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国際特許分類[B23K26/36]の内容

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【課題】微細な金型面を形成することのできる金型加工方法を提供する。また、エンブレムのマークの角部の先端に曲面が形成されることなく所望通りの尖鋭な角度に形成でき、これにより意匠的効果を図ったエンブレムの形成方法を提供する。
【解決手段】金型の金型面(10)の切削加工を、フェムト秒レーザーを用いることによって行う。また、フェムト秒レーザーによって金型面(10)の切削加工がなされた金型を用いて、エンブレムを成型する。 (もっと読む)


【課題】光の進行方向の制御が可能で、薄型化および量産化が容易な光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光装置は、発光素子と、発光素子を覆うように設けられ、放出光の光軸を含む中心部と、中心部を取り囲む内側面と外側面とを含む凸部と、を有する封止層と、を有する。光軸に対して垂直な方向における内側面の上端部と内側面の下端部との水平距離は、光軸に対して平行な方向における内側面の上端部と内側面の下端部との垂直距離の0.1倍以上、1.5倍以下であり、光軸に対して垂直な方向における外側面の上端部と外側面の下端部との水平距離は、光軸に対して平行な方向における外側面の上端部と外側面の下端部との垂直距離の0.1倍以上、1.5倍以下である。外側面は外側に向かって凸であり放出光を光軸の側に屈折可能である。 (もっと読む)


【課題】金属成形体と樹脂成形体との接合強度が高められた複合成形体が得られる製造方法の提供。
【解決手段】金属成形体10の接合面に対して、ドット状の独立した複数の孔11を形成するようにレーザー照射する工程と、ドット状の独立した複数の孔11を形成した金属成形体10の接合面を含む部分を金型内に配置して、前記樹脂成形体となる樹脂をインサート成形する工程を有する複合成形体の製造方法であって、レーザース照射工程において1つの孔11を形成するとき、前記孔の開口部径(D)と前記孔の深さ(dep)との比(dep/D)が1.0〜10の範囲になるようにする、複合成形体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 汚染物の内側に侵入したRIでも除去できる充分なエネルギー密度を確保することができ、また汚染物の表面に凹凸がある場合でも照射ムラが生じず、レーザ加工時の熱的影響によるRIの拡散や再汚染もなく、しかも、コスト面や環境面、作業効率の面でも優れたレーザー除染装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ発振器1と;XY軸スキャナ21及びZ軸スキャナ22を備え、かつ、前記レーザ発振器1から出射されたレーザ光L1をfθレンズ等の複合レンズを介さず汚染物Tの表面上に集光して光走査を行うスキャナ装置2と;前記汚染物Tの表面形状測定装置3とを具備すると共に、
前記スキャナ装置2のZ軸スキャナ22には、表面形状測定装置3で得られた形状データに基づいて、レーザ光L1の焦点が汚染物Tの表面にくるように照射位置に応じて焦点位置を自動的に調整する焦点位置制御部22bを備えて構成した。 (もっと読む)


【課題】レーザ加工方法及びレーザ加工装置において、ハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥を修正する。
【解決手段】レーザ加工方法は、基板上の欠陥の画像を取得する画像取得工程(S2)と、前記画像と予め格納されている参照情報とに基づいて欠陥情報を抽出する欠陥抽出工程(S3)と、前記欠陥情報から前記欠陥がハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥であるか否かを判定する判定工程(S4)と、前記判定工程(S4)にて前記欠陥がハーフトーン欠陥であると判定された場合に前記ハーフトーン部の高さを測定する高さ測定工程(S9,S12)と、この高さ測定工程で高さを測定したハーフトーン部にレーザ光を照射するレーザ光照射工程(S10)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】レーザー光の照射エネルギーの利用効率を上げて一台のレーザーで多点の一括加工を容易に行い得るようにする。
【解決手段】無機絶縁膜2で被覆されたシリコン基板1面にレーザー光を照射して局所的に前記絶縁膜2を除去するレーザー加工方法であって、少なくとも前記基板1の表面を溶融させる程度の強度に設定された紫外域の第1のレーザー光L1を前記基板1面に照射して溶融させ、前記基板1の前記溶融部分MPに前記第1のレーザー光L1の照射と同時に、又は一定の遅延時間を与えて前記第1のレーザー光L1よりも波長が長く、一定強度に設定された第2のレーザー光L2を照射して前記基板材料を蒸発させるものである。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの一部を露出させつつ樹脂で封止してなる半導体パッケージにおいて、外部の異物等による露出部への影響を極力抑える。
【解決手段】半導体チップ10と、半導体チップ10を封止する樹脂20と、を備え、半導体チップ10の一面10aの一部が露出部11として樹脂20より露出している半導体パッケージにおいて、半導体チップ10の一面10a側にて、露出部11の周囲に位置する樹脂20は、露出部11側が広く露出部11から離れるにつれて狭まり且つ頂部が外部に開口する穴22とされた錐体形状をなす空間部21を形成しており、露出部11は空間部21に位置し、穴22を介して樹脂20の外部に露出している。 (もっと読む)


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