【課題】多元金属系硫黄化合物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多元金属系硫黄化合物の製造方法により、多元金属系硫黄化合物のナノ粉末を合成するとき、含有する一種以上の金属元素はすべて構成元素の純元素粉体から使用し、及び／又は一種以上の金属合金粉末を原子比より調合し、常圧の液相合成法で合成されることになり、しかも、合成工程において使用される有機溶剤は芳香族アミン類化合物であり、該芳香族アミン類化合物は、沸点240℃以上で、pH値7〜10の弱アルカリ性であり、それゆえ、高温下でキレート反応によって多元金属系硫黄化合物が生成される。銅−インジウム−ガリウム−セレン元素化合物(CIGSmaterials)は、直接に塗布成膜し、ターゲット材に作られ、スパッタリング成膜されることになり、セレン化工程は不要で、塗膜層の組成の一致性をアップさせることで、製品の良品率も生産効率も向上できる。 （もっと読む）

多相構造の、即ち自己集合により特性長が１０μｍ以下である第一の相の粒子が第二の相中に均一に分散している熱電材料の製造方法において、少なくとも二相熱電材料が、その少なくとも二相熱電材料の成分でない金属または該金属のカルコゲニドとともに溶融され、混合後に、冷却または反応性粉砕により結合させられる。 （もっと読む）

【課題】比較的効率的なバルク熱電材料、さらに、これらの熱電材料の調製方法、さらに、人工的に蒸着された超格子薄膜熱電材料と比較して相対的に経済的に調製できる熱電材料を提供することである。
【解決手段】本発明は、マトリックスを提供する第１のカルコゲニドの均質な固溶体又は化合物を、異なる組成を有する第２の相のナノスケール内包物と共に含み、組成物の性能指数（ＺＴ）が内包物を含まない組成物の性能指数よりも大きい熱電組成物に関する。好ましくは、内包物は、組成物を、均質な固溶体の相図に基づいた融点よりも低い、ある適切な温度においてアニーリングした結果としてのスピノーダル分解によって形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】金型寿命が短いため低コストで熱電材料を製造することが困難であった。また、高い性能指数の熱電材料を効率的に製造することができなかった。
【解決手段】Ｂｉ，Ｓｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｔｅ，Ｓｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素との合金の粉末を固化し、固化された前記合金に対して、加圧通路の加圧軸と押出通路の押出軸とが一軸上に存在しない金型によって、前記押出通路内で押し出されている前記合金に対して押出方向と逆向きの背圧を作用させることなく押出処理を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物の導電性を向上させ、且つ湿熱耐久性に優れる透明電極を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物中に導電性ドーピング剤としてセレン化亜鉛を０．２〜６．０ａｔｏｍ％含有する。さらに好ましくは珪素を０．５〜５．０ａｔｏｍ％含有させることで湿熱耐久性がさらに向上する。これらの透明導電性酸化物2を透明電極層とすることで、導電性・透明性・湿熱耐久性に優れた透明電極付き基板1を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣｕＩｎＳ₂ナノ粒子を含む前駆体層のセレン化
【解決手段】太陽電池用途又は電子回路用途のための薄膜を製造する方法を提供する。本方法は、ナノ結晶前駆体層を製造する工程並びにセレン含有雰囲気中で前記ナノ結晶前駆体層をセレン化する工程を含む。該ナノ結晶前駆体層は、ＣｕＩｎＳ₂、ＣｕＩｎ（Ｓ_y，Ｓｅ_1-y）₂、ＣｕＧａＳ₂、ＣｕＧａ（Ｓ_y，Ｓｅ-_1-y）₂、Ｃｕ（Ｉｎ_xＧａ-_1-x）Ｓ₂、
及びＣｕ（Ｉｎ_xＧａ_1-x）（Ｓ_y，Ｓｅ_1-y）₂ナノ粒子（式中、０≦ｘ≦１、及び１≦ｙ
≦０である）及びそれらの組み合わせの一種を含む。 （もっと読む）

【課題】 カルコゲン化合物の生成で配位子を用いた合成方法では金属元素の種類により配位子を変えて金属錯体を形成する必要があり、ナノ結晶が三元系や四元系の場合には困難で、配位子を含んだ排水の処理に問題が生じていた。高沸点溶媒を用いてカルコゲン化反応させる温度領域に昇温する際に、例えば硝酸塩のＣｕ（ＮＯ_３）_２、Ｉｎ（ＮＯ_３）_３をアンモニア水溶液によりＣｕとＩｎの水酸化物を共沈させる金属水酸化物又は脱水反応後の酸化物状態では、カルコゲン化反応において局所的に金属酸化物が発生し、ＣｕＩｎＳｅ系の化合物が単相で生成できない。
【解決手段】 高沸点溶媒と、１種以上の金属塩、およびＳｅ、Ｔｅ、Ｓの１種以上を含むカルコゲン源を添加し１７０℃以上に加熱することにより三元系や四元系であるものを含むカルコゲン化合物（金属元素の１種以上とＳｅ、Ｓ、Ｔｅから選択される元素の１種以上を構成元素とする化合物）のナノ粒子を得られる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、毒性元素を用いないで超電導現象を発現させることが可能な鉄系超電導物質を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の鉄系超電導物質は、以下の式１を満たすように、ＦｅＴｅ合金にＳをドープした組成よりなることを特徴とする。
＜式１＞
Ｆｅ（Ｔｅ_１−ｘＳ_ｘ）_ｙ （０＜ｘ＜１， ０．８＜ｙ＜＝１）
本発明は、鉄系超電導物質において、正方晶のＰｂＯ構造（空間群Ｐ４／ｎｍｍ）を取ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微粒であってもカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相を含む化合物半導体粒子とその製法、ならびにカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相が主結晶相であり、半導体素子としてＰ型の特性を有するとともに、厚み方向に対して均一な組成を有する緻密な化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】 ＣｕまたはＡｇを含む化合物と、Ｉｎ、ＧａおよびＡｌのうち少なくとも１種を含む化合物と、オレイン酸ナトリウムまたはマレイン酸ナトリウムとを、水および該水よりも極性の低い溶媒との混合溶媒中に溶解した溶液から前駆体を形成し、これにＳ，ＳｅおよびＴｅのうちいずれか１種を含む化合物を添加し加熱することにより、カルコパイライト型の結晶構造を持つ結晶相を含有し、アスペクト比（最長径／最短径）が１．５以上であり、かつ最長径の平均長さが０．０５〜０．２μｍである化合物半導体粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、下記化学式で表される新規な化合物半導体を提供する：Ｂｉ_1-xＭ_xＣｕ_wＯ_a-yＱ１_yＴｅ_b-zＱ２_z。化学式において、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｓ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか１つまたはそのうちの２種以上の元素であり、Ｑ１及びＱ２はＳ、Ｓｅ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか１つまたはそのうちの２種以上の元素であり、０≦ｘ＜１、０＜ｗ≦１、０．２＜ａ＜４、０≦ｙ＜４、０．２＜ｂ＜４及び０≦ｚ＜４である。前記化合物半導体は従来の化合物半導体に代替するか又は従来の化合物半導体に加え、太陽電池、熱電変換素子など多様な用途に用いられ得る。 （もっと読む）