【課題】接合材の合金組成を最適化することで、液相拡散接合後の接合部品質を向上できる液相拡散接合用合金を提供する。
【解決手段】原子％で、Ｃｏ：１〜２０％、Ｂ：１０〜２２％、Ｗ、Ｍｏの片方又は両方の合計：１〜１０％、Ｆｅ：１０％以下を含有し、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなることを特徴とする液相拡散接合用のＮｉ系合金である。また、さらに、Ｃｒ：０．１〜２０％、Ｖ：０．１〜１０％の１種又は２種を含有する液相拡散接合用のＮｉ系合金である。 （もっと読む）

【課題】接合材の合金組成を最適化することで、液相拡散接合後の接合部品質を向上できる液相拡散接合用合金を提供する。
【解決手段】原子％で、Ｎｉ：１０％未満、Ｂ：１０〜２２％、Ｗ、Ｍｏの片方又は両方の合計：１〜１０％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなることを特徴とする液相拡散接合用Ｆｅ系合金である。また、さらに、Ｃｒ：０．１〜２０％、Ｖ：０．１〜１０％の１種又は２種を含有する液相拡散接合用Ｆｅ系合金である。 （もっと読む）

【課題】軽量化を図ると共に、あらゆる方向からの捩り力、引張り力、曲げ力あるいは圧縮力に対しても、接合強度が高く、高剛性で、製造的にもコスト的にも有利な、車両用部品の構造を提供する。
【解決手段】アルミダイキャスト製のトレーリングアーム１と鋼板製のトーションビーム２相互間に鋼板製の中間部材１１を設け、中間部材１１の一端部をトーションビーム２と溶接接合し、他端部１１ａをトレーリングアーム１のダイキャスト成形時に一体的に鋳包むように構成した車両用部品であり、中間部材１１は、一端部が筒状をしたトーションビーム２の端部と内接若しくは外接するように成形され、鋳包み部１２が、中間部材１１の軸線と並行に伸延する直状管部１１ｄと、直状管部１１ｄの少なくとも端部１１ｂに形成された段付き部１１ｅと、を有するように形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接合材の合金組成を最適化することで、液相拡散接合後の接合部品質を向上できる液相拡散接合用合金を提供する。
【解決手段】原子％で、Ｎｉ：１０％未満、Ｃｏ：１〜２０％、Ｂ：１０〜２２％、Ｗ、Ｍｏの片方又は両方の合計：１〜１０％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなることを特徴とする液相拡散接合用のＦｅ系合金である。また、さらに、Ｃｒ：０．１〜２０％、Ｖ：０．１〜１０％の１種又は２種を含有する液相拡散接合用のＦｅ系合金である。 （もっと読む）

【課題】接合材の合金組成を最適化することで、液相拡散接合後の接合部品質を向上できる液相拡散接合用合金を提供する。
【解決手段】原子％で、Ｂ：１０〜２２％、Ｗ、Ｍｏの片方又は両方の合計：１〜１０％、Ｆｅ：１０％未満を含有し、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなることを特徴とする液相拡散接合用Ｎｉ系合金である。また、さらに、Ｃｒ：０．１〜２０％、Ｖ：０．１〜１０％の１種又は２種を含有する液相拡散接合用Ｎｉ系合金である。 （もっと読む）

【課題】プロセス温度の低温化とプロセス時間の短縮化可能な積層化高融点半田層およびその形成方法、およびこの積層化高融点半田層を適用した半導体装置を提供する。
【解決手段】低融点メタル薄膜層８１と、低融点メタル薄膜層８１の表面および裏面に配置された高融点メタル薄膜層８２とを有する３層構造を複数積層化した積層化構造８０と、積層化構造８０の表面に配置された第１高融点メタル層１ａと、積層化構造８０の裏面に配置された第２高融点メタル層１ｂとを備え、低融点メタル薄膜層８１と高融点メタル薄膜層８２、積層化構造８０と第１高融点メタル層１ａおよび第２高融点メタル層１ｂは、液相拡散接合によって互いに合金化された積層化高融点半田層５、およびこの積層化高融点半田層５を適用する半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】基板同士を接合する前に、当該基板の表面を適切に改質する。
【解決手段】表面改質装置３０は、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを収容する処理容器１００と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを載置する載置台１１０と、プラズマ生成用のマイクロ波を供給するラジアルラインスロットアンテナ１２０と、処理領域１１０内に処理ガスを供給するガス供給管１３０と、処理容器１００内をプラズマ生成領域Ｒ１と処理領域Ｒ２に区画するように設けられたイオン通過構造体１４０と、を有している。イオン通過構造体１４０は、所定の電圧が印加される一対の電極１４１、１４２を備え、当該イオン通過構造体１４０には、プラズマ生成領域Ｒ１から処理領域Ｒ２に処理ガスのイオンが通過する開口部１４４が複数形成されている。 （もっと読む）

【課題】 金属体表面にパターンを形成する方法において、パターン形成後の金属体表面の面一性を保ちつつ、より正確で審美性の高いパターン形成を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】 、展延された多層状金属体１４の表面に、階段状の外側から内側に近づくに従って、金属層１２ｈ，１２ｇ，１２ｆ，．．．のうちより下層の金属層に達するパターン形状の凹部１６を形成する。凹部１６は、階段状に形成され、最内側は表面から金属層１２ｆの内部に達し、その外側は表面から金属層１２ｆの上面まで達し、最外側は１２ｇは金属層１２ｇの上面まで達している。凹部１６を形成するために除去した金属が内部に残り、それが最終的に得られるパターン部分１８に生じてしまうことを効果的に抑制し、所望のパターンを安定して形成することができる。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせプロセス時のウェハの局所的な変形を低減する半導体製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態によれば、第１及び第２の半導体基板の接合面同士を一点接触させて周囲に接合を進展させて第１及び第２の半導体基板を全面で接合する半導体製造装置である。半導体製造装置は、第１の半導体基板の外周部分を支持するステージと、第２の半導体基板の接合面とステージに支持された第１の半導体基板の接合面とを対向させて、第２の半導体基板を保持する基板支持装置と、接合面同士を対向させた第１及び第２の半導体基板の法線方向の同軸上に、法線方向に移動可能にそれぞれ配置された第１及び第２の圧子と、第１の圧子を第１の半導体基板の接合面と反対側の面と接触させ、その後、第２の圧子で第２の半導体基板の接合面とは反対側の面の一点を予め定められた圧力で加圧して接合開始点を形成するコントローラと、を備える。 （もっと読む）

【課題】精度よく位置決めされた積層基板を製造する基板貼り合わせ装置。
【解決手段】基板貼り合わせ装置であって、複数の基板を互いに位置決めする位置決め部と、位置決め部により位置決めされた複数の基板を接合する複数の接合部と、位置決め部により位置決めされた複数の基板を複数の接合部に搬送する搬送部と、複数の接合部のうち位置決め部により位置決めされる複数の基板が搬送される接合部を特定する特定部とを備え、位置決め部は、特定部により特定された接合部における接合過程で基板間に生じる位置ずれ量に対応して位置決めする。 （もっと読む）