【課題】ウェーハの表面側のデバイスを破損させることないウェーハの分割方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷのデバイス領域Ｗａに相当する大きさの凹部１０ａをサポート部材１に形成し、ウェーハＷのデバイス領域Ｗａを凹部１０ａに対面させてウェーハＷの外周余剰領域Ｗｂとサポート部材１の外周部１０ｂとを接着することにより、デバイス領域Ｗａをサポート部材１に接触させずに保持する。そして、その状態でウェーハをデバイスに分割した後、サポート部材１をウェーハから剥離することにより、ウェーハをサポート部材から剥離するときにデバイスが破損するのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑えつつ、Ｚｎ−Ａｌ系はんだの表面の酸化を抑止することができると共に良好な濡れ性を示し、フラックスレスで接続を行うことができる高耐熱接合材料、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム２を中心に、第一の亜鉛３、アルミニウム２、第二の亜鉛４の三層がクラッドされた金属箔からなり、第一の亜鉛３及び第二の亜鉛４のアルミニウム２との接続界面ではない表面に、耐酸化性を有する金属層５、６が形成されている、高耐熱接合材料。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態では、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させながら該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットＳを形成し、これら複数の改質スポットＳにより切断の起点となる改質領域７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することを可能にするレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置１００は、基板の表面上にIII−V族化合物半導体からなる半導体層が積層され、且つ基板に達しない溝が切断予定ライン５に沿って半導体層に形成されたウェハ２に、レーザ光Ｌを照射することにより、切断の起点となる改質領域をライン５に沿って基板の内部に形成する。装置１００は、ウェハ２が載置される載置台１０７と、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌをウェハ２に集光する集光用レンズ１０５と、ウェハ２を撮像し、溝が撮像された撮像データを取得する撮像素子１２１と、撮像データに基づいて、溝に対して所定の位置に改質領域が形成されるように、載置台１０７及びレーザ光源１０１を制御する制御部１２７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び電子装置の微細接合部の接合信頼性を飛躍的に向上させる。
【解決手段】はんだ接合される電極パッドまたはリード部以外は耐熱性有機絶縁保護膜で覆われているチップ、ウエハー、インターポーザー（配線基板）、または実装基板の露出している全ての微小狭ピッチで電極パッドまたはリードの清浄化された金属表面に錫またははんだ粒子を少なくとも１個以上散在させた上で、前記粒子を前記パッドまたはリード金属表面に接着させる第１のプロセスと、前記パッドまたはリード金属表面を液温１８０〜３００℃の油系溶媒に溶解しかつ分子構造的に安定かつ少なくともカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を有する有機化合物１〜９５質量％を含有する溶液、次いで酸素濃度５ｐｐｍ以下の低酸素濃度の溶融はんだ液、再び前記有機化合物溶液に接触させる第２のプロセスを経てバンプまたははんだ皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプが形成された半導体装置をより正確に検査すること。
【解決手段】水に対する溶解度が０．０１重量％以上６．８重量％以下である溶剤と、有機酸とその有機酸を中和し水への溶解度が５重量％以上であり導電性金属との配位結合を有するアミンとを備えているはんだ付け用フラックスとともにはんだボールが加熱されることにより形成されるはんだバンプ７の表面を被覆するフラックス残渣は、水溶性を有し、水洗により容易に除去されることができる。さらに、水洗によりアミンと配位結合していた導電性金属がはんだバンプ７の表面に析出する。このため、このような装置は、はんだバンプ７に接触するコンタクトピン１１を用いてはんだバンプ７が適用された半導体装置１０を検査するときに、コンタクトピン１１が絶縁体により汚染されることを低減し、コンタクトピン１１とはんだバンプ７とのより確実に電気的に接触させることができ、半導体装置１０をより正確に検査することができる。 （もっと読む）

【課題】 構造が小型、簡単で高速移動ができ、従って生産効率が高く、しかもメンテナンス頻度が極めて少なく、維持が容易で安価に得ることができる溶融金属吐出装置の提供を目的とする。
【解決手段】 溶融金属吐出装置は、第１の開口が下端に設けられ、第２の開口が第１の開口よりも上側に設けられているシリンジ筒と、シリンジ筒の第２の開口に挿入され、往復運動するピストンと、ピストンが挿入されたシリンジ筒を昇温する第１の加熱装置と、シリンジ筒の第１の開口と対向し、接合金属が収容される貯留槽と、貯留槽を昇温する第２の加熱装置とを備えている。ピストンの外周またはシリンジ筒の内周に溝部が設けられていて、溝部の全周に貯留槽に収容された接合金属と同じ成分の接合金属が配設されている。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセス中にかかる応力によって割れることがないシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハをラッピングする工程と、ラッピングされたウェーハの裏面に深さ１０μｍ以上のレーザマークを印字する工程と、レーザマークが印字された前記ウェーハをエッチングする工程を有している。エッチング工程では、レーザマークの深さｘ（μｍ）がｘ≦６０のときｙ≧４を満たし、ｘ＞６０のときｙ≧０．００１ｘ^２−０．１１８６ｘ＋８．０６４３を満たすようにそのエッチング量ｙ（μｍ）が制御される。 （もっと読む）

【課題】はんだをワークピースに付着させるための方法および装置を提供する。
【解決手段】ワークピースに付着させるはんだは、はんだ付け温度Ｔ_Ｌでかつ超音波の作用下ではんだ付けが行なわれる。前記ワークピースを壊さずに問題なくはんだ付けを行なうために、前記はんだを加熱手段５０によって加熱し、搬送手段によって前記ワークピースを弾性的に支持し前記はんだは付着され、かつ前記超音波の作用下ではんだ付けが行なわれる。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を低減させるはんだ接合方法としてスクラブ法がある。しかし、接合する部品の形状等によっては、単純にスクラブ法を用いることができない場合がある。
【解決方法】上記課題を解決するために、金属板とベースとなる金属面とで板状はんだを挟み込んだ状態で金属板をベースに向かって付勢しながらねじで固定するねじ固定ステップと、固定ステップにてベースに向かって付勢しながら金属板が固定された状態ではんだ溶融温度まで昇温する昇温ステップと、同様に付勢しながら昇温ステップにて溶融状態にあるはんだを固化するために常温まで降温する降温ステップとからなる板状はんだによる面密着接合方法などを提供する。 （もっと読む）