部２２を加熱してパワーモジュールＭｐと上部電極５４を加熱するとともに上治具２３を加熱して固体の球状はんだ２４を加熱してパワーモジュールＭｐと上部電極５４に供給する。 （もっと読む）