【課題】原料のケイ石よりも高純度のシリカ原料を製造する方法の提供。
【解決手段】天然ケイ石中における不純物は天然ケイ石の結晶粒界に集中しており、天然ケイ石を結晶粒界が現れる程度に粉砕した後に結晶粒界を酸によって溶解除去することで純度が高いシリカ原料が得られることを発見した。本発明の高純度シリカ原料の製造方法は、結晶粒界に沿ってケイ石原料を粉砕する工程と、フッ酸を含有する酸溶液にて前記粉砕物を洗浄する洗浄工程と、を有することを特徴とする。つまり、ケイ石原料を粉砕することで結晶粒界を露出させた状態として、酸溶液にて結晶粒界を除去することで、不純物を優先的に除去することが可能になり、高純度のシリカ原料を得ることができる。効果的に結晶粒界を露出する目的で、前記粉砕工程の前に、４００℃以上に前記ケイ石原料を加熱し冷却液に投入する熱処理工程を有することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、植物栽培における培地仕込み工程において、水溶性成分含有物質組成の有効成分の抽出において殺菌する方法及び製造を提供する。
【解決手段】本発明は、水溶性被抽出原料を浸透性のある袋状に入れ、それを電気分解酸性水に入れる事の効果で、殺菌作用が働き、さらにアルカリ性で中和反応されることで、抽出物成分組成抽出が効率良く製造され、することを特徴とする植物栽培における培地基材の処理方法。 （もっと読む）

【課題】リチウムシリケートの生成を抑制して不可逆容量を低減できるリチウムイオン二次電池用負極活物質を提供する。
【解決手段】リチウムイオン二次電池用負極活物質を、ＳｉＯ_ｘ（０．３≦ｘ≦１．６）で表されるケイ素酸化物からなる粒状体と、該粒状体の表面を被覆する炭化ケイ素被膜と、で構成する。粒状体の表面を、リチウムに対する反応性が極めて低い炭化ケイ素被膜で覆ったことで、リチウムシリケートの生成を抑制でき、不可逆容量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 安価原料（水ガラス、無機塩）を出発原料とし、非晶質酸化ケイ素ネットワーク中に異種金属を均一導入することによって強い酸点を形成し、かつ、高い比表面積を有する高機能多孔質材料を製造する。
【解決手段】 有機質鋳型を水溶媒に溶解せしめた後に、水ガラスを添加し、次に前記有機質鋳型、前記水溶媒および前記水ガラスの混合物を撹拌しながら、前記混合物に無機酸を滴下し、さらに無機塩水溶液を添加し、前記無機塩の自己加水分解反応を進行させて、高比表面積、強吸着機能を有する多孔質材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】スクリーン印刷工程に用いた場合に厚膜で印刷することができ、かつ、焼結性、貯蔵安定性に優れる無機微粒子分散ペーストを提供する。
【解決手段】エステル置換基にイソプロピル基を有する（メタ）アクリルモノマーに由来するセグメントを５０重量％以上含有する（メタ）アクリル樹脂と、無機微粒子と、有機溶剤とを含有することを特徴とする無機微粒子分散ペースト。 （もっと読む）

【課題】高効率で、且つ高容量の非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】本発明の非水電解質二次電池は、正極と、負極と、非水電解質とを備え、前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の上に形成された負極活物質含有層とを含み、前記負極活物質含有層は、ケイ素と、酸素と、水素とを構成元素として含む負極活物質を含み、前記酸素の前記負極活物質中での含有量は、前記ケイ素に対して原子比で０．５以上１．５以下であり、前記負極活物質を構成する水素は、前記負極活物質を構成する酸素と結合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、この溶融フラックス中に水蒸気及び酸素のいずれか一方又は両方を含む気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】冶金的手法による太陽電池用高純度Ｓｉの製造に用いるフラックス中の不純物、特にＢを効果的に低減することができる。本発明により得られたフラックスは、含有するＢが極めて少量あるいは実質的に含有しない。従って、これを冶金的手法による太陽電池用高純度Ｓｉの製造に用いることで、Ｓｉ中のＢを容易、迅速、かつ多量に除去することができる。こうしてＢを除去したＳｉに、高真空下、局所高温加熱等によりＰを揮発除去し、更に一方向凝固等により、金属不純物を低減し、極めて安価に純度６Ｎ程度の太陽電池に使用可能な高純度Ｓｉとすることができる。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、フラックス中にハロゲンガスを含む処理気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】本発明によれば、冶金的手法による太陽電池用等の高純度シリコンの製造に用いるフラックス中の不純物、特にホウ素、リンを効果的に低減することができる。この結果、極めて安価にホウ素、リン等が低減されたフラックスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】誘電率の上昇を抑制しつつも多孔質層の表面を改質できる半導体装置の製造方法および多孔質層の改質方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０２上に、表面にＳｉＨ基を有する多孔質絶縁層１１４を形成する工程と、ＳｉＨ基をＳｉＯＨ基に酸化させ、かつ多孔質絶縁層１１４のＳｉ原子と結合を形成しない改質物質を含む液体を多孔質絶縁層１１４の表面に接触させる工程と、を含む （もっと読む）

【課題】本発明によれば、カーボンナノチューブの分散性を維持しつつ高い導電性を示す導電性複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】分子内にスルホン酸基を有する分散剤（Ａ）とカーボンナノチューブを含有する組成物（Ｂ）を基材上へ製膜する第一の工程、および組成物（Ｂ）が製膜された面にオーバーコート剤を積層する第二の工程を含む導電性複合体の製造方法であって、第一の工程における導電層の表面抵抗値Ｒ_Ａと第二の工程を経た後の導電層の表面抵抗値Ｒ_Ｂとの関係がＲ_Ａ＞Ｒ_Ｂとなることを特徴とする導電性複合体の製造方法。 （もっと読む）