説明

国際特許分類[C01G19/00]の内容

国際特許分類[C01G19/00]の下位に属する分類

国際特許分類[C01G19/00]に分類される特許

1 - 10 / 190


【課題】異相を含まない高純度のAZTS超微粒子を得ることができるようにする。
【解決手段】Ag、Zn、及びSnの各金属元素をそれぞれ含有した第1〜第3の含イオウ金属化合物をオレイルアミン等の脂肪族アミン中で加熱処理し、化学式AgZnSnSで表される化合物半導体を作製する際に、第1及び第2の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比で秤量する一方、第3の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比の3〜6倍となるように秤量し、前記脂肪族アミンに添加する。含イオウ金属化合物としては、例えばジアルキルジチオカルバミン酸化合物を使用することができ、加熱処理は280℃以上の温度で行うのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 不純物濃度が低い金属酸化物微粒子分散液、及び高い透明性と導電性を発現する透明導電膜を提供する。
【解決手段】 平均粒子径が1〜60nmであり、配位原子として窒素、酸素、硫黄、及びリンのうちいずれかを有する炭素鎖長C6〜C24の有機配位子が配位した金属酸化物微粒子が有機溶媒に分散している金属酸化物微粒子分散液であり、かつ、精製後の該分散液に含まれる不純物濃度が10,000ppm以下であることを特徴とする金属酸化物微粒子分散液、並びに該金属酸化物微粒子分散液を用いた透明導電膜。 (もっと読む)


【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム(Ga)若しくはスズ(Sn)の一部又は全部の代わりにゲルマニウム(Ge)を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム(Ge)原子は、酸素(Ge)原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム(Ga)又はスズ(Sn)の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム(Ge)を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム(Ge)を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 (もっと読む)


【課題】微粒でかつ分散性の高い錫ドープ酸化インジウム粒子を提供すること。
【解決手段】本発明の錫ドープ酸化インジウム粒子は、第四級アンモニウムイオンの水酸化物が還元性有機溶媒に溶解してなる溶液に、インジウム源及び錫源を添加し反応を行い、次いでオートクレーブ内において加熱して自生圧力下に熟成を行うことで得られたものである。この錫ドープ酸化インジウム粒子は、第四級アンモニウムイオンの水酸化物としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いて得られたものであることが好適である。 (もっと読む)


【課題】低濃度のアルファ粒子放射性不純物を有する金属組成物の分野、および金属組成物からアルファ粒子放射性不純物を除去する方法を提供する。
【解決手段】アルファ放射性物質を有する酸性金属溶液を提供し、アルファ放射性物質の少なくとも一部分を除去するのに充分な期間にわたって金属溶液をイオン交換樹脂と接触させ、イオン交換樹脂と金属溶液とを分離して精製された金属溶液を提供する。イオン交換樹脂が、キレート化樹脂、アニオン交換樹脂、カチオン交換樹脂、チタニアベースの吸着性樹脂、並びにこれらの混合物から選択される。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことのできる半導体装置を提供する。また、酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜との界面の電子状態が良好なトランジスタを有する半導体装置を提供する。また、酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】c軸配向し、かつ表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸を中心に回転した結晶を含む酸化物材料を用いた半導体装置。 (もっと読む)


【課題】低コストで微細粒径の粒子を得ることができる硫化物系化合物半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】CuとZnとSnとSとを有機溶媒中でソルボサーマル反応させるソルボサーマル工程を含む、Cu, Zn, Sn及びSを含有する硫化物系化合物半導体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】透明性、耐熱性、光学特性及び機械特性に優れる導電性基板を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される第一の構造単位と、イミド単位を含有する第二の構造単位及び第三の構造単位を有するアクリル系樹脂を含有する樹脂層と、該樹脂層の一面上に設けられた導電層と、を備える導電性基板。
(もっと読む)


【課題】ITOスクラップから高純度のITOを回収できる酸化インジウムスズの回収方法及びターゲット再生の生産性のよい酸化インジウムスズターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】ITOスクラップを塩酸に溶解させて溶解液を得る工程と、溶解液に水酸化ナトリウム溶液を添加して中和し、インジウムスズの水酸化物を含むスラリー液を得る工程と、スラリー液を水熱反応させてITOの水和物を析出させる工程と、水和物を所定温度で乾燥する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】組成が均一であり且つ安価に製造することが可能な、半導体粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅イオン源と、亜鉛イオン源と、錫イオン源と、イオン同士の結合反応を抑制する配位子と、水とを混合して、カチオン混合液を作製するカチオン混合液作製工程と、作製したカチオン混合液と、硫黄イオン源とを混合して、前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、作製した前駆体溶液を容器に入れ、前駆体溶液が収容された容器を密閉する密閉工程と、密閉された容器内で水熱合成反応を生じさせる水熱合成反応工程と、を有する半導体粒子の製造方法とし、X線回折で単一相のピークが観察され、且つ、一次粒子の粒径が100nm以下である、Cu、Zn、Sn、及び、Sを含有する半導体粒子とする。 (もっと読む)


1 - 10 / 190