【課題】臨界電流密度の特性に優れ、かつ剥離を防止した超電導体厚膜を容易に製造することができる酸化物超電導体厚膜の製造方法、酸化物超電導体厚膜、これを用いた磁場遮蔽体及び超電導限流器を提供する。
【解決手段】基体１の表面を粗面化し、当該表面に、実質的に（Ｂｉ、Ｐｂ）_２＋ａＳｒ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｚ（ただし、０＜ａ＜０．５）の組成を有する酸化物超電導体厚膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】鉛成分の回収率が高く、かつ、鉛成分とカルシウム成分を分別して回収することのできる、鉛成分及びカルシウム成分を含む微粉末の処理方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）鉛成分及びカルシウム成分を含む微粉末（例えば、溶融飛灰）と、水と、硫化剤（例えば、水硫化ソーダ）を混合して、鉛硫化物を含むスラリーを得る工程と、（Ｂ）得られたスラリーに塩酸を加えて、ｐＨを２〜７に調整し、微粉末中のカルシウム成分を溶出させて、鉛硫化物及び溶出したカルシウム成分を含むスラリーを得る工程と、（Ｃ）工程（Ｂ）で得られたスラリーに疎水化剤を加えて、鉛硫化物を疎水化させ、浮遊選鉱用スラリーを得る工程と、（Ｄ）浮遊選鉱用スラリーを浮遊選鉱処理して、鉛硫化物を含む浮鉱を得る工程と、を含む処理方法。 （もっと読む）

【課題】カルシウム成分及び鉛成分を含有する微粉末から、カルシウム成分及び鉛成分を浮遊選鉱処理によって分別して回収するに際し、大きな含有率で鉛を含む浮鉱と、大きな含有率でカルシウムを含み、かつ従来よりも小さな含有率で鉛を含む沈鉱を得ることのできる処理方法を提供する。
【解決手段】カルシウム成分及び鉛成分を含有する微粉末を処理対象物として第一の浮遊選鉱処理を行ない、浮鉱及び沈鉱を得た後、この沈鉱を処理対象物としてさらに１回以上、追加の浮遊選鉱処理を行ない、この追加の浮遊選鉱処理で得られた浮鉱を、前記の微粉末と共に第一の浮遊選鉱処理の処理対象物として用いる。第一の浮遊選鉱処理で得られた浮鉱は、大きな含有率で鉛を含む。追加の浮遊選鉱処理で最終的に得られた沈鉱は、大きな含有率でカルシウムを含み、かつ、従来よりも小さな含有率で鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明では、電圧印加時に局所的に微細な応力を緩和することができる圧電体膜、圧電体薄膜素子、及びそれらを用いるデバイスを得ることを目的とする。
【解決手段】鉛を主成分として含有し、ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化膜であって、酸化膜の膜表面の複数の点について顕微ラマン分光分析を行って、電界１００ｋＶ／ｃｍを印加した場合と電界を印加しない場合とのラマンスペクトルを測定し、電界１００ｋＶ／ｃｍ印加時の５００〜６５０ｃｍ^−１におけるラマンスペクトルと、電界を印加しない時の５００〜６５０ｃｍ^−１におけるラマンスペクトルのピークシフト量の絶対値の平均値が、２．２ｃｍ^−１以下であることを特徴とするペロブスカイト型酸化膜からなる圧電体膜を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】結晶の配向度を高めると共に、粒径やアスペクト比を容易に調整する。
【解決手段】板状多結晶粒子１０は、一般式がＡＢＯ₃であり、ａ×Ｐｂ（Ｍ_1/3，Ｎｂ_2/3）Ｏ₃＋ｂ×ＰｂＴｉＯ₃＋ｃ×ＰｂＺｒＯ₃＋ｚ×ＭＯ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１、ＭはＭｇ，Ｎｉ，Ｚｎより選ばれる１以上）により表される酸化物を主成分とし０．００２≦ｚ≦０．４２となる無機粒子を配合し、この無機粒子を自立したシート状の成形体に成形したのち焼成し、焼成後の成形体を解砕及び分級する工程によって作製されている。この板状多結晶粒子１０では、ＭＯ（ＭはＭｇ，Ｎｉ，Ｚｎより選ばれる１以上）が板状多結晶粒子を作製した後に過剰となる所定の過剰量含まれ、粒界１４が凹凸のうねりを有する曲線により構成されたうねり構造を有する結晶粒子１２を複数含んでいる。この板状多結晶粒子１０では、粒界１４で解砕しやすいし、配向性が高い。 （もっと読む）

