【課題】 研磨後のウェハの厚みばらつきを軽減する。
【解決手段】 センターギアと、このセンターギアを回転軸とする下定盤と、この下定盤の縁側に配置されるインターナルギアと、前記センターギアを回転軸としつつ前記下定盤と向かい合うように配置される上定盤とから構成される研磨装置と、前記研磨装置を内部に配置し研磨で使用した前記溶液を溜める溶液漕と、所定の溶液内にナノバブルを生成するナノバブル発生装置と、前記ナノバブルを含む前記所定の溶液を攪拌する攪拌部と、この攪拌部から前記研磨装置の上定盤に前記ナノバブルを含む前記溶液を供給する第一のポンプと、前記溶液漕に溜まった前記溶液を前記攪拌部へ供給する第二のポンプと、から構成される循環系設備と、を備え、前記研磨装置と前記溶液漕と前記循環系設備との前記溶液が接触する表面に、フッ素樹脂を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スラリーが供される配管内や研磨装置内などに残留するスラリー残留物を確実に除去でき、かつ、フラッシング時間の短縮化を図れるスラリー循環装置を提供する。
【解決手段】スラリー循環装置３は、第１，第２供給タンク４１，４２と、第１，第２供給タンク４１，４２に貯留された液体を第１，第２ＣＭＰ装置２１，２２に供給する供給ライン４３と、第１，第２ＣＭＰ装置２１，２２に供給される液体の供給元を切り替える第１，第２循環弁４３６，４３７と、第１，第２ＣＭＰ装置２１，２２から排出される液体を第１，第２供給タンク４１，４２に回収する回収ライン６３と、液体の回収先を切り替えるセパレータ６４と、第１，第２供給タンク４１，４２に純水を補給する第１，第２ＤＩＷ補給部５３，５４と、第１，第２供給タンク４１，４２にアルカリ溶液を補給するアルカリ溶液補給部５５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 研磨後のウェハの厚みばらつきを軽減しナノバブルの密度を高くする。
【解決手段】 ウェハを下定盤と上定盤とで挟んで研磨する研磨装置と、ナノバブルを含む所定の溶液を溜める溶液漕と、ナノバブル発生装置と、溶液を攪拌する攪拌部と、前記攪拌部から前記溶液漕へ接続する第一配管部と第二配管部と、第一配管部から分岐し攪拌部へ戻る第三配管部と、第一配管部内に設けられるアノード電極と、アノード電極と対向して設けられる第一カソード電極と、アノード電極と対向して設けられる第二カソード電極と、アノード電極と対向して設けられる第三カソード電極と、各電極が接続される電場発生装置と、から構成される循環系設備と、を備えて構成されることを特徴とするナノバブル循環型研磨装置。 （もっと読む）

【課題】 研磨による傷の発生を軽減し、安定した研磨が行えること。
【解決手段】 センターギアと、このセンターギアを回転軸とする上定盤と、このセンターギアを回転軸としつつ前記上定盤と向かい合うように配置される下定盤と、この下定盤の縁側に配置されるインターナルギアとから構成される研磨装置が用いられ、前記下定盤と前記上定盤との間に水晶ウェハを配置して前記水晶ウェハを研磨する水晶ウェハの研磨方法であって、前記水晶ウェハと前記上定盤および前記水晶ウェハと下定盤との間に所定のガスを気泡化したナノバブルを含むフッ化カリウム水溶液、水酸化ナトリウムと炭酸ナトリウムとの混合溶液、水酸化カリウム溶液の何れか１つの溶液を介在させて水晶ウェハを研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法により、金属膜を研磨して、層間絶縁膜に設けられた開口部内に導体パターンを形成する際、リセス、ディッシング、及びエロージョンを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ法により、層間絶縁膜１４の上面よりも上方に形成された金属膜１９及びバリア膜１８を除去することで、開口部内に、バリア膜１８及び金属膜１９よりなる導体パターンを形成する研磨工程と、を有し、該研磨工程では、層間絶縁膜１４の上面が露出する前に、金属膜１９の研磨レートと層間絶縁膜１４の研磨レートとの差が小さい研磨条件を用いて研磨を行なうことで、導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】
従来、ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア系研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
中和法、加水分解法等の湿式合成法で得られるジルコニア粉末は、微細な一次粒子が集合して二次凝集粒子を形成している。本発明者等は湿式合成ジルコニア粉末のガラス研磨能力を評価し、その粉末の一次・二次粒子形態を解析した。その結果、７０〜１５０ｎｍの一次粒子が集合して３００〜５００ｎｍになった二次凝集粒子がフラクタル次元１．００〜１．０５の範囲にある球近似形状をもつ粉末において、極めて高い研磨能力が得られることを見出した。好適な粉末はジルコニウム塩の加水分解法によって製造でき、ガラス基板等の精密研磨に使用できる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム酸化物（サファイア）や炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させる。
【解決手段】本発明は、アルミニウム酸化物又は炭化シリコンの研磨に用いられる。この研磨剤は、アルカリ溶液に、フラーレン粒子と、シリカ粒子を混合して形成される。このアルカリ溶液は水酸化カリウムKOH水溶液であり、かつ、このKOH水溶液に水酸化フラーレンのフラーレン粒子を0.01wt％〜１wt％、シリカ粒子を１〜３０wt%の範囲で混合した。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶基板等の非酸化物単結晶基板を、高い研磨速度で研磨し、平滑で結晶の原子レベルにおいても表面性状に優れた高品質な表面を得る。
【解決手段】非酸化物単結晶基板を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と、平均２次粒子径が０．５μｍ以下の酸化セリウム粒子と、分散媒とを含有することを特徴とする。本発明の研磨剤において、前記酸化剤は、過マンガン酸イオンであることが好ましい。また、研磨剤のｐＨは１１以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ外周部と内周の膜厚を均等に削れるような半導体ウェハ研磨装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】図１に示すように、研磨パッド４と、研磨パッド４によって研磨される半導体ウェハ３を吸着するトップリング２と、トップリング２に吸着させた半導体ウェハ３を研磨中に固定保持するために設けられているガイドリング１と、を備え、トップリング２の外周部に、複数の穿孔１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】研磨ブラシを用いることなく、外周面取り部と外周側面部とを均一かつ安定的に研磨する方法を提供すること。
【解決手段】中央部に円形孔を有する複数の円盤形状ガラス基板を、前記円形孔の位置をあわせて重ね合わせてガラス基板積層体を形成し、該ガラス基板積層体の前記円形孔に貫通して前記ガラス基板積層体を支持する支持棒を有する容器内にガラス基板積層体を固定する、積層体形成工程と、前記ガラス基板積層体の外周端面と前記容器の内壁との間の空間に、砥粒を含む研磨液を封入する、研磨液封入工程と、前記研磨液が前記外周端面に接触するように、前記研磨液が封入された前記容器を振とうして前記外周端面を研磨する、研磨工程と、を含む、ガラス基板の外周端面研磨方法。 （もっと読む）