【課題】ボイドの発生を低減させるはんだ接合方法としてスクラブ法がある。しかし、接合する部品の形状等によっては、単純にスクラブ法を用いることができない場合がある。
【解決方法】上記課題を解決するために、金属板とベースとなる金属面とで板状はんだを挟み込んだ状態で金属板をベースに向かって付勢しながらねじで固定するねじ固定ステップと、固定ステップにてベースに向かって付勢しながら金属板が固定された状態ではんだ溶融温度まで昇温する昇温ステップと、同様に付勢しながら昇温ステップにて溶融状態にあるはんだを固化するために常温まで降温する降温ステップとからなる板状はんだによる面密着接合方法などを提供する。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだ粉末及びフラックスを含有するソルダペーストにおいて、端子と導電性接続ピンを接合する際のリフロー温度を下げることができる上、パッケージ部品を実装した後のピン立て性を向上できるソルダペーストと、これを用いたピングリッドアレイパッケージ用基板及びピングリッドアレイパッケージと、ピングリッドアレイパッケージ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ピングリッドアレイパッケージ用のソルダペースト(4)であって、Ｓｎ／Ｓｂ系鉛フリーはんだ粉末と、フラックスとを含有し、前記Ｓｎ／Ｓｂ系鉛フリーはんだ粉末は、第一のはんだ粉末と、前記第一のはんだ粉末よりも融点が高い第二のはんだ粉末とを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ／Ａｌクラッド材の接合温度を低下させることによって、使用温度域における残留熱応力を低減し、接合部の信頼性を向上させることができる接続材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇを含有するＡｌ系合金層２と、Ａｌ系合金層２の両面に隣接するＺｎ層３，４とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】レーザーを用いた除去加工において、除去したワークの屑がワークの被加工面に付着することを防止する。
【解決手段】ワークＷの被加工面Ｗ１にパルスレーザー３ａを照射して被加工面をアブレーション加工する場合において、ワークＷの被加工面Ｗ１を下に向けて被加工面Ｗ１の下側に空間２０を有した状態でワークＷの外周を保持する保持し、被加工面Ｗ１の反対面からワークＷを透過する波長のパルスレーザー３ａを被加工面Ｗ１で焦点を結ぶように照射することによって被加工面Ｗ１の一部をアブレーション加工して加工屑６を落下させ、加工屑６が被加工面Ｗ１に付着しないようにする。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】非平面が堅いキャリア上に直接形作られることを可能にする非平面要素を製造するための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、ハイブリダイゼイションカラムによりキャリア上に柔軟な要素を適合させる段階であって、各カラムは第１高さを有し、及び柔軟な要素及びキャリアのそれぞれに追加される半田材料に対してぬれ性の二つの表面の間に形成された半田材料の体積を含んでおり、ぬれ性の表面は半田材料に対して非ぬれ性の領域により囲まれており、ぬれ性の表面及び半田材料の体積はカラムが形成される位置でキャリアに対して柔軟な要素に求められる第２高さに応じて決定され、そのようにしてカラムは、材料の体積がその融点より高いか等しい温度に導かれるとき、第１高さから第２高さまで変化する段階と、カラムの半田材料の体積を、それを溶解するために前記材料の融点より高いか等しい温度まで加熱する段階と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】はんだ接合中の加熱チャンバ内のカルボン酸含有ガスの濃度を、リアルタイムに継続して観測し、はんだ接合にバラツキが発生するのを防止して、はんだ接合の信頼性を高めることである。
【解決手段】リフロー部のチャンバに接続されたカルボン酸含有ガス濃度を計測する計測部と、計測部の計測キャビティ内に設置された半導体式ガスセンサと、この半導体式ガスセンサで計測された信号に基づきカルボン酸含有ガス濃度を算出する信号処理部と、信号処理部で算出されたカルボン酸含有ガス濃度のデータを表示する表示器を備えたはんだ接合装置である。 （もっと読む）

【課題】一方の金属部材を他方部材に接合しても、長期にわたって接合の信頼性を得る金属部材の接合方法及び接合金属部材ユニットをもたらす。
【解決手段】平面視で平行状の対向２辺を有したリッド３をパッケージ本体２に接合する際に、前記対向２辺で、各辺の中央付近から当該辺の一方の端部ア、エまでローラー電極４、４を通電しつつ押圧移動して接合Ａ１、Ａ１を行う一端方向接合工程と、各辺の前記中央付近から当該辺に沿って前記移動の方向とは反対方向の他方の端部イ、ウまでローラー電極４、４を通電しつつ押圧移動して接合Ａ２、Ａ２を行う他端方向接合工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】接合基板に発生する反りをより低減すること。
【解決手段】第１基板の第１基板表面と第２基板の第２基板表面とに粒子を照射することにより、その第２基板表面とその第１基板表面とを活性化させるステップＳ２と、その第１基板の温度とその第２基板の温度との温度差を小さくするステップＳ３と、所定温度差よりその温度差が小さくなった後に、その第２基板表面とその第１基板表面とを接触させることにより、その第２基板とその第１基板とを接合するステップＳ４とを備えている。このような接合方法によれば、その温度差が所定温度差より小さくなる前に接合された他の接合基板に比較して、その第２基板とその第１基板との熱膨張に起因する反りをより低減することができる。 （もっと読む）