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国際特許分類[C01G28/00]の内容

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【課題】非鉄製錬煙灰からのヒ素の回収をする際、硫化剤を使用することなく、ほとんどのヒ素を5価ヒ素溶液として回収出来、当該ヒ素溶液への銅の混入を抑制出来る、非鉄製錬煙灰からのヒ素の浸出方法を提供することである。
【解決手段】前記非鉄製錬煙灰をスラリーとし、当該スラリーに硫酸を添加して1次浸出し、当該1次浸出工程終了後のスラリーへ、水および/または中和剤を添加してpH値調整後に酸化剤を投入して酸化浸出を行い、得られた酸化浸出残渣を2次浸出し、2次浸出液として結晶性ヒ酸鉄生成用のヒ素溶液を得る工程とを有する、非鉄製錬煙灰からのヒ素の浸出方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】ヒ素と銅との分離性において、当該ヒ素浸出液中の銅濃度が<0.1g/Lと殆ど含まれない状態にまで分離可能であり、さらに薬剤コストが低廉で銅の早期回収を可能とする、非鉄製錬中間産物からの銅とヒ素との分離方法を提供する。
【解決手段】銅とヒ素とを含む非鉄製錬中間産物と元素状硫黄とを混合したスラリーへ、浸出操作を施して銅を含む浸出残渣とヒ素を含む浸出液とを得る、銅とヒ素との分離方法であって、浸出操作は、前期浸出と後期浸出とを逐次的に行うものであり、前期浸出は、上記スラリーへ酸素または酸素含有ガスを吹き込みながら行う酸化浸出であり、後期浸出は、上記スラリーへSOガスまたはSO含有ガスを吹き込みながら行う還元浸出する。 (もっと読む)


【課題】坩堝内の圧力とその外部の圧力とが自動的に調整されるため、制御装置を必要としないIII−V族化合物半導体多結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るIII−V族化合物半導体多結晶製造の装置は、蓋部と本体部とからなる坩堝を備え、本体部の底部にIII族原料を収容し、V族原料を前記III族原料の上方に配置するV族原料収容部に収容してIII−V族化合物半導体多結晶を製造するIII−V族化合物半導体多結晶の製造装置において、V族原料収容部の周囲に配置して、V族原料を加熱する第1の加熱手段と、該第1の加熱手段の下方に配置して、III族原料を加熱する第2の加熱手段と、坩堝、第1の加熱手段及び第2の加熱手段が収容された加圧容器とを備え、本体部は封止剤が収容される封止剤収容部を具備し、蓋部は前記封止剤収容部に載置され、本体部と連結されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】砒酸(5価As)とCuイオンとを含有する溶液から、当該砒酸(5価As)の亜砒酸(3価As)への還元を極力抑えつつ、Cuイオンを除去する方法を提供する。
【解決手段】Cuイオンを含有する砒酸溶液《1》に、単体硫黄(S)《4》と硫化銅《5》を添加し、液温60℃以上として、SOガス《3》、または、SOガスと空気との混合ガス《3》を吹き込み、前記Cuイオンを、硫化銅を含む回収殿物《8》として除去する、砒酸溶液からのCuイオンの除去方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】砒酸(5価As)とCuイオンとを含有する溶液から、当該砒酸(5価As)の亜砒酸(3価As)への還元を極力抑えつつ、Cuイオンを除去する方法を提供する。
【解決手段】Cuイオンを含有する砒酸溶液に、ZnSを当該Cuイオンの総モル量の1.2倍当量以下添加し、40℃以上で反応させて当該Cuイオンを除去するか、Cuイオンの総モル量の1.0倍当量以上添加し、酸素吹き込み下、40℃以上で反応させて当該Cuイオンを除去する。 (もっと読む)


【課題】非鉄製錬中間産物として、脱銅電解スライムの発生量が、硫化砒素澱物の発生量より多い製錬所において、これら両原料の配合割合を一定の割合に保つことを要件とせず、処理を可能にする方法、および、本方法における浸出工程において、砒素を5価砒素として浸出する割合を高める方法を提供する。
【解決手段】非鉄製錬中間産物の混合スラリーを、酸化浸出工程と、当該浸出液に酸化剤を添加し、砒素を5価砒素へ酸化する液調整工程と、当該調整後液中の砒素をスコロダイト結晶へ転換する結晶化工程とを有する。前記浸出工程は、混合スラリーへ反応始期に単体硫黄を添加し酸化剤を添加しながら、温度50℃以上、pH1.0以上2.0以下とし浸出を行う浸出第1工程と、アルカリ添加により、pH2.0以上とした後、混合スラリーへ、酸化剤を添加しながら浸出を行う浸出第2工程と、次いで、前記酸化剤の添加を停止し、攪拌する浸出第3工程とを、有する。 (もっと読む)


【課題】脱銅スライムを硫酸溶液で浸出した浸出液から、銅とアンチモンを容易に且つ低コストで分離して、高純度な亜砒酸水溶液を得る方法を提供する。
【解決手段】砒素と銅とアンチモンを含有する脱銅スライムを硫酸溶液で浸出し、砒素と銅とアンチモンを含有する浸出液と浸出残渣に分離する浸出工程と、該浸出液を60〜100℃の液温に維持しながら還元剤を添加し、砒素とアンチモンを主成分とする還元析出物を生成させる還元工程と、該還元析出物を60〜100℃に維持した温水に添加混合し、亜砒酸の水溶液とアンチモンを含有する未溶解残渣に分離する分離工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】BF3、SiF4、GeF4、PF5又はAsF5等のフッ化物ガスを、簡便かつ製造コストを低減して製造することが可能なフッ化物ガスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のフッ化物ガスの製造方法は、フッ素原子との多原子イオンの形成が可能な原子を含む化合物を、フッ化水素溶液に添加することにより、当該多原子イオンをフッ化水素溶液中に生成させて、前記フッ素原子と、当該フッ素原子との多原子イオンの形成が可能な前記原子とで構成されるフッ化物ガスを発生させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】砒素を含む製錬中間産物から砒素を安定な形で系外へ抜き出す。
【解決手段】硫化物形態の砒素を含む非鉄製錬中間産物と、砒素と金属形態の銅とを含む非鉄製錬中間産物との、混合スラリーを、酸性領域で酸化浸出し浸出液を得る浸出工程と、当該浸出液に酸化剤を添加して、3価砒素を5価砒素へ酸化して調整液を得る液調整工程と、当該調整液中の砒素をスコロダイト結晶へ転換する結晶化工程と、を有する砒素を含む非鉄製錬中間産物の処理方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】非鉄製錬中間産物に含まれる砒素の処理、特に金属間化合物形態の銅砒素化合物の処理において、濾過性に優れ且つ安定なスコロダイトを、再現性良く、煩雑な操作なしに簡便に生成する方法を提供する。
【解決手段】
金属間化合物形態の銅砒素化合物を含む非鉄製錬中間産物から、硫化剤と酸化剤の共存下で砒素を浸出する浸出工程と、当該浸出液に酸化剤を添加して、3価砒素を5価砒素へ酸化する液調整工程と、当該調整液中の砒素をスコロダイト結晶へ転換する結晶化工程とによりスコロダイトを製造する。 (もっと読む)


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