【課題】優れた伝導性を有するＩｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２多結晶粉末及びノジュールの発生を抑制することができる及び_４Ｓｎ_３Ｏ_１２焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウム前駆体及び酸化スズ前駆体を共沈させて、インジウム元素及びスズ元素のモル比がＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．３４〜０．５である共沈物を生成し、前記共沈物を大気圧下で１４００〜１５５０℃で加熱処理するＩｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２結晶を主成分とするＩｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２多結晶粉末（但し、前記Ｉｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２結晶は、酸素欠損のあるＩｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２結晶を含む）。 （もっと読む）

【課題】ゾル−ゲル及び光硬化反応により光硬化透明高分子内に金属酸化物ナノ粒子を形成及び結合させて、誘電率の変化が容易な透明無機／高分子複合層をゲート絶縁層として用いる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の提供。
【解決手段】有機薄膜トランジスタは、ゲート絶縁体であって既存ゲート絶縁体に比べ、非常に高くて調節が容易な誘電率を有する金属酸化物ナノ粒子を含む光硬化透明無機／高分子複合層３０を用い、駆動電圧は下げながらｏｎ／ｏｆｆ電流比を増加させることができ、高い誘電率による電気容量の低下なく、ゲート絶縁体の厚さを厚くすることができ、漏洩電流を最小化することによって有機薄膜トランジスタとしての優れた特性を発揮する。また、有機薄膜トランジスタは光硬化透明高分子７０の特性をそのまま維持するので、光硬化及び微細パターン形成ができ、高い工程性を示す。 （もっと読む）

【課題】新規なマイクロセラミックスコイル及びその簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロサイズの主としてセラミックスからなるコイル。例えば、コイルの幅は０．１μｍ〜１００μｍ、厚さは１ｎｍ〜１０μｍである。このコイルは、パターニングされたレジスト上に主としてセラミックスからなる薄膜を形成し、前記レジストを剥離液で溶解させて作製できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性の低い金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、金属酸化物膜の結晶性を低下させるホウ素化合物を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】塗布液において、ＩＴＯ微粒子の平均粒径が小さく、分散性が良好で、且つ、前記塗布液を用いて形成した塗布膜に、分散剤または分散剤の灰分が残留しないＩＴＯ塗布液を提供する。
【解決手段】ＩＴＯ微粒子と、有機溶媒とを含むＩＴＯ塗布液であって、前記有機溶媒の５０質量％以上が、エチレングリコール、または、ジエチレングリコール、またはそれらの混合物であり、前記ＩＴＯ微粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とするＩＴＯ塗布液を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性や結晶構造の結晶状態が、段階的または連続的に変化した金属酸化物膜を、簡便な方法により得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解し、かつ、金属酸化物膜の結晶状態を変化させる酸の濃度が異なる金属酸化物膜形成用溶液を、上記酸の濃度を変化させつつ、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に、結晶状態が段階的または連続的に変化した金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】粒子サイズのバラツキが少なく、透明度が高く、ヘイズの値が小さい透明導電膜を成膜することの出来るＩＴＯ塗料に用いるＩＴＯ粒子、当該ＩＴＯ粒子を含むＩＴＯ塗料、並びに当該ＩＴＯ粒子を含む透明導電膜を提供することにある。
【解決手段】ＩＴＯ粉体を構成するＩＴＯ粒子の９０％以上が、１次粒子径２０ｎｍ以下のＩＴＯ粒子であるＩＴＯ粉体を提供する。 （もっと読む）

有機溶媒中のアンチモン又はインジウムドープ酸化スズナノ粒子の分散液であって、5〜75重量％の1〜100nmの算術平均大きさを有するナノ粒子と、ヒドロキシル基及びエーテル基を有する溶媒と、15重量％より少ない水と、0.1重量%より少ない分散剤とを含む。また、このような分散液を作製する方法であって、I.1〜100nmの平均大きさを有するアンチモン等の水性分散液と、水とともに共沸混合物を形成するヒドロキシル基及びエーテル基を有する溶媒と、グラフト剤との混合物を作製するステップと、II.前記混合物を20〜150℃の温度で撹拌しながら加熱するステップと、III.前記溶媒／水混合物を少なくとも部分的に除去するステップと、IV.任意に、水とともに共沸混合物を形成するヒドロキシル基及びエーテル基を有する溶媒を更に加えるステップと、V.得られた分散液の水含有量が所望の値よりも低く固体濃度が5〜70重量％になるまでステップIIIおよびIVを繰り返すステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、キャリア移動度や安定性が高い金属酸化物半導体を得ることにあり、更に生産効率が向上した金属酸化物半導体の製造方法を得ることにあり、これを用いて安定に動作する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子を得ることにある。
【解決手段】基板上に、金属酸化物半導体の前駆体を含む薄膜を形成した後、該薄膜に対し、還元処理を行った後、酸化処理を施すことを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

粒子をコーティングする方法を開示する。該方法は、粒子の表面が少なくともヒドロキシル基、ハロゲン基又はアルコキシ基とのカップリング反応を経験するのに好適な官能基を含む粒子（ｉ）を、式（Ｉａ）及び／又は（Ｉｂ）の分子（ｉｉ）と接触させることを含み；Ａが金属又は半金属であり、Ｒ^１及び（式（Ｉａ）の）Ｒ^２がハロゲン基又はアルコキシ基であり、Ｒ^２０がＯＨ、ハロゲン基又はアルコキシ基である（Ｉａ）又は（Ｉｂ）。Ｇ^１は、脂肪族、環状脂肪族、芳香族、アリール脂肪族、又はアリール環状脂肪族のスペーサであり、Ｅは官能基である。粒子の表面上の官能基と部分Ｒ^２０の間のカップリング反応によって一般式（Ｉａ）及び／又は（Ｉｂ）の化合物の分子は粒子の表面上にて不動化される。さらに、一般式（Ｉａ）及び／又は（Ｉｂ）の化合物の分子は架橋して粒子上に予備コーティングを形成する。式（ＩＩａ）及び／又は（ＩＩｂ）の分子が加えられる；Ｍが金属又は半金属であり、Ｒ^３１及びＲ^３２がハロゲン基、ヒドロキシル基又はアルコキシ基である（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）。式（ＩＩａ）におけるＲ^３３はＯＨ、ハロゲン、脂肪族基、環状脂肪族基、芳香族基、アリール脂肪族基、又はアリール環状脂肪族基である。Ｇ^２は脂肪族、環状脂肪族、芳香族、アリール脂肪族、又はアリール環状脂肪族のスペーサである。Ｋは、官能基Ｅと共有結合を形成するのに好適である官能基である。形成された混合物を超音波に暴露する。それによって官能基ＥとＫの間に共有結合が形成し、式（ＩＩａ）及び／又は（ＩＩｂ）の分子が架橋する。こうして粒子上にコーティングが形成される。
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