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国際特許分類[C01B33/113]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 無機化学 (31,892) | 非金属元素;その化合物  (21,484) | けい素;その化合物 (4,055) | 酸化けい素;その水和物 (1,774)

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【課題】優れた電池特性、特にサイクル特性および充放電容量が良好な非水電解質二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】リチウムと合金化可能な元素の単体または前記元素を含む化合物を含む活物質と、前記活物質の表面から成長させたカーボンナノファイバと、カーボンナノファイバの成長を促す触媒と、活物質およびカーボンナノファイバを被覆する炭素被覆層とを含み、カーボンナノファイバの重量に対する炭素被覆層の重量の比が、1/2以下である非水電解質二次電池用負極材料。 (もっと読む)


【課題】高容量でかつサイクル低下がなく、しかも初回充放電時における不可逆容量の少ないリチウムイオン二次電池用負極材として適したSiOx(x<1)の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化珪素ガスを発生する原料を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,100〜1,600℃の温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させる一方、金属珪素を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,800〜2,400℃の温度範囲で加熱し、珪素ガスを発生させ、上記酸化珪素ガスと金属珪素ガスとの混合ガスを基体表面に析出させることを特徴とするSiOx(x<1)の製造方法。 (もっと読む)


【課題】新規なSi含有膜形成材料、殊にPECVD装置に適したアルケニル基含有有機シラン化合物から成るSi含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表される有機シラン化合物を含有するSi含有膜形成材料を用い、化学気相成長法、特にプラズマ励起化学気相成長法によりSi含有膜を形成させ、絶縁膜として使用する。
【化1】


(式中、R,Rは、炭素数1〜20の炭化水素基または水素原子を表し、nは0〜3の整数を表す。) (もっと読む)


【課題】酸化珪素粉末を効率的に低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】二酸化珪素粉末と金属珪素粉末の混合原料粉末を不活性ガスもしくは減圧下、1,100〜1,450℃の温度範囲で加熱し、一酸化珪素ガスを発生させ、該一酸化珪素ガスを基体表面に析出させる酸化珪素粉末の製造方法において、二酸化珪素粉末の平均粒子径が1μm以下、金属珪素粉末の平均粒子径が30μm以下であることを特徴とする酸化珪素粉末の製造方法。 (もっと読む)


本発明は、再分散可能なナノ粒子、この製造方法並びに配合物、表面コーティング、塗料およびプラスチックにおけるこの使用に関する。 (もっと読む)


【課題】担体への固定化が容易な修飾されたフリーアシッド型のヘテロポリ酸を提供する。
【解決手段】一般式(1)で示されるフリーアシッド型ヘテロポリ酸。
m[X(YOH)ab]・nH2O ・・・(1)
[式中、Xは骨格構成原子の一部を欠損させたヘテロポリアニオンであり、YはSi、Ti、Al、Zrから選ばれる何れか1種の原子であり、mは1以上の整数であって一般式(1)中の[X(YOH)ab]から決定される負電荷の絶対値であり、nは1以上の整数である。また、aは1又は2であり、bはaが1のとき0、aが2のとき1である。] (もっと読む)


【課題】 高品質な結晶シリコン粒子を安定して作製でき、量産性や低コストに優れた光電変換装置や光発電装置を提供することである。
【解決手段】 半導体粒子101表面に珪素化合物被膜を形成し、加熱して溶融させた後に降温して凝固させることによって結晶化させる結晶半導体粒子101の製造工程において、前記珪素化合物被膜を形成する際に、前記半導体粒子101をシリコンウェーハ104上に載置して珪素化合物被膜を形成する結晶半導体粒子101の製造方法である。光電変換装置に用いる場合に光電変換効率性に優れた高品質な結晶シリコン粒子101を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】界面活性剤の除去工程を省いて、細孔表面が有機化合物で覆われた多孔質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】非イオン性界面活性剤を使用し、シリカ源として安価なアルカリ珪酸塩を用いた強酸性反応系において、金属元素の種類と添加方法を制御することにより、特に高次規則構造の形成を60℃以上の温度で熟成し、反応生成固体を乾燥することにより、細孔表面が界面活性剤もしくはこれに由来する有機基または有機分子に覆われた、薄板状あるいは繊維状の有機無機多孔質シリカとする。 (もっと読む)


【解決手段】少なくとも二酸化珪素粉末を含む混合原料粉末を不活性ガスもしくは減圧下1100〜1600℃の温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させ、該酸化珪素ガスを冷却した基体表面に析出させる酸化珪素粉末の製造方法において、基体表面の温度が100〜400℃であり、酸化珪素ガス蒸気濃度が0.5〜15g/m3であることを特徴とする細孔平均径0.5〜20nm、細孔容積0.005〜0.2cm3/g,BET比表面積5〜300m2/gである多孔質酸化珪素粉末の製造方法。
【効果】本発明の酸化珪素粉末は、高活性であり、かつハンドリング性に優れているため、他の元素と反応が容易であり、しかも工業的規模の生産にも十分耐えられるものである。 (もっと読む)


酸化ケイ素および電気的に導電性があるドープされたケイ素材料を保護的な条件下において焼結して、SiOxの特性を示すがSiが存在するために電気的に導電性がある複合SiOx:Si材料を作製する。このような複合材料は、タッチスクリーンの用途、LCDディスプレイにおけるバリア薄膜、および幅広い種類の用途で使用される光学薄膜向けに酸化ケイ素薄膜を生産するためのDCおよび/またはACスパッタリングプロセス用のターゲットなど、多く用いられる。 (もっと読む)


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