【課題】 水素エチレン混合ガスを鋼材のガス圧接に適用し、作業性を向上させた、鋼材のガス圧接方法を提供する。
【解決手段】
鋼材のガス圧接方法において、鋼材１，２を突き合わせ、この鋼材１，２の突合せ部３に酸素ガスとともに水素エチレン混合ガスを吹きつけ、水素エチレン混合ガス炎にてこの鋼材１，２の突合せ部３を加熱するとともにこの鋼材１，２を加圧し、この鋼材１，２の接合を行う。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ−Ｃｕ系合金やＡｌ−Ｓｉ系合金から、複数の同形状又は異形状の単純なソリッド形状で押出した押出材を組み合わせて、中空部を有する押出材や非対称形材の押出材を提供する。
【解決手段】Ｓｉ：１．０〜５．０ｍａｓｓ％及びＣｕ：３．０〜６．０ｍａｓｓ％の少なくともいずれかと、Ｍｇ：０．２５〜１．８ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金の一つ又は複数の鋳塊から複数の押出材を押出成形する工程と、当該複数の押出材を組み合わせる工程と、当該複数の押出材の各々において押出材の全質量に対する内部に生成する液相の質量比が５〜３５％となる温度で組み合わせた押出材を接合する工程と、を含むことを特徴とする組み合せ押出材の製造方法、ならびに、当該製造方法に用いる組み合わせ押出材の製造装置。 （もっと読む）

【課題】ワイヤを低荷重で被接合部に接合する。
【解決手段】芯線１２が銅被膜１４で被覆されたワイヤ１０と電極２６との間に、酸化銅が溶出する溶液３０を充填し、銅被膜１４の最表面および電極２６の最表面に形成された酸化銅を溶液３０中に溶出させる。プレス機を用いてワイヤ１０を変形させてワイヤ１０と電極２６との接合面積を増大させるとともに、ワイヤ１０と電極２６とを加圧しつつ、２００℃〜３００℃の比較的低温な条件下で加熱することにより、ワイヤ１０と電極２６とを接合する。 （もっと読む）

【課題】電子装置の放熱装置において、放熱装置と発熱源との接合部分の熱疲労によるクラック発生を防止する。
【解決手段】放熱装置１は、放熱フィンなどの放熱部１１２を設けた放熱部材１１を有し、放熱部材１１の放熱部１１２の反対側の面に導熱部１１１を形成して、セラミック本体１２を接続する。放熱装置１の導熱部１１１はセラミック本体１２を介して発熱源と接合することにより、両者は熱膨張係数がほぼ等しいため、熱疲労を解消できる。
放熱部材１１とセラミック本体１２とは半田接合などにより直接接合される。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールにおけるリードと基板配線パターンを超音波接合する構造において、大面積の接合面を絶縁基板の損傷を防止しつつ良好な接合を可能にし、良好な放熱性を兼ね備えさせる。
【解決手段】
表面に複数の配線パターンが形成された基板と、この基板に搭載されて複数の配線パターンのうちの一部の配線パターンに電気的に接続された半導体素子と、複数の配線パターンのうちの他の配線パターンと電気的に接続されたリードを有する端子部を備えたパワーモジュールを、端子部のリードは他の配線パターンの材料と同等もしくは柔らかい材料を含む複数の金属部材を積層して構成されており、複数の金属部材のうち他の配線パターンの材料と同等もしくは柔らかい材料が他の配線パターンと超音波接合により電気的に接続されるように構成した。 （もっと読む）

【課題】静電チャックに基板をより確実に保持させること。
【解決手段】ジグ４１は、第１基板５１に固定される。静電チャック１４は、静電力によりジグ４１を保持することにより、第１基板５１を保持する。接合機構１５は、ジグ４１が静電チャック１４に保持されているときに第１基板５１を第２基板３１に接触させることにより、第１基板５１を第２基板３１に接合する。このような常温接合装置は、第１基板５１が静電チャック１４に直接に保持されにくい場合でも、ジグ４１が静電チャック１４に直接に保持されるように作製されているときに、静電チャック１４に第１基板５１をより確実に保持させることができ、第２基板３１に第１基板５１をより適切に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】金属粉の発生、被接合物の破損および電極の消耗を抑える。
【解決手段】溶接装置は、金属からなる複数枚の板の積層体である被接合物３と当接する電極１０ａと、被接合物３を挟んで電極１０ａと対向する電極１０ｂと、電極１０ａ，１０ｂのうち少なくとも一方を加圧し、被接合物３を電極１０ａ，１０ｂによって挟持させる加圧機構と、電極１０ａ，１０ｂの、被接合物３と当接する先端部の温度を測定する温度測定手段と、電極１０ａ，１０ｂに電流を供給する溶接電源２とを備える。電極１０ａ，１０ｂは、モリブデン、タングステン、鉄、ニッケル、チタンのうち少なくとも１つの元素を含む金属または合金からなる。溶接電源２は、電極１０ａ，１０ｂの先端部の温度が被接合物３の融点未満の温度になるように電極１０ａ，１０ｂへの通電量を制御する。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造のｐｎ接合において、電子が妨げられることなく注入されるようにする。
【解決手段】Ｇａを含む窒化物半導体からなるｎ型の窒化物半導体層１０１と、窒化物半導体層１０１に接合して形成されたｐ型のシリコンからなるｐ型シリコン層１０２とを少なくとも備える。窒化物半導体層１０１とｐ型シリコン層１０２とは、接合界面１０３により接合している。 （もっと読む）

【課題】常温接合装置をより小型化すること。
【解決手段】複数のビーム源１７−１〜１７−４、１８−１〜１８−４と、複数のビーム源１７−１〜１７−４、１８−１〜１８−４のうちの一部のビーム源が粒子を出射するように、かつ、その一部のビーム源を除くビーム源が粒子を出射しないように制御する制御装置とを備えている。このような常温接合装置は、複数のビーム源１７−１〜１７−４、１８−１〜１８−４の全部が一斉に粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することができる大型の真空排気装置を備える必要がなく、その一部のビーム源だけが粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することができる小型の真空排気装置を備えることにより、よりコンパクトに作製されることができる。 （もっと読む）

【課題】拡散をベースとする結合により結合された多部品出力構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】電気自動車に用いるための多部品出力構造体を形成する方法であって、半導体ダイ１１０、第一の金属層１２４と第二の金属層１２６を有する絶縁性基板１２０、及び液体冷却用のサーマルデバイス１５０を準備すること、導電性及び熱伝導性である第一の一時的液相ボンドにより半導体ダイ１１０と第一の金属層１２４を結合させること、第二の金属層１２６とサーマルデバイス１５０の間に母材系を固定すること、ここでこの母材系は比較的融点の低い低温材料と比較的融点の高い高温材料を含み、この比較的低い融点は比較的高い融点よりも低い、母材系を比較的低い融点よりも高く、比較的高い融点よりも低い融点に加熱して低温材料を高温材料中に拡散させること、母材系を固化させて導電性及び熱伝導性である第二の一時的液相ボンドを形成することを含む。 （もっと読む）