【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム（Ｇａ）若しくはスズ（Ｓｎ）の一部又は全部の代わりにゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム（Ｇｅ）原子は、酸素（Ｇｅ）原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム（Ｇａ）又はスズ（Ｓｎ）の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡易な硝酸塩形成可能金属及びＧｅの酸化物の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】硝酸塩形成不能金属及び硝酸塩形成可能金属の酸アンモニア水溶液を形成する工程Ｓ１と、前記硝酸塩形成不能金属及び硝酸塩形成可能金属の酸アンモニア水溶液に濃アンモニア水溶液を加えて、硝酸塩形成不能金属及び硝酸塩形成可能金属の酸化物からなる沈殿物を作成する工程Ｓ２と、を有し、前記硝酸塩形成不能金属がＧｅである硝酸塩形成可能金属及びＧｅの酸化物の製造方法を用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウムの他シリカなどを含有する溶液からゲルマニウムを高速で効率的に回収するシステムを構築する。
【解決手段】 ゲルマニウム含有溶液をカテコール核を有する化合物から成る配位子と反応させてゲルマニウム錯体含有溶液を形成させる第１の工程と、ゲルマニウム錯体含有溶液を陰イオン交換体に接触させてゲルマニウムを陰イオン交換体により捕捉する第２の工程とを含むゲルマニウムの回収方法であって、第１の工程において、ゲルマニウム含有溶液と配位子を含有する溶液とを連続的に供給して攪拌し、第２の工程において、ゲルマニウム錯体含有溶液を前記陰イオン交換体と連続的に接触させるゲルマニウムの連続的回収方法による第２の工程においてゲルマニウム溶液に対流を起こすことが特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＩＭ−１２の構造の特定の構造を有するゼオライトを含む固体を吸着剤の集まりとして用いる吸着分離方法を提供する。
【解決手段】分子種の、該種および他の分子種を任意の比率で含む混合物からの吸着分離方法であって、該混合物を、固体吸着剤と接触させる工程を包含し、該吸着剤は、ＩＭ−１２の結晶構造を有し、無水物ベースとしてかつ酸化物のモルで、化学式ＸＯ_２：ｍＹＯ_２：ｐＺ_２Ｏ_３：ｑＲ_２／ｎＯ（ここで、Ｒは１以上のｎ価カチオンを示し、Ｘはゲルマニウム以外の１以上の４価元素を示し、Ｙはゲルマニウムを示し、Ｚは少なくとも１つの３価元素を示す）によって表される化学組成を有する固体を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】小さく軽い浄化装置を提供する。
【解決手段】浄化装置１４は、空間１１を挟んで対向して設けられた光源部７と光触媒部１０とを備え、前記光源部７は、第１基体１と、第１基体１の前記光触媒部１０側に設けられた第１電極３と、第１電極３上に設けられ、かつ、発光体を内部に有する誘電体層５と、前記誘電体層５の上に設けられた透光性電極６とを備え、前記光触媒部１０は、第２基体８と、第２基体８の前記光源部７側に設けられ、かつ、前記空間１１と接する光触媒層９とを備え、第１電極３と前記透光性電極６の間に電圧を印加することにより前記発光体を発光させ、前記発光体が発した光を前記光触媒層９が受光することにより前記空間１１に存在する気体または液体を浄化することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、セシウム、ルビジウム、バリウム、およびランタンを含有するフラックス中での、銅亜鉛スズ硫化物などの第四級カルコゲナイド化合物の合成に関する。第四級カルコゲナイドは、薄膜太陽電池用途のｐ型半導体としての吸収層として有用である。
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ホスフィン含有ゲルマンを精製して精製ゲルマン製品を提供するための方法及びシステムに関する。本発明の方法は、５０ｐｐｂよりも少ないホスフィンを含有する精製ゲルマン製品を製造する方法であり、ホスフィンを含むゲルマンガスを準備し；前記ホスフィンを含むゲルマンガスを吸収剤に通して選択的に；含まれるホスフィンを吸収させ；及び精製されたゲルマンガスを取り出すことを、含む方法。 （もっと読む）

【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化ケイ素層によって支持されたＳｉＧｅ層のゲルマニウム濃縮によって少なくとも１つのＧｅＯＩ構造を形成する方法に関する。
【解決手段】酸化ケイ素層は、ゲルマニウムでドープされ、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度は、ＳｉＧｅ領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度である。 （もっと読む）