【課題】本発明は、Ｌｉイオン伝導性が高く、硫化水素発生量が極めて少ない硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、Ｍ_１元素（例えばＬｉ元素）、Ｍ_２元素（例えばＧｅ元素）、Ｐ元素およびＳ元素を含有し、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定における２θ＝２９．５８°±０．５０°の位置にピークを有し、上記２θ＝２９．５８°±０．５０°のピークの回折強度をＩ_Ａとし、２θ＝２７．３３°±０．５０°のピークの回折強度をＩ_Ｂとした場合に、Ｉ_Ｂ／Ｉ_Ａの値が０．５０未満である硫化物固体電解質材料の製造方法であって、原料組成物におけるＰ_２Ｓ_５の割合を多くすることを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結着材の添加による、硫化物固体電解質材料のイオン伝導性の低下を抑制した固体電解質材料含有体を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、Ｍ_１元素（例えばＬｉ元素）、Ｍ_２元素（例えばＧｅ元素およびＰ元素）およびＳ元素を含有し、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定における２θ＝２９．５８°±０．５０°の位置にピークを有し、上記２θ＝２９．５８°±０．５０°のピークの回折強度をＩ_Ａとし、２θ＝２７．３３°±０．５０°のピークの回折強度をＩ_Ｂとした場合に、Ｉ_Ｂ／Ｉ_Ａの値が０．５０未満である硫化物固体電解質材料と、主鎖に二重結合を有するポリマーである結着材と、を含有することを特徴とする固体電解質材料含有体を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体の接合や商品設計の面で優れた自由度を得ることができるナノワイヤデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に、結晶をエピタキシャル成長させて複数のナノワイヤ状半導体２を形成する。ナノワイヤ状半導体２の間隙に充填剤５を充填してナノワイヤ状半導体２を埋設し、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を形成する。半導体基板６から、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離して、ナノワイヤ状半導体アレイ９，１０，１１，１３，１４，１５を形成する。ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６の剥離は、充填剤５上に支持基板８を形成した後、外力により行う。又は、充填剤５の熱収縮応力によりナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離した後、充填剤５上に支持基板８を形成する。 （もっと読む）

【課題】青色領域で優れた発光効率を示すうえ、物質の安定性に優れた新しい構造のナノ結晶を提供する。
【解決手段】２種以上の物質からなる多層構造のナノ結晶において、前記物質の合金層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チタンの製造において使用される前駆体を安価とし、さらに、金属の溶融、鋳造及び鍛造の間の酸化に起因するロスを低減し、チタン、その合金及びその化合物を効率的且つ安価なプロセスで製造する。
【解決手段】チタン含有材料からチタン金属を製造する方法は、チタン含有材料からＭ^ＩＩＴｉＦ_６の溶液を製造する工程、（Ｍ^Ｉ）ａＸｂの添加によって溶液からＭ^Ｉ_２ＴｉＦ_６を選択的に沈殿する工程、選択的に沈殿されたＭ^Ｉ_２ＴｉＦ_６を用いてチタンを製造する工程、を包含する。Ｍ^ＩＩは、ヘキサフルオロチタネートを形成するタイプのカチオンであり、Ｍ^Ｉはアンモニウム及びアルカリ金属カチオンから選択され、Ｘはハライド、サルフェート、ニトライト、アセテート、及びニトレートから選択され、ａ及びｂは１又は２である。 （もっと読む）

【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、ＰおよびＴｉからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性または導電性を発現する。 （もっと読む）

【課題】鉄砒素系超伝導体の高品質な超伝導薄膜を備えた超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、III-V族半導体から成るバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、下記式（１）で表される組成を有する超伝導薄膜と、を含み、前記超伝導薄膜におけるＡｓ−Ａｓ間隔は、前記III-V族半導体におけるV族原子間距離の約１倍であることを特徴とする超伝導体構造。式（１）ＬｎＦｅＡｓＯ_1-pＦ_q（式（１）において、Ｌｎは１種以上のランタノイド元素であり、０＜ｐ＜１、０≦ｑ＜１） （もっと読む）

【課題】放電容量が大きく、寿命性能に優れた非水電解質二次電池用負極活物質及びそれを用いた非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ_ｘＰ（Ｍ：遷移金属、ｘ≧１）で表され、Strukturbericht designationによりＣ２２（Ｆｅ_２Ｐ）型に指標付けられる結晶格子構造を有する化合物を含有することを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質である。前記化合物の結晶子径は、６．８〜３６ｎｍであることが好ましい。また、この負極活物質を含有する非水電解質二次電池用負極であり、この負極を備えた非水電解質二次電池である。 （もっと読む）

【課題】耐食性および導電性に優れる導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の導電膜は、Ｆｅおよび／またはＴｉとＰとの化合物からなるリン化物粒子を含む原料粒子が基材の少なくとも一部の表面に付着して形成されたリン化物粒子塗膜からなる。この導電膜は優れた耐食導電性を発現すると共に、リン化物粒子塗膜からなるため低コストで容易に形成され得る。 （もっと読む）

【課題】
ＩｎＰ微粒子などの製造におけるＩｎ源として有用な有機カルボン酸インジウムを、簡易にかつ工業的に有利に製造する方法を提供する。
【解決手段】
インジウムアルコキシドと有機カルボン酸無水物とを反応させる有機カルボン酸インジウムの製造方法である。 （もっと読む）