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国際特許分類[B24B37/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 研削;研磨 (20,708) | 研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給 (15,323) | ラッピング機械または装置,すなわち,比較的柔らかいが剛性のある材料から出来ているラップと,ラップ仕上されるべき工作物表面との間に,浮遊状態にある研磨物質が注ぎ込まれることを要する機械または装置;そのための附属装置 (4,544)

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【課題】微細気泡を含有する液剤を被加工物の表面の加工に有効に利用することのできる加工ヘッドを提供することである。
【解決手段】回転する工作具10を被加工物Wの表面に接触させて当該被加工物Wの表面を加工する加工ヘッド100であって、前記工作具10の内部に設けられ、供給される液体を導いて被加工物Wの工作具10が接触する部位の近傍に向けて吐出する少なくとも1つの流路25を備え、前記流路25には絞り部255a〜255hが形成された構成となる。 (もっと読む)


【課題】シリカ粒子が沈降しない安定性と、高いアルミニウム膜の研磨速度と、低いシリコン酸化膜の研磨速度の全ての特性を充足さする化学機械研磨用分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】(A)スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子と、(B)N−ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子とを含有し、pHが2以上8以下である。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に形成された無機絶縁膜を研磨するCMP技術において、無機絶縁膜に対する研磨速度を維持しつつ、研磨後の表面の平坦性を向上させることが可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウムと、−COOM基、−Ph−OM基、−SOM基、−OSOH基、−PO基及び−PO基(式中、MはH、NH、Na及びKから選択されるいずれか一種、Phは置換基を有していても良いフェニル基を示す。)から選択される少なくとも一つの基を有する有機酸と、カルボキシル基を有する高分子化合物及び水を含み、pHが4.5〜7.0であり、高分子化合物の含有量が全質量に対して0.01〜0.30質量%であるCMP研磨液と、複数の溝と複数の穴が形成された研磨パッドを使用して、基板に設けられた被研磨膜の少なくとも一部を研磨で除去する基板の研磨方法。 (もっと読む)


【課題】 少なくともパラジウム層の研磨速度を、従来のCMP研磨液を用いた場合よりも向上させることができるCMP研磨液、及びそのCMP研磨液を用いた研磨方法を提供すること。
【解決手段】 1,2,4−トリアゾール、リン酸類、酸化剤、及び会合度が1.5以上2.5未満である砥粒を含有するパラジウム研磨用CMP研磨液。また、基板と研磨布の間にCMP研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する基板の研磨方法であって、基板は、パラジウム層を有する基板であり、CMP研磨液は、1,2,4−トリアゾール、リン酸類、酸化剤及び1.5以上2.5未満である砥粒を含有するCMP研磨液である、研磨方法。 (もっと読む)


【課題】より良いトポグラフィー性能を達成するためのタングステンバフィング配合物として使用するための、新しいケミカルメカニカルポリッシング組成物及び方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む基板を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物と、研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に0.69〜34.5kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと;及びケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配することを含み;ここで、基板は研磨され、そして幾らかのタングステンは基板から除去される。 (もっと読む)


【課題】生産性の向上を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板10上に、被処理膜13,16,21を形成する工程と、前記被処理膜の表面をCMP法により研磨する工程と、を具備し、前記CMP法は、回転する研磨パッド31を第1温度から前記第1温度よりも高い第2温度に上昇させる工程と、前記被処理膜の表面を前記第2温度に上昇した前記研磨パッドに当接させる工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】CMP工程において、生産性の向上、およびCMP特性の劣化の抑制を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内に、溝を形成する工程と、絶縁膜上に、下地膜を形成する工程と、下地膜上に、溝が埋まるように金属膜を形成する工程と、半導体基板の表面を回転する研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に金属イオンを含む第1CMPスラリーを供給することで、溝外の金属膜を除去する第1研磨を行う工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に有機酸および純水を供給することで、研磨パッドおよび半導体基板の表面を洗浄する工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に第1CMPスラリーと異なる第2CMPスラリーを供給することで、溝外の下地膜を除去する第2研磨を行う工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】特に大きなサイズの基板を研磨する際、スラリー流量を減らすことなく、中央付近の研磨量を確保し背厚を低減して正常な研磨を行うとともに、スラリーの循環を良くすることで、研磨した基板の成分が基板の被研磨面に再付着することを抑制する。
【解決手段】一辺の長さが1000mm以上の板状体を保持する板状体保持手段と、前記板状体保持手段に保持された前記板状体に対向して設置された研磨パッドと、を有し、前記研磨パッドは、前記板状体の対向面に形成され、前記研磨パッドと前記板状体との当接部にスラリーを供給する複数のスラリー供給孔と、前記板状体の対向面の中央部のみに形成され、前記当接部に供給された前記スラリーを吸引するスラリー吸引孔と、が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】非選択的な低い欠陥性のケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、銅を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法を提供する。
【解決手段】銅を含む基板を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供すること;研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること;及びケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に0.69〜34.5kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すことを含み;ここで、基板は研磨され、そして幾らかの銅は基板から除去される。 (もっと読む)


【課題】コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層の腐食抑制性に優れる研磨剤及び基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】フタル酸化合物、イソフタル酸化合物及び下記一般式(I)で表されるアルキルジカルボン酸化合物並びにこれらの塩及び酸無水物からなる群より選択される少なくとも1種からなるカルボン酸誘導体と、金属防食剤と、水とを含有し、pHが4.0以下である、コバルト元素を含む層を研磨するための研磨剤である。一般式(I)中、Rは炭素数が4〜10であるアルキレン基を示す。
HOOC−R−COOH・・・(I) (もっと読む)


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