【課題】１３族及び１５族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨方法を提案する。
【解決手段】周期表における１３族及び１５族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥を発生させることなく、下層のＣＭＰストッパー膜を実質的に研磨せずに、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供することである。
【解決手段】実施形態のＣＭＰ用スラリーは、総量の０．５質量％以上３質量％以下で配合されたコロイダルシリカと、総量の０．１質量％以上１質量％以下で配合された重量平均分子量５００以上１０，０００以下のポリカルボン酸とを含有し、ｐＨが２．５以上４．５以下である。コロイダルシリカ全体の５０質量％以上９０質量％以下の粒子は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の一次粒子径を有する。 （もっと読む）

【課題】研磨後の基板の表面に、有機残渣が生じることの少ないＣＭＰ研磨液用添加液を提供するものである。また、欠陥の発生数を低減できることが可能なＣＭＰ研磨液を提供し、半導体デバイス生産のスループットを向上させることを目的とする。
【解決手段】アルコール類及びフェノール類からなる群から選択される少なくとも１種の有機残渣抑制剤と、含有率が０．１質量％以上であるポリカルボン酸と、水と、を含有するＣＭＰ研磨液用添加液である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を化学機械研磨する際に、絶縁層の物理的性質を変化させずに、材料剥がれやスクラッチなどの表面欠陥が被研磨面に発生することなく精度の高い被研磨面を得ることができる化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに前記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットを提供すること。
【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）砥粒、（Ｂ）キノリンカルボン酸および／またはピリジンカルボン酸、（Ｃ）炭素数４以上の脂肪族有機酸、（Ｄ）酸化剤、（Ｅ）三重結合を有する非イオン性界面活性剤、および（Ｆ）分散媒を含有し、前記（Ａ）砥粒が、平均一次粒子径が５〜５５ｎｍかつ会合度が１．９〜４．０のコロイダルシリカである。
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【課題】ＬＰＤ低減剤を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能なＬＰＤ低減剤及びそのＬＰＤ低減剤を用いたシリコンウエハの欠陥低減方法を提供する。
【解決手段】本発明のＬＰＤ低減剤は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ−ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子を含有し、シリコンウエハの研磨において用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ウェハの両面研磨方法に関する。
【解決手段】研磨パッドの表面は、それぞれ、中心から端縁に向かって螺旋状に延びる少なくとも１つのチャネル状凹部によって断続的である。両面に供給される研磨剤、局所的に個々に適合可能な研磨剤の量および変形されたキャリアプレートによって、特に４５０ｍｍの直径を有する半導体ウェハの場合に、最適化された研磨剤の分散が達成される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に対する良好な研磨速度を維持しながら、エロージョン及びシームの発生を抑制し、被研磨面の平坦性が高い金属膜用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】金属用研磨液において、砥粒、メタクリル酸系ポリマ及び水を含有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】化学的機械研磨に際して研磨パッド表面の温度を速やかに且つ省エネルギー効率をもって昇温して適温に維持することができる、新規な構造の研磨パッド用補助板と研磨装置を提供すること。
【解決手段】研磨パッド１６を重ね合わせて固着状態で支持するパッド支持面を表面４０に有していると共に、裏面４２において回転定盤１４に重ね合わされて着脱可能に装着される装着面を有している研磨パッド用補助板１０において、通電により補助板本体３８（パッド支持面４０）を昇温して適温に維持する通電式温度制御手段５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）