【課題】表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できるガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むｐＨ４．０以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、前記最終研磨工程に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、前記擦洗したガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】情報記録媒体用基板の製造方法は、少なくともＳｉＯ_２成分を含むガラス又は結晶化ガラスからなる板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒を少なくとも含有し、研磨開始時における研磨液中の砥粒濃度が１５ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であり、研磨液中の砥粒の全重量に対する、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒の含有量が７０ｗｔ％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えばポリシリコンからなる疎水性のケイ素含有部分と例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる親水性のケイ素含有部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シラノール基を有する砥粒、及び水溶性重合体を含有する。研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置したときには、砥粒の表面積１μｍ^２あたりに５０００個以上の水溶性重合体の分子が吸着する。このような水溶性重合体の例としては、ポリオキシアルキレン鎖を有するノニオン性化合物、より具体的には、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキレンジグリセルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】情報記録媒体用基板の製造方法は、少なくともＳｉＯ_２成分を含むガラス又は結晶化ガラスからなる板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の砥粒濃度が２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であり、前記研磨液中の砥粒の全重量に対する、前記Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒の含有量が７０ｗｔ％以上であり、前記研磨工程における加工圧力が１２０ｇ／ｃｍ^２〜１６０ｇ／ｃｍ^２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともＳｉＯ_２成分を含む板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる研磨砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の砥粒濃度が２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤ低減剤を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能なＬＰＤ低減剤、シリコンウエハの欠陥低減方法、及びシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＬＰＤ低減剤は、ＬＰＤ低減剤中のナトリウムイオンの濃度が１０ｐｐｂ以下であり、シリコンウエハ研磨において用いられる。ＬＰＤ低減剤は、さらにアルカリを好ましくは含有する。ＬＰＤ低減剤は、シリコンウエハの仕上げ研磨に用いられ、ＬＰＤの大きさが６５ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】例えばポリシリコンからなる疎水性のケイ素含有部分と例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる親水性のケイ素含有部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、親水性基を有する水溶性重合体、及び砥粒を含有する。研磨用組成物を用いて研磨した後の疎水性のケイ素含有部分の水接触角は、この研磨用組成物から水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物を用いて研磨した後の疎水性のケイ素含有部分の水接触角と比較して小さく、好ましくは５７度以下である。このような水溶性重合体の例としては、多糖類又はアルコール化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とｐＨ調整剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、ｐＨ調整剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムを用いず、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、ガラス、結晶化ガラス、結晶等の脆性無機材料からなる基板を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともＳｉＯ_２成分、またはＡｌ_２Ｏ_３成分を含む板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む基板の製造方法であって、
前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる研磨砥粒を少なくとも含有し、
前記研磨液中の砥粒濃度が２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であることを特徴とする基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高速で相変化メモリデバイスを研磨することができる、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物、及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物を用いる。窒素化合物は、脂肪族アミン、芳香族アミン、アンモニウム塩、アンモニウム塩基またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも１種の化合物を含む。 （もっと読む）