【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】種類の異なる元素Ａと元素Ｄとを含み、前記元素ＡがＳｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、ＩｎおよびＺｎからなる群より選ばれた１種の元素であり、前記元素ＤがＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｂａ、ランタノイド元素（ＣｅおよびＰｍを除く）、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＩｒからなる群より選ばれた１種の元素であり、前記元素Ａの単体または固溶体である、球形状の第１の相と、前記元素Ａと前記元素Ｄとの化合物である第２の相を有し、前記第２の相の一部または全部が、前記第１の相に覆われていることを特徴とするナノサイズ粒子と、前記ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 （もっと読む）

【課題】優れた熱電変換性能を有するマグネシウム−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】実質的にドーパントを含まない場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Ｍｇの含有量が原子量比で６６．１７〜６６．７７ａｔ％であり、Ｓｉの含有量が原子量比で３３．２３〜３３．８３ａｔ％である組成原料を、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを有し、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有する製造方法により製造される。一方、ドーパントを含む場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Ｍｇの含有量とＳｉの含有量との比が原子量比で６６．１７：３３．８３〜６６．７７：３３．２３であり、ドーパントの含有量が原子量比で０．１０〜２．０ａｔ％である組成原料により製造される。 （もっと読む）

【課題】５７３°Ｋ〜８７３°Ｋの範囲で、ＭｏとＳｉの同時酸化が起こり、さらにＭｏ酸化物の蒸発減少が伴うという、ペスト（粉化現象）を効果的に防止できるＭｏＳｉ_２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法の提供。
【解決手段】ＭｏＳｉ_２粉末を酸化性の酸又は酸化剤を含む酸で洗浄し、ＭｏＳｉ_２粉末の比表面積が０．２ｍ^２／ｇ以上であり、かつ表面に酸化皮膜を備え、また酸素含有量が２０００ｐｐｍ以上であるＭｏＳｉ_２粉末とし、さらに、該粉末を用いてペスト（粉化現象）を効果的に防止できるＭｏＳｉ_２粉末を主成分とする発熱体を得る。 （もっと読む）

【課題】高純度のゲルマニウム合金化された多結晶シリコンインゴットを提供すること、並びにその簡単でかつ低コストの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン心棒又はゲルマニウムで合金化されたシリコン心棒に堆積された、ゲルマニウム０．１〜５０ｍｏｌ％及びシリコン９９．９〜５０ｍｏｌ％からなる高純度合金からなり、前記合金は多結晶構造を有する０．５ｍ〜４ｍの長さ及び２５ｍｍ〜２２０ｍｍの直径のインゴット。 （もっと読む）

【課題】珪化鉄粉末に含まれるガス成分である酸素が少なく粉砕が容易であり、したがって粉砕が不良である場合に伴う不純物の混入が少なく、また珪化鉄粉末の比表面積が大きく、焼結する際に密度を上げることが可能である珪化鉄粉末を提供する。
【解決手段】酸化鉄を水素で還元して鉄粉末を作製し、この鉄粉末とＳｉ粉末を非酸化性雰囲気中で加熱して主にＦｅＳｉからなる合成粉末を作製し、さらに再度Ｓｉ粉末を添加混合し非酸化性雰囲気で加熱して主にＦｅＳｉ_２からなる珪化鉄粉末を製造する。 （もっと読む）

【課題】シリコン電極素材の商用化における最大の問題である充放電中に発生する電極素材の大きな体積変化を制御し、さらに、シリコンの低い電気伝導度の性質を向上させた電極素材（すなわち、電極活物質）の製造方法、並びにこれを利用した二次電池用負極及び二次電池を提供する。
【解決手段】シリコンと金属との複合粒子の表面上にカーボンナノチューブが被覆されていることを特徴とするカーボンナノチューブ被覆シリコン／金属複合粒子を製造し、集電体とカーボンナノチューブ被覆シリコン／金属複合粒子を含む負極活物質とを含む二次電極用負極を用いて二次電池を製造する。 （もっと読む）

本発明は、モリブデン および 二酸化ジルコニウム, ZrO₂を含む二ケイ化物をベースとする複合材料に関する。該二ケイ化物(Mo_1-xCr_x)Si₂において、モリブデンの一部x、 0.08<x≦0.15,がクロム, Cr で置換される。該複合材料は10-20 体積% のZrO₂ を含み、(Mo_1-xCr_x)Si₂とバランスしている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電子デバイスの実現。
【解決手段】そのための方法であって、マイクロ電子デバイスは、支持体に基礎を置き、支持体の主平面に平行な方向において、ゲルマニウム濃度勾配をみせる少なくとも１種の半導体帯域を含み、方法は、
ａ）支持体上への、１種またはそれよりも多い穴を含む少なくとも１種の酸化マスキング層の形成であり、穴は、傾斜のある側面を含み、およびＳｉに基づく少なくとも１種の第１の半導体帯域を現わし、
ｂ）Ｓｉに基づく前記第１の半導体帯域上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（式中０＜ｘ）に基づく少なくとも１種の第２の半導体帯域の形成、
ｃ）前記マスキング層を通じた前記第１の半導体帯域および第２の半導体帯域の熱酸化を具える。 （もっと読む）

【課題】溶液中、特に非極性溶媒中でケイ素系材料で作製されたナノワイヤの安定なディスパーションを得ることのできるナノワイヤおよび該ナノワイヤを溶媒中に分散させる方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１個の金突起部をその表面上に含むケイ素系材料で作製されたナノワイヤを、溶媒中に分散させる方法を提供し、該方法は、各ナノワイヤの少なくとも１個の金突起部に、Ｘ−Ｓ−Ｒの有機硫黄誘導体をグラフトするステップを含む（式中、Ｘは水素またはチオール保護基であり、Ｒは少なくとも１個のヘテロ原子を含有する可能性のあるＣ_２からＣ_４０炭化水素基である）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ニッケルシリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明のニッケルシリサイドナノワイヤの製造方法は、表面に二酸化珪素層が形成されたシリコン基板を提供する第一ステップと、前記シリコン基板に形成された二酸化珪素層の表面にチタン層を形成する第二ステップと、生長装置を提供し、前記チタン層が形成されたシリコン基板を前記生長装置に置き、該生長装置を５００℃〜１０００℃に加熱する第三ステップと、前記シリコン基板の表面にニッケルクラスターを形成し、ニッケルシリサイドナノワイヤを生長させる第四ステップと、を含む。 （もっと読む）