説明

国際特許分類[C01G19/00]の内容

国際特許分類[C01G19/00]の下位に属する分類

国際特許分類[C01G19/00]に分類される特許

11 - 20 / 190


【課題】変形による機能の低下や消失が生じにくい導電膜を提供する。
【解決手段】導電性微粒子を含有する導電性微粒子含有層を含み、10%延伸されたときに前記導電性微粒子含有層にクラックが発生しない導電膜であって、
前記導電性微粒子含有層は、支持体上に形成された導電性微粒子含有塗膜を圧縮することにより得られる導電性微粒子の圧縮層であり、
前記導電性微粒子の圧縮層は圧縮時において、樹脂を含まないか、あるいは、前記導電性微粒子の体積を100としたとき、25未満の体積の樹脂を含んで得られるものである導電膜。 (もっと読む)


【課題】トランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、このような半導体装置を実現する酸化物材料を提供する。
【解決手段】それぞれ、c軸配向し、ab面、上面または被形成面に垂直な方向から見て少なくとも三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸においては、金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、InSnZn(ZnO)(mは0または自然数。)で表される、ab面(または上面または被形成面)においては、a軸またはb軸の向きが異なる二種以上の結晶部分を含む酸化物膜を用いる。 (もっと読む)


【課題】 透明性、導電性および塗膜の密着強度に優れた透明導電膜を形成可能な透明導電膜形成用分散液、およびこの透明導電膜形成用分散液により形成される透明導電膜、ならびに透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 −(C=O)−CH−(C=O)−基を含む、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属酸化物の前駆体と、Snドープ酸化インジウム、Sbドープ酸化錫、Znドープ酸化インジウム、Gaドープ酸化亜鉛およびAlドープ酸化亜鉛から選ばれる少なくとも1種の金属酸化物微粒子と、
溶媒と、を含むことを特徴とする、透明導電膜形成用分散液である。 (もっと読む)


【課題】リチウムイオン二次電池を形成する際に負極活物質として用いられる複合粒子であって、鉄からなる第1金属や、Mn、Au、Ag、Pt、Pd、Rh、Ir、Ru及びOsからなる群より選ばれた少なくとも1種の第2金属が複合粒子の外面及びポアの内面に偏在することで充放電時の体積膨張・収縮による応力を緩和するとともに導電性を確保し、また複合粒子内に複数のポアが存在することで充電時の体積膨張を緩和し、高容量かつサイクル特性に優れた長寿命のリチウムイオン二次電池を製造する。
【解決手段】本発明のリチウムイオン二次電池用負極活物質は、スズ(Sn)と第1金属,第2金属の合計量に対する第1金属,第2金属の割合が5〜40原子%である複合粒子からなる。この複合粒子は切断面において複合粒子の表面に連通する複数のポアを有する。また第1金属,第2金属が複合粒子の外面及びポアの内面に偏在する。 (もっと読む)


【課題】低コストかつ簡便な透明導電膜の製造方法である塗布法によって形成される、高い導電性を有し、かつ良好な膜強度と優れた透明性を兼ね備える透明導電膜、及びこの透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化焼成工程が乾燥塗布膜を酸素含有雰囲気下で、少なくとも無機成分の結晶化が起こる焼成温度以上まで昇温して、有機成分を熱分解または燃焼、或いは熱分解並びに燃焼により除去し、ドーパント金属化合物を含みインジウム酸化物を主成分とする導電性酸化物微粒子が緻密に充填した導電性酸化物微粒子膜を形成する工程で、還元焼成工程が、少なくとも水素0.1体積%以上と水蒸気を含有し、かつ露点温度が−55℃〜30℃の還元雰囲気下で、300℃以上の温度で焼成を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することでNiSi薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。あるいは、ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面にNiSiと硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。 (もっと読む)


【課題】高い導電性と良好な分散性を有するインジウム錫酸化物粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム化合物粒子、錫化合物及びアルミニウム化合物を、下記式(1)及び(2)を満たす割合で混合する工程と、混合工程で得た混合物を、不活性ガス又は還元ガス雰囲気中で200〜750℃にて加熱する工程と、を有する、インジウム錫酸化物粒子の製造方法。
Sn/MIn=0.01〜0.25 (1)
Al/MIn=0.0001〜0.1 (2)
(式中、MSn、MAl及びMInは、それぞれ、前記混合物中に含まれる錫元素、アルミニウム元素及びインジウム元素のモル比を示す。) (もっと読む)


【課題】多数の工程を必要としないため製造時間を短縮でき、且つ製造コストが安価な高結晶性金属酸化物微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物ゾル、並びに金属塩及び/又は金属水酸化物ゾルを含む出発原料を、流通式反応装置中で昇温及び熱処理する、高結晶性金属酸化物微粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】Gaを含まないIn−Zn−Oの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】Inと;Znと;Al、Si、Ta、Ti、La、Mg、およびNbよりなる群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含む薄膜トランジスタの半導体層用酸化物である。 (もっと読む)


【課題】拡散ブロッキング構造、透明導電構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電構造は、基板ユニット、第1のコーティングユニット、拡散ブロッキング構造、第2のコーティングユニット、第3のコーティングユニット及び導電ユニットを備える。基板ユニットは、プラスチック基板を有する。第1のコーティングユニットは、プラスチック基板上に形成された第1のコーティングを有する。拡散ブロッキング構造は、第1のコーティングに形成され、複数の第1の酸化層を有する第1の酸化ユニットと、複数の第2の酸化層を有する第2の酸化ユニットを備え、前記複数の第2の酸化層と前記複数の第1の酸化層とは交互に積層されている。第2のコーティングユニットは、拡散ブロッキング構造に形成された第2のコーティングを有する。第3のコーティングは、第2のコーティングに形成された第3のコーティングを有する。導電ユニットは、第3のコーティング上に形成された透明導電構造を有する。 (もっと読む)


11 - 20 / 190