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国際特許分類[C01B33/06]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 無機化学 (31,892) | 非金属元素;その化合物  (21,484) | けい素;その化合物 (4,055) | 金属けい化物 (72)

国際特許分類[C01B33/06]に分類される特許

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【課題】本発明は、鉄シリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の鉄シリサイドナノワイヤの製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、鉄板を提供し、該鉄板を前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を600℃〜1200℃程度に加熱して、前記鉄板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、鉄シリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の鉄シリサイドナノワイヤの製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、鉄粉及び生長基板を提供し、該鉄粉及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を600℃〜1200℃程度に加熱して、前記生長基板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、を含む。 (もっと読む)


本発明は鉄冶金の分野に関し、より詳細には鋼を還元、ドープ、改良するための合金の製造に関する。本発明によれば、非金属介在物を高度に還元及び改良すると同時に、バリウム、チタン、及びバナジウムによって鋼をマイクロアロイングすることにより、本願発明の合金によって処理した鋼の品質を改善することができる。本発明によれば、アルミニウム、ケイ素、カルシウム、炭素、及び鉄を含む合金に、以下の構成元素比でバリウム、チタン、及びバナジウムを添加する(単位:質量%):ケイ素45.0〜63.0、アルミニウム10.0〜25.0、カルシウム1.0〜10.0、バリウム1.0〜10.0、バナジウム0.3〜5.0、チタン1.0〜10.0、炭素0.1〜1.0、残部鉄。 (もっと読む)


【課題】 無毒で伝導性に優れたn型のMg金属化合物(MgX)を提供すること
【解決手段】 逆ホタル石構造を有する一般式:MgX(Xは4族元素Si及びGe及びSnから選択される一種または複数の元素であって、少なくともSiとGeの一方を含む)であって、ドナー添加物として、Pを添加するようにした。これは、Xを構成する元素であるSi及びまたはGeに予めPを添加したものを当該元素の原材料とし、作製温度をPを添加した元素の融点よりも低い温度とすることで製造できる。 (もっと読む)


【課題】従来よりも簡易に、低温で、かつ短時間で粉末およびバルク体の金属ケイ素化物を製造することができる金属ケイ素化物の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、Naの融液または蒸気を付加した状態で、金属とSiとを加熱する。金属およびSiは、それぞれ単独の粉末を混合したもの、それぞれ単独の粉末を混合し圧縮成形したもの、金属のバルク体の上にSiの粉末またはバルク体を接触させたもの、金属のバルク体または粉体、およびSiのバルク体または粉体を同一Na融液に浸したもののうち、いずれか一種類である。金属は、Fe、Mg、Cr、Moから選択される一種類の金属、もしくはそれを主構成金属とする合金であり、得られる主たる金属ケイ素化物は、β−FeSi、MgSi、CrSiまたはMoSiである。更に、加熱温度は、500℃以上、1200℃以下である。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、軽量で、高い性能指数を達成し得る熱電変換素子を得ることを目的とし、シリコンを主体とし、ストロンチウムをゲスト元素とするクラスレート化合物及び該クラスレート化合物よりなる熱電変換素子を提供する
【解決手段】
一般式(1)で表されるクラスレート化合物
【化5】


但し、x、yは、正の数であり、14<x+y<18、かつ−2<y−x<10である。
及び該クラスレート化合物を含む熱電変換素子である。 (もっと読む)


【課題】自己組織成長のメカニズムを援用し、蒸着や超高真空を用いずに実現できる、工業的に簡便で実用性の高い発光素子とその製造方法、並びにErSiナノワイヤーとその製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板を洗浄する工程(S1)と、Si基板にエルビウム溶液を付着させる工程(S2)と、エルビウム溶液が付着したSi基板を真空下で熱処理する工程(S3,S4)とを有し、Si基板上にエルビウム化合物による発光層を形成することを特徴とする。また、Si基板を洗浄する工程(S1)と、Si基板にエルビウム溶液を付着させる工程(S2)と、エルビウム溶液が付着したSi基板を真空下で熱処理する工程(S3,S4)とを有し、Si基板上にErSi結晶によるナノワイヤーを形成する。 (もっと読む)


【課題】熱電素子として熱的に安定し、熱電変換効率も高いMgSi(マグネシウムシリサイド)を短い加熱時間で容易に製造する。
【解決手段】Siウエハ1に、傾斜面あるいは円弧面が残るようにして該Siウエハ1を貫通する隣接したエッチング2をウエハ表面から形成した後、該隣接するエッチング2間にドーパント膜3を成膜し、さらにその上からMg膜4を成膜した後、MgSiの融点以下の温度で熱処理するようにしてMgSiのn型またはp型の熱電素子を製造する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、生体に安全で環境負荷が少なく、資源的にも豊富な元素から構成されるシリサイド半導体としてのβ鉄シリサイドを製造する方法を提供する。
【解決手段】還元対象酸化物としての鉄酸化物,シリコン酸化物を主成分とする酸化物原料に鉄シリサイドのβ化促進剤として微量の銅もしくは銅酸化物を混合した後、加熱して溶融状態なった時点で還元剤としてシリコンを投入し、直接溶融還元することによりβ鉄シリサイドを得ることができる。 (もっと読む)


本発明の種々の実施形態は、非単結晶基板上にナノ構造物を形成する方法、並びにその結果得られるナノ構造物及びナノスケール機能デバイスに関する。本発明の一実施形態では、ナノ構造物を形成する方法は、金属層(100)及びシリコン層(104)を含む多層構造物(106)を形成することを含む。多層構造物(106)は、熱工程にかけられ、それにより金属シリサイド晶子(110)が形成される。金属シリサイド晶子(110)上にはナノ構造物(114)が成長される。本発明の別の実施形態では、構造物は、非単結晶基板(102)及び非単結晶基板(102)上に形成された層(108)を含む。層(108)は、金属シリサイド晶子(110)を含む。金属シリサイド晶子(110)上にいくつかのナノ構造物(114)が形成されてもよい。開示の構造物は、電子デバイス及び/又は光電子デバイスで使用されるいくつかの異なるタイプの機能デバイスを形成するために使用することができる。
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