【課題】カーボン粒子の表面に板状のシリコンが付着した複合材料に比べて充放電サイクル特性が更に向上した蓄電デバイス用電極材料を提供する。
【解決手段】本発明の蓄電デバイスは、正極と、負極と、正極と負極との間に介在するイオン伝導媒体とを備えている。ここで、正極および負極のうち少なくとも一方は、活物質として炭素で被覆された層状ポリシランを含んでいる。こうした活物質は、層状ポリシランを合成し、その層状ポリシランの粉末を撹拌しながら乾式の皮膜形成法によってカーボンで被覆することにより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガスクロマトグラフ分離の際の塩化水素のテーリングを防止すること。
【解決手段】本発明では、ガスクロマトグラフィ用のカラムとして、一部にエーテル鎖を有していてもよいフッ素化された飽和炭化水素樹脂上に担持された無極性シリコーンオイルを固定相としたものを用いる。このようなカラムを用いることにより、塩化水素を比較的多量に含むモノシラン、モノクロロシラン、ジシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン等のシラン・クロロシラン類をガスクロマトグラフ分離するに際して、従来のカラムでは強く表れる塩化水素のテーリングが抑制され、シラン・クロロシラン類の各成分の分離が可能となる。その結果、シラン・クロロシラン類のガスクロマトグラフィによる定量分析の精度が大幅に向上する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、深冷分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部６０により大気に放出される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出されるシラン類をリサイクルすることを目的とする。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出される混合ガスに含まれるシラン類が除害装置３０によってシリカとして無害化される。除害装置３０で生成したシリカはシリカ回収手段４０によって回収される。炭素含有物質混合手段５０は、シリカ回収手段４０で回収されたシリカに炭素含有物質を混合する。塩素化手段６０は、炭素含有物質混合手段５０で得られた混合物に塩素含有物質を反応させて四塩化珪素を形成する。 （もっと読む）

【課題】水素化物系ガスを含む混合ガスを高い回収率を維持しつつ分離して、水素化物系ガスを高純度に濃縮する。
【解決手段】気体分離膜が収容された密閉容器の未透過ガス排出口を閉止し、透過ガス排出口を開放した状態で、ガス供給口を開放して密閉容器内に混合ガスを供給し、充圧する第１の過程と、混合ガスの供給開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、ガス供給口を閉止して混合ガスの供給を停止し、当該状態を保持する第２の過程と、保持状態の開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、未透過ガス排出口を開放して水素化物系ガスを回収する第３の過程と、回収開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、未透過ガス排出口を閉止する第４の過程を備え、第１〜第４の過程を連続的に繰り返すことを特徴とするガス分離方法である。 （もっと読む）

【課題】 化学式が（Ｈ_３Ｇｅ）_４−ｘＳｉＨ_ｘであって、ｘ＝０、１、２または３である珪素−ゲルマニウム水素化合物を合成するための方法を提供する。
【解決手段】 該方法は、珪素−ゲルマニウム水素化合物が形成される条件下で、シラン・トリフレートとＧｅＨ_３配位子を有する化合物とを化合させるステップを含む。該ＧｅＨ_３配位子を有する化合物は、ＫＧｅＨ_３、ＮａＧｅＨ_３およびＭＲ_３ＧｅＨ_３であってＭが第ＩＶ族元素でありＲが有機配位子である物質からなる群から選択される。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであることができる。該方法は、水素化珪素が形成される条件下でシラン・トリフレートとＳｉＨ_３配位子を含む化合物とを化合させることにより、トリシラン（Ｈ_３Ｓｉ）_２ＳｉＨ_２およびイソ−テトラシラン類似物（Ｈ_３Ｓｉ）_３ＳｉＨを合成するために使用することができる。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであってx ＝１または２である物質を含むことができる。（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２を合成するための方法は、（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２が形成される条件下でＨ_３ＧｅＳｉＨ_２（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）とＫＧｅＨ_３とを化合させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出される排ガスを処理するシステムを小型化する技術を提供する。
【解決手段】排ガス処理システム１００は、半導体製造装置１から排出される少なくとも水素およびモノシランを含む混合ガスを処理する。この排ガス処理システム１００は、半導体製造装置から排出された混合ガスを排気するポンプ部２と、ポンプ部２により排気された混合ガスを圧縮して後段へ送る圧縮機１１と、圧縮された混合ガスを集めて収容するガス収容部３と、ガス収容部３から供給された混合ガスの流量を制御する流量制御部４と、水素を選択的に透過させ、混合ガスからモノシランと水素を分離する膜分離部６と、を備える。これにより、半導体製造装置１から排出された混合ガスの圧力変動を緩和し、安定して排ガス処理システムを運転することができる。 （もっと読む）

本発明は、ヒドリドシランとして実質的に少なくとも１種のシリコン原子最大２０個を有する非環状ヒドリドシランを包含する組成物を、触媒の不在下で２３５℃より小さい温度で熱により反応させる、ヒドリドシランをオリゴマー化する方法、前記方法に従って製造可能なオリゴマー及びその使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、水素化ポリゲルマシランを純粋な化合物または化合物の混合物として製造するための方法であって、ハロゲン化ポリゲルマシランが水素化される方法に関する。本発明はまた、水素化ポリゲルマシラン、該水素化ポリゲルマシランから製造されるゲルマニウム層、およびかかる層を製造するための方法にも関する。 （もっと読む）

本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
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