【課題】ウエハの貼り合せずれがなくウエハの間に異物が混入することなく接合することができる生産性が向上されたウエハの接合方法を提供する。
【解決手段】ウエハの主面同士を接合するウエハの接合方法であって、貫通孔が形成されている平板部と平板部の一婦の主面の縁に沿って平板部との接触面がＬ字形状となるように設けられているＬ字壁部とからなる接合用ジグにウエハを搭載するウエハ搭載工程と
、接合用ジグに搭載されているウエハにエキシマ照射ランプから放射された光を照射する照射工程と、貫通孔から吸引してウエハを接合用ジグに保持したまま一方の接合用ジグのＬ字壁部の面と他方の接合用ジグの平板部の側面とが接するように配置する接合用ジグ配置工程と、ウエハの面を接触させウエハを貼り合わせる貼り合わせ工程と、接合用ジグから貼り合わせた前記ウエハを取り外す取り外し工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄またはエッチングにより面を洗浄、活性化することを含む低温または室温で結合する方法を提供する。
【解決手段】方法は、シリコン、シリコン酸化物およびＳｉＯのような材料の室温化学結合をなすように可逆的反応を防ぐために界面高分子化の副産物を除去することを含む。結合すべき面は、滝度合の平滑性および平坦性に研磨される（２）。ＶＳＥは、結合される面を僅かにエッチングするためにリアクチブイオンエッチングまたは湿式エッチングが用いられる（３）。表面粗さおよび平坦性は、落ちず、かつＶＳＥプロセスにより増加される。エッチング面は、水酸化アンモニウム、フッ化アンモニウムのような溶液でリンスされ、前記面上の望ましい結合化学種の形成を助長する（４）。 （もっと読む）

【課題】金属ガラスを含むアモルファス金属を用いて、接合方法及び電子部品のパッケージを提供する。
【解決手段】第１の被接合部材２と第２の被接合部材４との間にアモルファス金属３を配設する工程と、アモルファス金属３をアモルファス金属３の結晶化温度領域迄加熱する加熱工程と、を含み、加熱工程の結晶化温度領域で第１の被接合部材２と第２の被接合部材４とをアモルファス金属３を介して接合する。アモルファス金属３を、スパッタ、蒸着、鍍金、プリンティング、溶射、及び噴射の何れかの方法で第１の被接合部材２及び第２の被接合部材４の少なくとも一方に堆積してもよい。アモルファス金属３の結晶化温度領域における発熱現象によって第１及び第２の被接合部材２，４をアモルファス金属３を介して接合できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基体同士が張り合わされた構成を有する半導体装において、接合精度の向上を可能とする。
【解決手段】第１半導体基体３１と、第２半導体基体４５とを備え、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側と、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側が接合されている。そして、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側、第１半導体基体３１の第２主面３１Ｂ側、及び、第２半導体基体４５の第２主面４５Ｂ側から選ばれる少なくとも１つ以上に形成されている反り補正層１３，１４を備える半導体装置７９を構成する。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高いＣｕ−Ｃｕ接合界面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、第１の配線１８を含む第１半導体部１０と、第１半導体部１０と貼り合わせて設けられ、第１の配線１８と電気的に接合された第２の配線２８を含む第２半導体部２０とを備える構成とする。さらに、半導体装置１は、酸素に対して水素よりも反応し易い金属材料と酸素とが反応して生成された金属酸化物１７ｂを備える。そして、この金属酸化物１７ｂを、第１の配線１８及び第２の配線２８の接合界面Ｓｊ、並びに、第１の配線１８及び第２の配線２８の少なくとも一方の内部を含む領域に拡散させた構成とする。 （もっと読む）

