【課題】充填圧力が小さい場合でも多量の水素を貯蔵可能とする。
【解決手段】ＡｌＨ₃を合成した後、２Ｇ〜２０Ｇ（Ｇは重力加速度）の力を付与する条件でボールミリングを行い、Ｘ線回折パターンがハローパターンとなるＡｌＨ₃とする。すなわち、例えば、マトリックス相３０、３０同士の間に粒界相３２が介在しており、且つ前記マトリックス相３０の辺長ｔ２が２０ｎｍ以下で前記粒界相３２の幅ｗ２が１０ｎｍ以下であるナノ構造ＡｌＨ₃か、又はアモルファスＡｌＨ₃とする。さらに、ボールミリングが終了した前記ＡｌＨ₃から水素を放出させた後に水素を吸蔵させ、ＡｌＨｘ（ただし、０＜ｘ≦３）に変化させる。さらに、ドーパントを添加するようにしてもよい。このようにして得られた水素吸蔵材を容器に収容して、水素貯蔵用容器を構成する。 （もっと読む）

【課題】 携帯型燃料電池の燃料となる水素ガスを常温にて簡易に安全かつ安価に提供することができる水素発生材料および該材料の製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明の水素発生材料は、５０μｍ以下のアルミニウム又はアルミニウム合金の微粒子からなり、前記微粒子の表面及び内部にミクロの亀裂を有している。また、好ましくは、水素発生材料は、亀裂内に水素化アルミニウムを含有している。また、好ましくは、水素発生材料は、アルミニウム又はアルミニウム合金を水中で摩擦、粉砕することによって微粒子化される。さらに、好ましくは、水素発生材料は、微粒子に温度又は超音波の衝撃を加えてナノクラックを生成させる。 （もっと読む）

【課題】高温で改良された安定性を有する水性水素化ホウ素配合物を提供する。
【解決手段】少なくとも１種の水素化ホウ素化合物および少なくとも１種の金属水酸化物を含有する、安定化された水性混合物。この混合物は、水素化ホウ素の分解に関して、特に高温で改善された安定性を有する。 （もっと読む）

ハロ−硼素化合物（B−X化合物、１つ又はそれ以上の硼素−ハロゲン結合を有する化合物）とシラン類とを反応させると、ボラン類（B−H化合物、１つ又はそれ以上のB−H結合を有する化合物）とハロシラン類とを与える。無機水素化物例えば表面結合した水素化シラン（Si−H）はB−X化合物と反応してB−H化合物と表面結合したハロシラン類とを生成する。表面結合したハロシラン類は電気化学的手法により表面結合したシラン類に逆転化される。ハロ−硼素化合物はスタナン類（Sn−H結合を有する錫化合物）と反応してボラン類とハロスタナン類（Sn−X結合を有する錫化合物）とを生成する。ハロスタナン類は電気化学的手法によりSn−ホルメート化合物の熱分解によりスタナン類に逆転化される。ハロ−硼素化合物がBCl₃である時は、B−H化合物はB₂H₆であり、しかもその場合還元電位が電気化学的手法により又はホルメートの熱分解により提供される。
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ハウジングと、ハウジング内に配された反応原料コンテナと、反応原料コンテナに連結されて反応原料コンテナから反応原料を供給されて触媒反応を起こす空間の反応器チューブと、反応原料と接触してガス発生を促進させるものであって、反応器チューブ内に配される多孔性の触媒層と、反応器チューブに連結されて反応器チューブで生成された反応生成物を収集する生成物コンテナと、を備え、反応器チューブ内には、コンベクションホールが反応器チューブを長手方向に貫設されて反応生成物を排出させることを特徴とする水素発生器である。したがって、本発明による水素発生器は、自己運転能力を備え、運転コストを低減し、設置空間を縮小しうる。
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【課題】水との接触に起因する水素貯蔵材料の分解、及び、水素吸蔵・放出特性の劣化を抑制すること。また、水素貯蔵材料の水素の放出開始温度を低下させること。
【解決手段】Ｍ₁元素、ホウ素及び水素を含む１種又は２種以上の第１の水素化物と、Ｍ₂元素を含む１種又は２種以上の第１の塩化物とを含む水素貯蔵材料及びその製造方法。但し、前記Ｍ₁元素及び前記Ｍ₂元素は、それぞれ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｃ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｙ、及び希土類元素から選ばれる少なくとも一種以上の元素。 （もっと読む）

【課題】水素貯蔵率の高い水素貯蔵材料を短工程で製造することができる、水素貯蔵材料の製造方法を提供する。
【解決手段】金属マグネシウム粉末とリチウムアミド粉末とを、不活性ガス雰囲気下，もしくは水素ガス雰囲気下，または不活性ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において混合する。次に、この混合処理により得られた試料を、所定温度，水素ガスを含む加圧ガス雰囲気下に保持することにより、水素を吸蔵させる水素化処理を行う。これにより水素化リチウムとマグネシウムアミドを含む水素貯蔵材料を得る。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、室温近傍の冷蔵庫や冷凍庫などの家電だけでなく、ガス液化産業や
、超伝導デバイスなどを支える冷凍技術に関し磁気冷凍作業物質ならびに磁気冷却方法を
提供する。
【解決手段】 本発明では、磁気冷凍作業物質であるNaZn₁₃型La(Fe_xSi_1-x)₁₃およびその水素吸収La(Fe_xSi_1-x)₁₃Ｈ_ｙにおいて、LaのＰｒ部分置換を行い、その組成をNaZn₁₃型La_1-zPr_z(Fe_xSi_1-x)₁₃およびその水素吸収La_1-zPr_z (Fe_xSi_1-x)₁₃Ｈ_ｙであることを特徴とする磁気冷凍作業物質で、また、前記磁気冷凍作業物質NaZn₁₃型La(Fe_xSi_1-x)₁₃もしくわその水素吸収La(Fe_xSi_1-x)₁₃Ｈ_ｙを1種類あるいはその組成を変えたものを複数用いて冷却制御を行う磁気冷凍方法である。 （もっと読む）

【課題】 水素貯蔵媒体として注目されつつあるLiBH4やZn(BH4)2などのB-H結合を有するボロハイドライド系、LiNH2やMg(NH2)2などのN-H結合を有するアミド・イミド系、LiALH4やNaAlH4などのAl-H結合を有するアラネート系、など無機錯体系水素化物、およびTiH2MgH2などの金属水素化物、さらにそれら無機錯体系水素化物と金属水素化物との混合相について、共有結合とイオン結合の熱振動を外部から制御して、水素化と脱水素化の反応速度を促進すること。
【解決手段】 水素化・脱水素化反応速度の促進方法において、所定形状の無機錯体系水素化物を、水素ガス雰囲気中あるいは不活性雰囲気中で、所定の時間以上電磁波を照射する工程を有する。 （もっと読む）

ホウ素含有イオンを、三フッ化ホウ素と比較してより容易に劈開する、フッ化ホウ素含有ドーパント種を用いて、注入する方法。ホウ素含有イオンを、三フッ化ホウ素と比較してより容易に劈開する、フッ化ホウ素含有ドーパント種を用いて注入することを含む、半導体デバイスの製造方法。水素化ホウ素前駆体を供給するシステム、および水素化ホウ素前駆体を形成する方法、ならびに水素化ホウ素を供給する方法もまた、開示される。発明の一つの実施形態において、集積回路のような半導体製品を製造するために、水素化ホウ素前駆体は、クラスターホウ素注入のために生成される。
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