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国際特許分類[B23K101/40]の内容

国際特許分類[B23K101/40]に分類される特許

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【課題】セラミック容器に対する溶接リングの仮付けを高速で行える溶接リングの仮付け装置等を提供する。
【解決手段】供給される溶接リング30を保持する保持機構120を有し、溶接リング30を電子部品容器20まで搬送する搬送装置400と、この保持機構120によって保持されている溶接リング30に対して糊材を塗布する塗布装置600を備えるようにした。結果、糊材が塗布された溶接リング30を、糊材が乾燥する前に、電子部品容器20に搭載することで、溶接リング30を電子部品容器20に確実に仮付けする。 (もっと読む)


【目的】高濃度のカルボン酸含有ガスを供給できるガス発生装置を備えるはんだ接合装置を提供する。
【解決手段】ガス発生装置20が、容器21と、容器21に形成された送液管23および送気管24と、カルボン酸22およびキャリアガスを含むカルボン酸含有ガス25を容器21外へ供給するため形成されたガス取り出し部26と、カルボン酸22の温度を制御するため容器21の外側に設置された温度制御手段27と、カルボン酸22の液面22aを検知する液面検知手段28とを備える。 (もっと読む)


【課題】 3次元実装のプロセスに親和性のある、高精度のアライメントを提供すること。
【解決手段】 複数のシリコンチップ間においてはんだバンプが溶融した場合に、複数のシリコンチップ同士の横方向の相対的な動きを規制する複数のスタッド(40)の組合わせであって、複数のシリコンチップ間に配置される複数のはんだバンプ(10)のピッチに従い、これらの横方向の位置をリファレンスにして横方向位置が決定されていて、複数のシリコンチップが横方向に相対的に移動した場合に相対的に動きが規制されて、複数のシリコンチップのそれぞれに設定された複数のはんだバンプ同士の横方向位置が(高さ方向において)整列するように、一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップにおいて複数のスタッド(40)が設けられる。 (もっと読む)


【課題】 鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、金属材料の溶融温度が260℃以上であり、鉛及び金を主成分とした金属合金を代替する接合材料として、被接合部に物理蒸着法により形成されるSnと、前記Snより高融点を有する金属材料とからなる接合層を、他方の被接合部に接合することにより、300℃以上450℃以下の温度範囲において、良好な接合状態が確保でき、かつ高い高温強度を維持することを可能とした。 (もっと読む)


【課題】従来のフォームはんだ製造方法は、所定量の金属粒を直接溶融はんだ中に投入してから金属粒を分散させるため、フォームはんだ中にフラックスが微量残っていた。そのため従来のフォームはんだ製造方法で得られたフォームはんだではんだ付けを行うとボイドが発生したり、部品が傾斜したりして充分な接合強度が得られなかった。
【解決手段】本発明では、熱分解可能なフラックスと高融点金属粒からなる混合物で混合母合金を作製し、さらに混合母合金を大量の溶融はんだに投入・攪拌してビレットを作製する。そして該ビレットを押出、圧延、打ち抜き工程を経てペレットやワッシャーにする。 (もっと読む)


【課題】基板等に鑞材を介して接合される接続端子の傾きを改善することができる半導体装置の提供。
【解決手段】本発明は、接続端子を備える半導体装置1であって、接続端子140は、基板、又は、基板上に配置される1つの半導体素子である接合対象物に、それぞれ鑞材を介して接合される2つの脚部142と、2つの脚部142に接続され、基板又は1つの半導体素子から離間しつつ2つの脚部間を延在する連結部141と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 無溶剤の熱可塑性残渣を生成し、その熱可塑性残渣がアンダーフィル成分と反応して熱硬化性樹脂を形成する無洗浄フラックス、を提供すること。
【解決手段】 フラックス活性剤としてジカルボン酸、樹脂成分として平均官能基数が約2.0を有するエポキシのプレポリマー、および粘度調整剤として沸点260度以下の溶剤を含む無洗浄フラックスが、リフロー時にはんだの酸化膜を除去するとともに、ガラス転移温度が100℃以下でアンダーフィル塗布時に液状となる熱可塑性エポキシ硬化物を形成する。粘度調整剤としての溶剤は、リフロー中にそのほとんど全量が揮発し、リフロー後、洗浄することなく、アンダーフィルを塗布する際、その硬化物はアンダーフィルと相溶してアンダーフィルに含まれる硬化剤と反応し、アンダーフィルとともに3次元架橋構造を形成できる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置をはんだ槽に満たされた溶融はんだに浸漬することで、前記半導体装置の電極にはんだを付着させるはんだ付け方法において、はんだ付けの効率、及び、はんだ付け後の半導体装置の歩留まりを向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置10を溶融はんだ12Aに浸漬する前、及び、半導体装置10を溶融はんだ12Aから引き上げる前のみに、溶融はんだ12Aの液面12cに配された超音波振動子4によって超音波を液面12cに印加することにより、液面12cを振動させて液面12c近傍の溶融はんだ12Aをはんだ槽2の外側に溢れ出させるはんだ付け方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】加圧加熱部材からの熱が加工対象物へ急激に伝達してしまうことに起因する不具合の発生を抑制する。
【解決手段】加圧加熱装置200は、加工対象物(例えば、積層体2)を両側から挟み込んで加圧及び加熱する第1及び第2加圧加熱部材56、52と、劣熱伝導部材55と、を有する。劣熱伝導部材55は、第1加圧加熱部材56よりも熱伝導率が低い材料により構成され、第1加圧加熱部材56と加工対象物との間に配置される。 (もっと読む)


【課題】接合作業や、リワーク作業に伴って発生する熱の影響を低減する。
【解決手段】回路基板1上の電極パッド3に接合材料10を塗布によって形成する。接合材料は、電磁波吸収体11と、温度制御体12と、溶融金属13と、活性成分14とが含まれている。バンプ22を電極パッド3に接合するときは、電磁波を照射する。接合材料10中の電磁波吸収体11が発熱することで溶融金属13とバンプ22の下部を溶融させる。これによって、電極パッド3にバンプ22が接合される。接合材料10は温度制御体12が含まれているので、過剰な温度上昇が抑えられ、電極パッド3以外の領域の回路基板1の温度上昇が低くなる。 (もっと読む)


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