【課題】本発明は、酸化物超電導層の下地として、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができる技術の提供を目的とする。また、本発明は、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができるため、基材表面の平坦性を損なうことなく、拡散防止機能を備えるバッファー層を形成することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材Ａは、クロムを含む金属基材２０と、前記クロムを含む金属基材２０内表面側に形成された厚さ５〜１０００ｎｍの酸化クロム層２５と、イオンビームアシスト成膜法により成膜された中間層２３とをこの順に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたり保存しても六価のクロムの生成が抑制された水酸化クロムスラリーを提供すること。
【解決手段】本発明の水酸化クロムスラリーは、ポリフェノール類を含有することを特徴とする。ポリフェノール類は０．０５〜０．５重量％含有されることが好適である。ポリフェノール類としては、ポリヒドロキシベンゼン類を用いることが好適である。あるいはカテキン等の植物由来のポリフェノール類を用いることも好適である。水酸化クロムスラリーはそのｐＨが６〜１１であることが好適である。 （もっと読む）

特定添加剤の使用により、特定顔料の製造もしくは加工の際に放出され得る可溶性クロム（ＶＩ）イオンが低減される。前記添加剤には、メタリン酸アルミニウム、フッ化アルミニウム、酸化タングステン、タングステン酸、及びリン酸モノアンモニウムが挙げられる。前記顔料は、クロムを含有し、且つ、コランダム結晶構造を有する顔料である。
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