【課題】熱線遮蔽効果の優れた熱線遮蔽組成物とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が４０ｍ²/ｇ以上であって、濃青色（Ｌａｂ表色系において、Ｌ＝３０以下、ａ＜０、ｂ＜０）の色調を有するインジウム錫酸化物粉末（ＩＴＯ粉末）を含有することを特徴とする熱線遮蔽組成物であり、好ましくは、組成物に含まれるＩＴＯ粉末が、山吹色から柿色の色調を有するインジウム錫水酸化物を焼成して表面改質し、あるいは山吹色から柿色の色調を有するＩＴＯを表面改質したものである熱線遮蔽組成物とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来からの問題を是正した、インジウムナノワイヤに錫を所定量、均一に固溶させたインジウム−錫ナノワイヤ、およびこのインジウム−錫ナノワイヤを酸化して形成するインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）ナノワイヤの提供と、このインジウム−錫ナノワイヤとインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）ナノワイヤを簡便にかつ安価に製造する製造方法を提供する。
【解決手段】インジウムのサブハライドを主成分とする粒子を含み、錫化合物が溶解され、かつ酸が添加された非水系溶媒中に、開始剤を加えて不均化反応させることによりインジウム−錫ナノワイヤを得ることを特徴とするインジウム−錫ナノワイヤの製造方法。 （もっと読む）

【課題】多大なエネルギーや煩雑なプロセスが不要であり、製造コストを低減することが可能な高導電性インジウム錫酸化物微粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】所定量の水の存在下で、インジウム錫酸化物粉末とフッ素化合物とを所定比率で混合し、低酸素雰囲気下、低温で焼成することにより、または酸化インジウム粉末と酸化第二錫粉末とフッ素化合物とを所定比率で混合し、低酸素雰囲気下、低温で焼成することにより、高導電性インジウム錫酸化物微粒子を製造する。 （もっと読む）

本発明は、セシウム、ルビジウム、バリウム、およびランタンを含有するフラックス中での、銅亜鉛スズ硫化物などの第四級カルコゲナイド化合物の合成に関する。第四級カルコゲナイドは、薄膜太陽電池用途のｐ型半導体としての吸収層として有用である。
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本発明は、銅亜鉛硫化スズ、Ｃｕ₂ＺｎＳｎＳ₄の合成に関する。銅亜鉛硫化スズは、薄膜太陽電池の適用における吸収体材料として有用である。
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【課題】低コストかつ簡便な塗布法による優れた透明性と高い導電性を備え、屈折率が小さく、平坦性に優れる低屈折率透明導電膜と、その製造方法を提供する。
【解決手段】主成分に有機インジウム化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物のいずれか一つ以上の有機金属化合物である塗布液を用い、耐熱性基板上に塗布膜を形成し、乾燥塗布膜を形成させ、乾燥塗布膜を焼成して、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛のいずれか一つ以上が主成分の無機膜を形成する製造方法で、有機インジウム化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物のいずれか一つ以上の有機金属化合物が主成分の乾燥塗布膜を、露点−１０℃を越える酸素含有雰囲気下で、少なくとも無機成分の結晶化が起こる焼成温度以上まで昇温し、含まれる有機成分を除去することで、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛のいずれか一つ以上が主成分の微粒子間に空隙を有する低屈折率の導電性酸化物微粒子層を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細であって結晶性が高く、透明性に優れた導電被膜等を形成することができるＩＴＯ粉末と、その透明導電性組成物、および製造方法等を提供する。
【解決手段】比表面積が５５ｍ²/ｇ以上であって、乾燥粉末が山吹色の色調を有し、あるいはＸ線回折チャートの(２２２)面のピークの半値幅が０.６°以下であることを特徴とするインジウム錫酸化物粉末、およびその透明導電性組成物、およびインジウムと錫の共沈水酸化物を焼成してインジウム錫酸化物粉末を製造する方法において、２価の錫化合物を用い、ｐＨ４.０〜９.３、液温５℃以上で、乾燥粉末が山吹色から柿色の色調を有するインジウム錫水酸化物を共沈させ、該水酸化物を焼成することを特徴とするインジウム錫酸化物粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】亜鉛錫酸化物（ＺｎＳｎＯ）で実現される酸化物半導体に酸素との電気陰性度の差が大きく、原子半径がＺｎ又はＳｎと類似する物質を添加して活性層を形成することで、キャリアの濃度を調節し、酸化物半導体の信頼性を向上させることで、安定した信頼性及び電気的特性を実現する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース／ドレイン領域及びチャネル領域で構成される活性層としての酸化物半導体層と、チャネル領域と重なる領域に形成されるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に形成されるゲート絶縁膜と、酸化物半導体層のソース／ドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されるソース／ドレイン電極とが含まれ、酸化物半導体層は亜鉛錫酸化物（ＺｎＳｎＯ）で実現される酸化物半導体に酸素との電気陰性度の差が２以上であり、原子半径がＺｎ又はＳｎと類似する物質Ｘが添加されて実現される。 （もっと読む）

【課題】所定パターンを有するとともに、表面抵抗率や光透過率等のばらつきが少ない金属酸化膜の形成方法およびそのような金属酸化膜を提供する。
【解決手段】基材上に、所定パターンを有する金属酸化膜の形成方法等であって、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩膜を形成する第１工程と、金属塩膜に対して、所定パターンを設ける第２工程と、金属塩膜に対して、熱酸化処理または所定のプラズマ酸化処理を行い、金属酸化膜とする第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】有価金属含有廃棄物中の不純物を酸溶液の使用量を増やすこと無く、短時間で除去でき、単純に酸溶液の使用量を増やすだけでは得られない純度の高い有価金属精製物が得られる有価金属含有廃棄物の精製方法、高純度の酸化スズ精製物が得られるスズ含有廃棄物の精製方法、及びガラスの澄泡剤として再利用が可能な酸化スズ精製物の提供。
【解決手段】有価金属及び有価金属化合物の少なくともいずれかを含有する有価金属含有廃棄物に、水及び酸溶液の少なくともいずれかを添加して廃棄物スラリーを調製するリパルプ工程と、前記廃棄物スラリーを篩で分別する篩分工程と、篩分後の篩下の廃棄物スラリーと酸溶液を混合して有価金属及び有価金属化合物以外の成分を溶解する溶解工程とを少なくとも含む有価金属含有廃棄物の精製方法である。 （もっと読む）