【課題】微粒でかつ分散性の高い錫ドープ酸化インジウム粒子を提供すること。
【解決手段】本発明の錫ドープ酸化インジウム粒子は、第四級アンモニウムイオンの水酸化物が還元性有機溶媒に溶解してなる溶液に、インジウム源及び錫源を添加し反応を行い、次いでオートクレーブ内において加熱して自生圧力下に熟成を行うことで得られたものである。この錫ドープ酸化インジウム粒子は、第四級アンモニウムイオンの水酸化物としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いて得られたものであることが好適である。 （もっと読む）

【課題】原料となる塩化インジウム水溶液又は塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液を水酸化ナトリウムにより中和して水酸化インジウムとし、これを焙焼して酸化インジウムを製造する工程において、該工程中に含有する塩素及びナトリウムを、効率的に、低コストで除去することができる酸化インジウムの製造方法を提供する。
【解決手段】水酸化ナトリウム水溶液に塩化インジウム水溶液又は塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液を添加し、ｐＨを９〜１０に調整して水酸化インジウムを発生させ、発生した水酸化インジウムを濾過し、これをｐＨ８〜９の液に分散させて攪拌洗浄し、水酸化インジウムを濾過して回収し、更にこれをｐＨ４〜５の液に分散させて攪拌洗浄し、水酸化インジウムを濾別したのち、焙焼することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを有するバイオセンサを用いて顕微鏡観察と同時に生体関連物質の信号情報を取得する場合に、その信号情報を正確に取得することができる透明バイオセンサを提供する。
【解決手段】透明基材１と、透明基材１上に設けられた透明な薄膜トランジスタ素子部Ａ及び透明な生体関連物質感応部Ｂとを有し、その薄膜トランジスタ素子部Ａが有するゲート電極２を、薄膜トランジスタ素子部Ａを構成する酸化物半導体膜４に対する紫外線カット機能を有するように構成して、上記課題を解決した。このゲート電極２を、(i)紫外線カット材料を含む透明電極、(ii)紫外線カット材料からなる透明電極、及び、(iii)前記酸化物半導体膜のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを持つ透明電極、のいずれかであるように構成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた低温プロセスで形成する信頼性の高い薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、基板１００と、前記基板上の一部に設けられたゲート電極１１０と、前記ゲート電極を覆う第１の絶縁膜１２０と、前記第１の絶縁膜を介して前記ゲート電極上に設けられた酸化物半導体膜１３０と、前記酸化物半導体膜上の一部に設けられた第２の絶縁膜１５０と、前記酸化物半導体膜から露出する酸化物半導体膜の一部と接続されたソース電極１４０Ｓおよびドレイン電極１４０Ｄと、を備え、前記酸化物半導体膜はＩｎと、Ｇａと、Ｚｎのうち少なくとも一つの元素を含む酸化物半導体を有し、前記第１の絶縁膜中に含有される水素濃度が５×１０^２０atm/ｃｍ^−３以上であり、かつ、前記第２の絶縁膜中に含有される水素濃度が１０^１９atm/ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体においても、ＣＰＭ測定による欠陥密度の精度の高い評価を可能とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体のバンドギャップの波長（λ_Ｅｇ）以下、所定の波長範囲以上におけるＣＰＭ測定で得られた照射光量から導出した吸収係数と、別途測定したワイドギャップ半導体のλ_Ｅｇ以下の所定の波長範囲以上における吸収係数とのフィッティング値Ｆ（ｘ）を０．０００１以上１以下、好ましくは０．０００１以上０．１以下とする。 （もっと読む）

【課題】 酸化物半導体膜を用いたＴＦＴでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、基板としての絶縁性基板１０上のゲート電極１１、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１２上の酸化物半導体膜１３、及び、酸化物半導体膜１３上のソース・ドレイン電極１４を有する。そして、ＴＦＴ１０１の特徴は、酸化物半導体膜１３のソース・ドレイン電極１４が重ならない部分に、フッ素及び塩素の少なくとも一方を含む表面層１５が存在することである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたＴＦＴでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、絶縁性基板１０上のゲート電極１１、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１２上のインジウムを含む酸化物半導体膜１３、及び、酸化物半導体膜１３上のソース・ドレイン電極１４を有する。そして、酸化物半導体膜１３のソース・ドレイン電極１４が重ならない部分の表面層１５におけるＸＰＳスペクトルのインジウム３ｄ軌道起因のピーク位置が、表面層１５の下部に存在する酸化物半導体領域におけるＸＰＳスペクトルのインジウム３ｄ軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている。 （もっと読む）

【課題】水酸化インジウム、又は、水酸化インジウムを含む化合物を電解法により製造する方法を提供する。
【解決手段】インジウムからなるアノードを用い、電解液の電導度が１０ｍＳ／ｃｍ以上として電解を行い、水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物を電解液中に析出させ、さらに析出させた水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物をこの洗浄液の電導度が１ｍＳ／ｃｍ以下になるまで洗浄することにより、デンドライトの発生を抑制し、生成した製品の品質の低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことのできる半導体装置を提供する。また、酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜との界面の電子状態が良好なトランジスタを有する半導体装置を提供する。また、酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】ｃ軸配向し、かつ表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸を中心に回転した結晶を含む酸化物材料を用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電解法により水酸化インジウム、又は、水酸化インジウムを含む化合物を製造するに際し、アノードの表面に水酸化インジウム、又は、水酸化インジウムを含む化合物が付着するのを抑制し、かつカソードの表面にインジウム、又は、インジウム合金が電着することを防止し、生産性の低下や品質の低下を抑制する方法を提供する。
【解決手段】電解槽の中にカソード板と原料となるインジウム、又は、インジウム合金のアノード板とを、間隔を置いて交互に配列し、該カソード板とアノード板の間であり、かつ各カソード板とアノード板の一方の側縁の近傍位置に、カソード板とアノード板の他方の側縁に向かって電解液を供給するノズルを配置し、このノズルの開口部より流出させた電解液を、電解槽中の各カソード板とアノード板の間で回流させ、水酸化インジウム、又は、水酸化インジウムを含む化合物を電解液中に析出させる （もっと読む）