国際特許分類[C04B35/453]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物 (33,771) | 石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;天然石の処理 (33,771) | 組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理 (8,938) | 酸化物を基とするもの (3,608) | 酸化亜鉛,酸化スズまたは酸化ビスマスまたはそれらと他の酸化物,例.亜鉛酸塩,スズ酸塩またはビスマス酸塩,の固溶体を基とするもの (315)
国際特許分類[C04B35/453]の下位に属する分類
酸化スズまたはスズ酸塩を基とするもの (68)
国際特許分類[C04B35/453]に分類される特許
1 - 10 / 247
酸化物焼結体およびその製造方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
スパッタリングターゲット材およびその製造方法
【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が5.4×103kg/m3以上5.6×103kg/m3以下で、Al2O3換算で1重量%以上3重量%以下のAlを含み、酸化亜鉛粒子10中に存在するZnAl2O4粒子20の粒子径は3μm以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するZnAl2O4粒子20の径は10μm以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にAlが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ZnAl2O4粒子20が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ZnAl2O4粒子20を起点とする異常放電を防止できる。
(もっと読む)
高電位勾配及び高非線形係数を有する酸化亜鉛バリスタの製造方法
【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを2つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、2000〜9000V/mmの電位勾配及び21.5〜55の非線形係数(α)を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。
(もっと読む)
ウルツ鉱型結晶膜およびその製造方法
【課題】圧電体膜等に応用することができるように、高い電気抵抗率を維持しつつ極性分布割合を容易に制御可能であって、低コストで大面積の基材上に成膜されたウルツ鉱型結晶膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であって、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含んでいる。ウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、ウルツ鉱型結晶を構成する元素種およびドープする金属種を含有する化学溶液を基材上に塗布する工程を含む方法である。
(もっと読む)
スパッタリングターゲット、それを用いたアモルファス酸化物薄膜の形成方法、及び薄膜トランジスタの製造方法
【課題】表面にホワイトスポットがない外観が良好なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】二種以上のホモロガス結晶構造を含む酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。
(もっと読む)
酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット
【解決手段】PbおよびCdの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば1300℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。
(もっと読む)
酸化物薄膜用スパッタリングターゲットおよびその製造法
【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物C型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75
(もっと読む)
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法
【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn2O3+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、平均粒径10μm以下、且つ粒径30μm以上の結晶粒の割合が15%以下であり、相対密度85%以上である。
(もっと読む)
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法
【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn2O3+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、In2O3、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度85%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。
(もっと読む)
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法
【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電や割れを抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn2O3+m(mは5〜7の整数)相、In2O3、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度95%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。
(もっと読む)
1 - 10 / 247
[ Back to top ]