【課題】水蒸気等の酸化剤中における焼成工程での収縮が小さく、シリカ膜の亀裂や半導体基板との剥離が発生しにくい無機ポリシラザン及び無機ポリシラザンを含有するシリカ膜形成用塗布液を提供すること。
【解決手段】¹Ｈ―ＮＭＲスペクトルにおいて、４．７５ｐｐｍ以上で５．４ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＡとし、４．５ｐｐｍ以上で４．７５ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＢとし、４．２ｐｐｍ以上で４．５ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＣとしたとき、Ａ／（Ｂ＋Ｃ）の値が０．９〜１．５であり、（Ａ＋Ｂ）／Ｃの値が４．２〜５０であり、ポリスチレン換算値による質量平均分子量が２０００〜２００００である無機ポリシラザンをシリカ膜形成用塗布液に含有させる。 （もっと読む）

【課題】スプリングバックやラミネーションを抑制可能であり、且つ十分な断熱性能を示す成形体を提供すること。
【解決手段】シリカを含み、細孔を有しており、細孔径が０．００３μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_{０．００３}に対する、細孔径が０．１μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_０．１の割合Ｒ_０．１が５０％以上８５％以下であり、Ｖ_０．１が０．２ｍＬ／ｇ以上３ｍＬ／ｇ以下であり、３０℃における熱伝導率が０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である成形体。 （もっと読む）

【課題】対向拡散ＣＶＤにより形成されるシリカ膜を備えたガス分離材の製造方法において、欠陥が存在する多孔質基材を用いても、良好な性能を有するシリカ膜を安定して形成することができるガス分離材の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質基材１２とシリカ膜とを備えるガス分離材を製造する方法が提供される。該方法は、多孔質基材１２を用意する工程と、前記基材１２の一方の面側１２ａにシリカ源含有ガス２として不活性ガスと共に供給される気化したシリカ源と、該基材１２の他方の面側１２ｂに供給される酸素含有ガス３とを反応させる化学蒸着法によって、該基材１２にシリカ膜２１を形成する工程と、前記シリカ膜２１を形成する工程において排出されるガス組成をガスクロマトグラフィーにてモニタリングすることによって、前記シリカ膜２１の形成の終了点を決定する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ大面積化された自己支持性のナノ薄膜を有する薄膜積層基材；従来に比べ大面積化された自己支持性のナノ薄膜を、少ない工程数で、簡便にかつ確実に形成できる薄膜積層基材の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の凸部２を表面に有する基材（Ａ）３と、複数の凸部２の頭頂部４および複数の凸部２の間の空隙５を覆うように連続して形成された厚さ１〜１００ｎｍの薄膜（Ｂ）６とを有する薄膜積層基材１；基材（Ａ）３を金属酸化物析出反応液に浸漬し、基材（Ａ）３の表面に金属酸化物または金属酸化物前駆体を析出させることによって、複数の凸部２の頭頂部４および複数の凸部２の間の空隙５を連続して覆う厚さ１〜１００ｎｍの薄膜（Ｂ）６を形成する薄膜積層基材１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】空隙率が高く、小粒径で、かつ温湿度等の環境変化に強い球状の中空粒子、これを用いた赤外線反射フィルム及び赤外線反射体を提供することにある。
【解決手段】シェルがシリカ（ＳｉＯ_２）と金属酸化物（ＭＯｘ）を含有し、その組成がモル比で、
１＜（Ｓｉ／Ｍ）＜１００
で、かつ体積換算平均粒子径が、１０〜２００ｎｍであることを特徴とする中空粒子。
（式中、Ｍは第３族、第４族、第５族、第１３族またはＳｉを除く第１４族の金属元素を表す。） （もっと読む）

【課題】樹脂基材上にガスバリア性を有する層が形成された電子機器用基板において、高いガスバリア性を有し、且つ、層間の密着力に優れた信頼性の高い膜を簡易に形成可能とする。
【解決手段】樹脂基板１０１上に複数の層が積層された積層膜を有する電子機器用基板１００において、積層膜を、正又は負に帯電可能な無機化合物を含む１層以上の無機物層１１０と、無機物層１１０と反対の電荷に帯電可能な無機層状化合物を含む１層以上の層状化合物層１２０とで構成し、無機物層１１０と層状化合物層１２０とを交互に積層する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストのシリコンインゴット製造用角形容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための容器であって、少なくとも表層部分がシリカガラスから成り、内部部分がシリカよりも高い融点を有する耐熱性物質から成る平行平板状の多孔質シリカ複合板体が組み合わされて構成された角形容器であるシリコンインゴット製造用角形シリカ複合容器。 （もっと読む）

【課題】リチウムマンガンシリケート系化合物を含み、かつ、正極材料として用いたときにリチウムイオン二次電池の充放電特性の低下を抑制し得る材料、この材料を用いた非水電解質二次電池用正極、およびこの材料を用いた非水電解質二次電池を提供すること。
【解決手段】リチウムマンガンシリケート系化合物からなる芯部を耐フッ酸化合物、フッ素吸収化合物から選ばれる少なくとも一種およびカーボン系材料からなる被覆層で覆う。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に、耐久性の高い硬化物を形成することができ、しかも硬化性樹脂に対して優れた分散性を有し良好な流動性を確保して高密度実装などのアンダーフィル実装にも好適に使用することができる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、半導体用封止材に用いる非晶質シリカ粒子であって、フーリエ変換赤外線吸収スペクトル（ＦＴ−ＩＲ）において、３４００〜３５００ｃｍ^-1にピークトップを有するシラノール基のＯＨ結合のピークの最大吸光度（Ｉ（ａｄＯＨ））とシロキサン結合のピークの最大吸光度（Ｉ（ＳｉＯ））との比（Ｉ（ａｄＯＨ）／Ｉ（ＳｉＯ））が０．００１０以上０．００２５未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂に添加してアンダーフィル材としバンプ接続などに供した際に、バンプ間への噛み込みが起こりにくく良好な導通を確保できる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、アンダーフィル材に用いる非晶質シリカ粒子であって、圧縮試験において粒子の直径が１０％変位したときの荷重値（１０％荷重値）と平均粒子径とが下記式（Ｉ）
１０％荷重値（ｍＮ）／平均粒子径（μｍ）＞１．２０ （Ｉ）
を満足することを特徴とする。 （もっと読む）