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国際特許分類[B24B37/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 研削;研磨 (20,708) | 研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給 (15,323) | ラッピング機械または装置,すなわち,比較的柔らかいが剛性のある材料から出来ているラップと,ラップ仕上されるべき工作物表面との間に,浮遊状態にある研磨物質が注ぎ込まれることを要する機械または装置;そのための附属装置 (4,544)

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【課題】絶縁膜を平坦化するCMP技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、4価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 (もっと読む)


【課題】凝集安定性に優れ、粗大粒子を含まない、磁性を有するダイヤモンド粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】爆射法で得られたダイヤモンド微粒子と、前記ダイヤモンド微粒子の表面の少なくとも一部を被覆する磁性体とからなる磁性ダイヤモンド微粒子であって、前記ダイヤモンド微粒子が、酸化処理されたものであることを特徴とする磁性ダイヤモンド微粒子。 (もっと読む)


【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、CMP研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるCMP研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】媒体と、金属防食剤と、酸化金属溶解剤と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、pHが酸性領域にあるCMP研磨液であって、(A1)前記シリカ粒子のシラノール基密度が5.0個/nm以下であり、(B1)前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の20個を選択したときの二軸平均一次粒子径が25〜55nmであり、(C1)前記シリカ粒子の会合度が1.1以上であるCMP研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 (もっと読む)


【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムを用いずとも、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、光学材料からなる光学部品を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】光学材料を、研磨液を用いて研磨する研磨工程を含む光学部品の製造方法であって、前記研磨液は、Zr及びSiを含む化合物からなる研磨砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の研磨砥粒濃度が0.005wt%〜40wt%の範囲であることを特徴とする光学部品の製造方法。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスに用いることができる窒化物結晶基板を効率的に得るため、効率よく窒化物結晶に平滑で品質のよい表面を形成する窒化物結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本GaN結晶の表面処理方法は、窒化物結晶1であるGaN結晶の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、酸化物の砥粒16が用いられ、砥粒16の標準生成自由エネルギーが酸素分子1mol当たりの換算値で−850kJ/mol以上であり、かつ、砥粒16のモース硬度が4以上である。 (もっと読む)


【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、CMP研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるCMP研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】ダマシン法においてバリア膜を研磨するためのCMP研磨液であって、媒体と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、(A1)前記シリカ粒子のシラノール基密度が5.0個/nm以下であり、(B1)前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の20個を選択したときの二軸平均一次粒子径が25〜55nmであり、(C1)前記シリカ粒子の会合度が1.1以上であるCMP研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 (もっと読む)


【課題】小径の管や薄肉の管であっても研磨後の管内面の真円度を確保できる磁気内面研磨装置および磁気内面研磨方法を提供することを課題とする。
【解決手段】磁石20および非磁性のスペーサ21を有する加工ヘッド2と、加工ヘッド2を回転させる回転機構4と、加工ヘッド2を非磁性の管7内へ押し出す推進機構5と、回転機構4および推進機構5において発生する駆動力を加工ヘッド2へ伝達する伝達機構3と、を備えた磁気内面研磨装置1であって、磁石20とスペーサ21とが管7の長手方向に交互に配置した磁気内面研磨装置1とする。また、磁性粒子60および非磁性粒子61を分散させた媒体62を加工ヘッド2へ供給する分散媒体供給機構6を設けることもできる。 (もっと読む)


【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するLPDの数を低減することが可能な研磨用組成物を用いたシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウエハの製造方法は、ポリビニルピロリドン及びポリN−ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子を含有する研磨用組成物を使用した予備研磨工程と、仕上げ研磨工程を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 金平糖状という特異な形状をしたシリカ系微粒子が溶媒に分散してなる金平糖状シリカ系ゾルを提供する。
【解決手段】 球状シリカ系微粒子の表面に複数の疣状突起を有する微粒子であって、BET法またはシアーズ法により測定された比表面積を(SA1)とし、画像解析法により測定された平均粒子径(D2)から換算した比表面積を(SA2)としたときの表面粗度(SA1)/(SA2)の値が、1.7〜10の範囲にあり、画像解析法により測定された平均粒子径(D2)が7〜150nmの範囲にある金平糖状シリカ系微粒子が溶媒に分散してなる。 (もっと読む)


【課題】化学機械研磨工程において、オーバーポリッシュ実施時のエロージョン及びその速度を抑制できる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、ウエハ上の絶縁膜に形成された孔または溝に銅または銅合金を埋め込んだ後、化学機械研磨により余剰の銅または銅合金を除去することによって配線を形成する手法に用いる化学機械研磨用水系分散体であって、ヒュームドシリカまたはコロイダルシリカと、水と、過酸化水素と、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよびドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムから選択される少なくとも1種と、を含有し、前記ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよび前記ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムの合計量が0.002質量%以上1質量%未満であり、pHが7.5以上9.0以下である (もっと読む)


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