【課題】光触媒の触媒活性度の低下を抑制する光触媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】形成された光触媒体が、以下の少なくとも１つの条件を満たすように、水素イオン指数、イオン添加剤の種類、および乾燥の条件を制御する。（I）３４５０ｃｍ^−１における吸収強度の、１０３７ｃｍ^−１近傍における吸収のピーク強度に対する比が２．５以下。（II）１５００ｃｍ^−１以上１７００ｃｍ^−１以下の範囲における吸収の最大ピーク強度の、１０３７ｃｍ^−１近傍における吸収のピーク強度に対する比が０．７以下。（III）５０００ｃｍ^−１以上５４００ｃｍ^−１以下の範囲における吸収ピークを有していない、または、吸収の最大ピーク強度の、５２５０ｃｍ^−１における吸収強度に対する比が１．７以下。（IV）３６９０ｃｍ^−１近傍における吸収のピーク強度の、１０３７ｃｍ^−１近傍における吸収のピーク強度に対する比が０．０１以上。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は種々の基板に対して良好な均一塗布性を有する金属酸化物膜形成用組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］原子番号２３〜７８の金属元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素（ａ）と、⁻Ｏ−Ｏ⁻、⁻Ｏ−Ｓ⁻、⁻Ｏ−Ｏ−ＳＯ_２−Ｏ⁻、⁻Ｏ−ＳＯ_２−Ｏ−Ｏ−ＳＯ_２−Ｏ⁻及び⁻Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｏ⁻からなる群より選ばれる少なくとも１種の配位子（ｂ）とを含む化合物、［Ｂ］界面活性剤、並びに［Ｃ］溶媒を含有する金属酸化物膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【課題】タングステンを含むサブミクロンおよびナノ材料組成物及びのその組成物の調製方法を提供する。
【解決手段】（a）タングステン；および（b）タングステン以外の少なくとも1つの金属を含み、ナノ顔料である、ナノ材料組成物。タングステン以外の少なくとも1つの金属がナトリウムであるナノ材料組成物。さらに、タングステンブロンズを含むナノ材料組成物であり、ナノ粒子を含むタングステンを試薬と反応させることによって調製される、ナノ材料組成物。 （もっと読む）

【課題】ポリビニルアセタール樹脂を主成分としながら、熱線遮蔽効果の高い複合タングステン酸化物微粒子を用い、優れた光学的特性と高い耐候性とを発揮する熱線遮蔽膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ_ｙＷＯ_Ｚで示されかつ六方晶の結晶構造を持つ複合タングステン酸化物微粒子と、分散剤とを、沸点１２０℃以下の有機溶剤に分散して分散液を得る第１工程と、第１工程で得られた分散液へ、カルボン酸の金属塩を混合して混合物を得る第２工程と、第２工程で得られた混合物を乾燥して熱線遮蔽微粒子含有組成物とし、当該熱線遮蔽微粒子含有組成物に残留する上記有機溶剤の含有率を５質量％以下にする第３工程とを、有する熱線遮蔽微粒子含有組成物の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】タングステン含有アルカリ溶液に含まれているクロム、好ましくはクロムと共にバナジウムを簡単に効率よく除去する精製方法に関する。
【解決手段】クロムおよび/またはバナジウムを含むタングステン含有アルカリ溶液に、二価鉄化合物を加えて生成した沈澱を濾別することによってクロムおよび/またはバナジウムを除去することを特徴とし、好ましくは、二価鉄化合物として、硫酸第一鉄、酢酸第一鉄、または蟻酸第一鉄を用い、ｐHを８〜１３に調整して沈澱を生成させるタングステン含有アルカリ溶液の精製方法。 （もっと読む）

【課題】 金属−酸素八面体からなる六員環構造が、シート断面方向に複数規則的に配列した２Ｄブロンズ構造を有した酸化タングステンナノシート、その製造方法、および、それを用いた素子を提供すること。
【解決手段】 ２Ｄブロンズ構造を持つホスト層からなる層状ポリタングステン酸を、そのホスト構造を維持したまま固体酸特性を有する水素イオン交換体に転換し、その層間に嵩高いカチオンを導入することによって単層剥離現象を誘発することによって、金属−酸素八面体からなる六員環構造がシート断面方向に規則的に配列した２Ｄブロンズ構造を有する酸化タングステンナノシートを得る。 （もっと読む）

【課題】バックゲート電極、しきい値電圧を制御するための回路、および不純物添加法を用いずにしきい値電圧が制御されたトランジスタを作製する。該トランジスタを用いて、電気特性が良好で、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体装置を作製する。
【解決手段】組成の制御された酸化タングステン膜を有するゲート電極を用いる。酸化タングステン膜の成膜方法によって組成などを調整され、仕事関数を制御することができる。仕事関数の制御された酸化タングステン膜をゲート電極の一部に用いることでトランジスタのしきい値を制御できる。しきい値電圧が制御されたトランジスタを用いることで、電気特性が良好で、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高い黒色度と青色光に対する優れた遮光性を有し、さらに好ましくは高い絶縁性を有する黒色粉末を提供する。
【解決手段】第一成分の酸窒化チタンと、第二成分のニオブ、バナジウム、マンガン、クロム、モリブデン、タングステンの一種または二種以上の酸窒化物との混合粉末であって、第一成分と第二成分の重量比率が２：８〜８：２の範囲であることを特徴とし、好ましくは、黒色度(Ｌ値)が１４以下であり、粉末濃度５０ppmの分散液透過スペクトルにおいて、４５０ｎｍの透過率Ｘと６５０ｎｍの透過率Ｙとの比（Ｘ／Ｙ）が０.６〜３.０である黒色粉末とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】可視光領域での透明性が高く、近赤外線領域の遮蔽性能が高く、かつ耐熱性に優れる熱線遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子の製造方法、高耐熱性熱線遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子、当該タングステン酸化物微粒子を用いた高耐熱性熱線遮蔽体形成用分散液および高耐熱性熱線遮蔽体を提供する。
【解決手段】タングステン酸（Ｈ_２ＷＯ_４）、または、タングステン酸（Ｈ_２ＷＯ_４）と三酸化タングステン微粒子との混合物と、Ｍ元素の酸化物または／および水酸化物とを混合した混合粉、または／および、タングステン酸（Ｈ_２ＷＯ_４）、または、タングステン酸（Ｈ_２ＷＯ_４）と三酸化タングステン微粒子との混合物と、前記Ｍ元素の、金属塩の水溶液、金属酸化物のコロイド溶液、アルコキシ溶液のうちから選択される１種以上とを、混合して乾燥した乾燥粉を、不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で焼成することにより、一般式ＭｙＷＯｚで表されるタングステン酸化物粒子を生成させた後、湿式粉砕して得られるタングステン酸化物微粒子を、酸素含有雰囲気下において、５０℃以上４００℃以下で酸化暴露処理する高耐熱性熱線遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子の製造方法を提供する。 （もっと読む）