【課題】幅が微細なパターンで、かつ、アスペクト比の高い柱状の形状を有する微細酸化物構造体を精密に形成することができる微細酸化物構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微細な柱状の孔が形成された鋳型を用意する工程Ｓ１と、酸化物粒子を界面活性剤で被覆する工程Ｓ２と、界面活性剤で被覆した酸化物粒子を液中に分散させる工程Ｓ３と、液中に鋳型を配置する工程Ｓ４と、液中の界面活性剤で被覆した酸化物粒子を鋳型中に沈降固化させる工程Ｓ５と、鋳型を取り除く工程Ｓ６と、鋳型を除去した酸化物粒子を焼成する工程Ｓ７とを具備する。 （もっと読む）

【課題】カルシウム、鉛、亜鉛、銅及び塩素を含む重金属含有粉末から、水分含有率が小さく塩素濃度の低い、鉛及び亜鉛を含む固形分を得る方法を提供する。
【解決手段】(A)重金属含有粉末をpH9〜12で水洗後、固液分離して固形分を得る工程と、(B)工程(A)の固形分と硫酸を混合し、pH2〜4のスラリーを得た後、固液分離し、Ca及びPbを含む固形分と、Zn及びCuを含む液分を得る工程と、(C)工程(B)の固形分とアルカリ水溶液を混合し、pH13.5以上のスラリーを得た後、固液分離し、Caを含む固形分と、Pbを含む液分を得る工程と、(D)工程(C)の液分に硫酸を加えてpHを9〜12とし、Pb(固形分)を含むスラリーを得る工程と、(E)工程（B)の液分に金属亜鉛を浸漬し、金属銅と、Znを含む液体を得る工程と、（F)工程(D)のスラリーに対して、pHを常時9以上に保ちつつ、工程(E)の液分を徐々に添加し、pH9〜12の混合液を得た後、固液分離し、Pb及びZnを含む固形分を得る工程を含む。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂ−カルコゲニドナノ粒子の形状及び寸法を制御し、製造する方法。
【解決手段】この方法は、炭化水素溶液に溶解したカルボン酸及びＰｂを含有するＰｂ（鉛）前駆体を調製すること、及び炭化水素溶液に溶解したカルコゲン元素を含有するカルコゲン元素前駆体を調製すること、を含む。Ｐｂ前駆体はカルコゲン元素前駆体と混合されて、Ｐｂ−カルコゲン混合物を生成する。界面活性剤を含む核生成及び成長溶液はまた、核生成温度へその溶液を加熱することによって、調製される。Ｐｂ−カルコゲン元素混合物を加熱された核生成及び成長溶液に注入すると、Ｐｂ−カルコゲニドナノ粒子が核生成し、及びＰｂ−カルコゲニドナノ粒子溶液が生成され、これはその後核生成温度よりも低い成長温度まで冷却される。成長温度にあるＰｂ−カルコゲニドナノ粒子溶液は、予め決められた時間その成長温度に保持される。核生成・成長溶液。 （もっと読む）

【課題】 製造時に金属アルコキシド等が析出することなく、光学的に透明な薄膜を得ることができる前駆体溶液、また、酸化物薄膜の製造時における熱処理中に薄膜にクラックの入りにくい酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰｂＢＯ_３（ここでは、ＢはＢ′は＋２価の金属、Ｂ″は＋５価の金属を表している。）と表されるリラクサー型ペロブスカイト酸化物であって、ゾルゲル法、ＭＯＤ法等の溶液法に用いる前駆体溶液に、２−エトキシエタノールの主溶媒に沸点が２００℃以上の添加溶媒、とくに、１，３−プロパンジオールを添加する前駆体溶液であり、この前駆体溶液を用いて、スピンコーティング等の塗布方法で塗布し、熱処理することで酸化物薄膜を製造する製造方法である。 （もっと読む）