【課題】割れ、きず等の欠陥が発生する原因となる酸化物を十分に低下させる。
【解決手段】本発明に係るガス圧接方法においてはまず、２本の鉄道用レール１，１の端面２，２にそれぞれ凹部５を形成する（ステップ１０１）。次に、２本の鉄道用レール１，１をそれらの端面２，２で突き合わせる（ステップ１０２）。このようにすると、鉄道用レール１，１の端面２，２は、その中央３，３において互いに当接されるとともに、周縁４，４において互いに離間し、周縁４，４の間には、凹部５，５が一体となった間隙１１が溝状に形成される。次に、鉄道用レール１，１に材軸圧縮方向の加圧力を作用させながら、それらの突き合わせ箇所を酸素ガス及びアセチレンガスからなる燃焼炎で加熱する。加熱の際には、端面２，２間の間隙１１に燃焼炎を吹き込む（ステップ１０３）。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を確保しつつ、比較的低温でかつ簡便な方法で銅同士を接合することができる金属の接合方法を提供する。
【解決手段】第１の基材部１２（銅）を被覆する第１の被膜部１４（酸化銅）と第２の基材部２２（銅）を被覆する第２の被膜部２４（酸化銅）との間に、第１の被膜部１４の酸化銅および第２の被膜部２４の酸化銅が溶出する溶液３０を充填し、第１の被膜部１４および第２の被膜部２４を構成する酸化銅を溶液３０中に溶出させる。溶液３０の圧力が高まるように、プレス機を用いて第１の被接合部１０と第２の被接合部２０とを加圧しつつ、２００℃〜３００℃の比較的低温な条件下で加熱することにより溶液３０中の銅以外の成分を除去して銅を析出させ、第１の基材部１２と第２の基材部２２とを析出した銅により接合する。 （もっと読む）

【課題】基板同士の接合の良否を検査し、基板接合後の処理を円滑に行う。
【解決手段】上ウェハと下ウェハを接合する（工程Ｓ１〜Ｓ１３）。その後、下部チャックを所定の位置に配置した後、上部チャックにおいて上ウェハに対する真空引きを行い、吸引管の内部の圧力に基づいて、上ウェハと下ウェハの接着の良否を判定する（工程Ｓ１４）。その後、工程Ｓ１４において正常と判定された場合、下部チャックを所定の位置に配置した後、上部チャックにおいて上ウェハに対する真空引きを行い、吸引管の内部の圧力に基づいて、上ウェハと下ウェハの接合強度の良否を判定する（工程Ｓ１５）。工程Ｓ１４と工程Ｓ１５では、吸引管の内部の圧力が所定の閾値より大きい場合に正常であると判定し、吸引管の内部の圧力が所定の閾値以下である場合に異常であると判定する。 （もっと読む）

【課題】基板を押圧する際の荷重を適切に制御し、基板同士の接合を適切に行う。
【解決手段】接合装置は、下面に上ウェハＷ_Ｕを吸着保持する上部チャック２３０と、上部チャック２３０の下方に設けられ、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して吸着保持する下部チャック２３１と、を有している。上部チャック２３０には、上ウェハＷ_Ｕの中心部を押圧する押動部材２５０が設けられている。押動部材２５０は、上ウェハＷ_Ｕの中心部と当接して当該上ウェハＷ_Ｕの中心部にかかる荷重を制御するアクチュエータ部２５１と、アクチュエータ部２５１を鉛直方向に移動させるシリンダ部２５２とを有している。アクチュエータ部２５１には、当該アクチュエータ部２５１に対して所定の圧力の空気を供給する電空レギュレータが設けられている。 （もっと読む）

【課題】接合部を介して接合されたｃＢＮ製切れ刃部とＷＣ基超硬製インサート本体とを有するｃＢＮインサートにおいては、より一層すぐれた接合強度を有するｃＢＮインサートを提供する。
【解決手段】ｃＢＮ製切れ刃部とＷＣ基超硬製インサート本体との接合部にｃＢＮ製切れ刃部側にＰｄ：１〜２０ａｔ％、Ｓｉ：０．５〜１５ａｔ％および不可避成分としてのＷ、Ｃｏ、Ｂ、Ｃのうち少なくとも１種、残部Ｎｉからなる厚み５μｍ以上の拡散層と、ＷＣ基超硬製インサート本体側にＰｄとＳｉとを主成分とするＷＣブリッジ形成相とを形成したことによって、前記の課題を解決するものである。 （もっと読む）