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国際特許分類[B81C1/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | マイクロ構造技術 (6,196) | マイクロ構造装置またはシステムの製造または処理に,特に適合した方法または装置 (1,969) | 基層中または基層上での装置またはシステムの製造または処理 (1,249)

国際特許分類[B81C1/00]に分類される特許

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【課題】信頼性が高く、周波数特性の管理が容易なMEMS振動子を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置された第1電極20と、第1電極20との間に空隙を有した状態で配置され、基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部32、および梁部32を支持する支持部34を有する第2電極30と、を含み、第1電極20の側面22は、第1電極20の上面21に接続された第1面22aと、第1面22aおよび基板10の上面11に接続された第2面22bと、を有し、第1面22aは、基板10の上面11に対して傾斜し、基板10の上面11に対する第1面22aの角度は、第1角度αであり、基板10の上面11に対する第2面22bの角度は、第1角度αよりも大きい第2角度βである。 (もっと読む)


【課題】導電性が皆無又はほとんど無い活性層を必要とする構造を低コストで製造可能なMEMS構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロシステム又はナノシステム型デバイスは、可動部分120を有する第1基板100と、第2基板200と、第1基板及び第2基板の間に配置されている第1電極102及び誘電層101とを備えている。第1基板100が、第1電極102に対して当接している導電性材料により充填されている貫通状態の縦導電経路111を有する。 (もっと読む)


【課題】標準的なCMOSプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ910は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料904も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 (もっと読む)


【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置100は、基板10と、基板10の上方に形成された機能素子20と、機能素子20が配置された空洞部1を画成する包囲壁40と、基板10の上方に形成され、機能素子20に接続された配線層30,32と、を含み、配線層30,32は、基板10と包囲壁40との間を通って、包囲壁40の外側まで延出され、包囲壁40は、窒化シリコン層42と、金属層およびシリコン層の少なくとも1層である導電層と、を有し、配線層30,32と導電層44との間には、窒化シリコン層42が配置されている。 (もっと読む)


【課題】サポート部材を用いてマイクロフォンを形成するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】マイクロフォンを形成するための方法は、バックプレート、およびウェットエッチングの犠牲層の少なくとも一部分の上の可撓性の振動板を形成する。この方法は、ウェットエッチングのレジスト材料を追加し、ウェットエッチングのレジスト材料は、振動板を支持するように、振動板とバックプレートとの間に配置される。ウェットエッチングのレジスト材料の一部は、振動板とバックプレートとの間には配置されない。方法はその後、上述の追加の間に追加されたウェットエッチングのレジスト材料の一部を除去する前に、犠牲材料を除去する。その後、ウェットエッチングのレジスト材料は、犠牲材料の少なくとも一部が除去された後に、実質的にその全体が除去される。 (もっと読む)


【課題】振動系を有する基体上に導体パターンを設けた構成において、比較的簡単に、長寿命化を図ることができるアクチュエーターの製造方法、アクチュエーター、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー1の製造方法は、基板をエッチングした後に平坦化処理することにより、所定の軸まわりに回動可能な可動部、可動部に連結された連結部、連結部を支持する支持部、可動部および連結部に対して基板を貫通する貫通孔225を介して離間するとともに支持部に対して構造的な強度が前記支持部よりも弱い脆弱部を介して接続された除去可能な除去部26、を含む基体302を形成する第1の工程と、基体302の上方に導体パターン8を形成する第2の工程と、除去部26を除去する第3の工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】画像品質の改良と、電力消費の削減とのために、高速に、かつ低電圧で駆動されることが可能な、機械的に作動させられるディスプレイを提供する。
【解決手段】シャッタベースの光変調器を組み込んだディスプレイ装置が、そのような装置を製造する方法とともに開示される。本方法は、当業界で周知の薄膜製造プロセスと互換性があり、より低い消費電力を有するディスプレイをもたらす。 (もっと読む)


【課題】最適化された感度を有するMEMSおよび/またはNEMS圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板2上で懸架された変形可能な膜4であって、膜の面の1つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜4の変形を検出する手段であって、基板2上に形成される検出手段6と、膜4の変形を増幅された形で検出手段6に伝達する変形不能なアーム14とを備え、アーム14が、膜4の面にほぼ平行な軸線Yの周りで回転可能に基板2にヒンジ留めされ、膜4の変形を増幅された形で検出手段6に伝達するように膜と一体である。 (もっと読む)


【課題】入出力特性の悪化を招くことなく、振動子と半導体基板との間に、ギャップを精度良く形成する。
【解決手段】共振器は、半導体基板1の上に形成された第1の犠牲膜2A,2Bと、第1の犠牲膜2A,2Bの上に形成された第2の犠牲膜4A,4Bと、第2の犠牲膜4A,4Bの上に形成された固定電極6A,6Bと、振動子3Xとを備えている。振動子3Xと第2の犠牲膜4A,4B及び固定電極6A,6Bとの間には、第1のギャップ7A,7Bが形成されている。振動子3Xと半導体基板1との間には、第2のギャップ8が形成されている。第1の犠牲膜2A,2Bの端面は第2のギャップ8に露出し、且つ、第2の犠牲膜4A,4Bの端面は第1のギャップ7A,7Bに露出している。 (もっと読む)


【解決手段】(i)犠牲膜パターン上に無機材料膜を形成し、犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する工程を含むマイクロ構造体の製造方法において、(A)一部又は全部のフェノール性水酸基が1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドによりエステル化されたクレゾールノボラック樹脂を含むと共に、架橋剤を含み、かつ200〜300nmの波長領域に最大の吸収極大を持つ光酸発生剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物を用い、犠牲膜として塗布する工程、(B)基板を加熱する工程、(C)パターンレイアウトイメージに沿った照射を行う工程、(D)犠牲膜パターンを形成する工程、(E)上記犠牲膜パターン中のクレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程を含む。
【効果】高精度な欠陥損失のない平面形状及び85°以上90°未満側壁の形状を有し、かつ熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。 (もっと読む)


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