説明

国際特許分類[B24B37/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 研削;研磨 (20,708) | 研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給 (15,323) | ラッピング機械または装置,すなわち,比較的柔らかいが剛性のある材料から出来ているラップと,ラップ仕上されるべき工作物表面との間に,浮遊状態にある研磨物質が注ぎ込まれることを要する機械または装置;そのための附属装置 (4,544)

国際特許分類[B24B37/00]の下位に属する分類

国際特許分類[B24B37/00]に分類される特許

1,001 - 1,010 / 3,182


【課題】導体金属とバリヤ金属とを同一のCMP研磨液を使用してワンステップでCMPを終了させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】本発明の化学機械的研磨スラリーは、(1)錯形成剤(溶解剤)、(2)防錆剤、(3)酸化剤、(4)砥粒、(5)電気伝導度上昇のための添加剤としての塩(添加剤)、で構成する。また場合によっては、上記成分に(6)水溶性高分子が添加されていることがある。 (もっと読む)


本発明は、分散媒と、該分散媒中に分散する研磨剤とを含む、塗装表面処理組成物を提供し、前記研磨剤は、12〜55μmの平均粒径、及び5.5〜6のモース硬度を有する。また、この塗装表面処理組成物を使用する、塗装表面処理方法及び塗装表面補修方法も提供される。 (もっと読む)


【課題】直接ウエハーの加工面と接触する層が独立空洞を多数有しており、ウエハー全面に均一な圧力を与えることが可能で、ウエハー表面の加工精度が高く、砥粒の保持密度が十分であり、表面の空孔密度が高く、研磨速度向上効果があり、ドレッシングに要する時間の短縮、及びドレッシング頻度の減少が可能で、厚み精度、形状精度が高精度の平坦性を要求される研磨パッドに適合した裏面にクッション層を設ける必要がない研磨パッドを提供する。
【解決手段】ショアD硬度が50以上、圧縮率が1.3〜5.5%、かつ圧縮回復率が50%以上である合成樹脂製の研磨パッドとする。 (もっと読む)


【課題】研磨レートの低下を抑制しつつ、被研磨物の平坦度を高めることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】アミノ基(NH基)を有する芳香族アミンと、イソシアネート基(NCO基)を有するイソシアネート末端プレポリマーとを反応硬化させた発泡ポリウレタンからなる研磨パッドであって、見かけ密度を、0.60g/cm〜0.90g/cmとしている。 (もっと読む)


【課題】研磨パッドの回転速度を通常使用される回転速度である25rpm〜150rpmの範囲で設定すれば、加工速度の変化が許容される変化割合よりも小さくなる研磨パッド、並びに電解複合研磨装置及び電解複合研磨方法を提供する。
【解決手段】基板表面の金属膜の電解複合研磨に使用される電解複合研磨装置の対向電極上に設置される貫通孔を有する研磨パッド101であって、貫通孔101aの孔径Dが0.1mm〜5mm、厚さhが0.5mm〜5mm、かつ孔径の2乗/厚さ(D/h)が0.002mm〜50mmの範囲であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路の作製において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、ポリシリコン又は変性ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第1層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素から選択された1種を含む第2層と、を有した被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、(1)表面の珪素原子の一部または全部をアルミニウム原子に置き換えたコロイダルシリカ粒子、および(2)有機酸の各成分を含有し、pHが1.5〜7.0であり、且つ、前記第1層に対して前記第2層を選択的に研磨しうる研磨液。 (もっと読む)


【課題】表面加工方法及び装置において、基板表面でのスクラッチの発生を抑制して基板の表面粗さを更に小さくし、且つ、表面の欠陥箇所を更に少なくすることを可能とすることを目的とする。
【解決手段】円筒形状を有する研磨部材を基板表面に接触させた状態で回転させ、基板表面の所定方向に研磨及びテキスチャリングの少なくとも一方の加工を施す表面加工方法において、研磨部材の回転軸に沿った中心部分に設けられた研磨液経路に研磨液を供給し、研磨部材を記回転軸を中心に回転して研磨液を研磨液経路の外側に設けられた発泡体でろ過しつつ基板表面に供給し、発泡体の開口径は研磨液経路側の方が研磨部材の外周側より大きくする。 (もっと読む)


【課題】セリア系研磨剤を用いたCMP技術において、凹凸を持った被研磨膜の凸部を高速に研磨し、かつ被研磨膜に与える研磨傷を低減する研磨剤及びこの研磨剤を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】砥粒として少なくとも4価の酸化セリウム粒子と4価の水酸化セリウム粒子とを含み、媒体として少なくとも水を含む研磨剤であり、酸化セリウム粒子の1次粒径と水酸化セリウム粒子の1次粒径が、それぞれ1nm以上70nm以下であり、研磨剤中での前記酸化セリウム粒子の2次粒径と前記水酸化セリウム粒子の2次粒径が、それぞれ10nm以上400nm以下である研磨剤、及び該研磨剤を用いて被研磨膜を研磨する研磨方法である。 (もっと読む)


【課題】研磨プレートを加圧しながら偏心回転と揺動させガラス基板上を移動させる研磨装置にて、偏荷重によって研磨量に差をもたらすことのない液晶表示装置用カラーフィルタの研磨装置を提供する。
【解決手段】1)研磨プレート12上の長辺両端部上に加圧印可機構K3、K7が、長辺両端部下に逆圧印可機構K11、K15が長辺方向に複数対が設けられ、2)研磨プレート上には加速度センサー11が設けられ、3)a)研磨プレートを移動させる方向の加速度を加速度センサーによって検出し、b)加速度により発生する偏荷重Hに応じて、加圧印可機構及び逆圧印可機構を作動させ偏荷重の影響を防ぎながら研磨する研磨装置。 (もっと読む)


【課題】ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、ポリシリコン又は変性ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液を提供する。
【解決手段】半導体集積回路を作製する際の平坦化工程において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第1層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも1種を含む第2層と、を少なくとも有して構成される被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、下記(1)コロイダルシリカ粒子、(2)有機酸及び(3)アニオン性界面活性剤を含有し、pHが1.5〜7.0であり、且つ、前記第1層に対して前記第2層を選択的に研磨しうる研磨液。 (もっと読む)


1,001 - 1,010 / 3,182