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国際特許分類[C07B35/04]の内容

国際特許分類[C07B35/04]に分類される特許

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【課題】n−ブテンからブタジエンを製造するに際して、触媒の破砕、流動性の悪化などを抑制し、安定にブタジエンを製造する方法を提供すること。
【解決手段】酸化物を担体に担持した触媒と、酸素とが内部に存在する流動層反応器内で、前記触媒にn−ブテンを接触させてブタジエンを製造する際に、触媒に含まれる炭素量が特定の範囲にある触媒を用いて反応させるn−ブテンからブタジエンを製造する方法。 (もっと読む)


グリーン膜及びその後の焼結に供して作成される多孔被覆高密度焼結セラミック膜であって、前記膜は、塗布とそれに続く熱処理によって作成される特定の濃度の貴金属を含むセラミック材料で被覆されており、被覆中0.2乃至5質量%の貴金属が含まれている。 (もっと読む)


炭化水素の不均一系触媒による部分脱水素化方法であって、脱水素化される炭化水素を含む反応ガス混合物の流入流をシャフトに配置された固定触媒床を通して流し、反応ガス混合物の流入流をシャフト内の流入ガス流Iに酸素分子含有流入ガスIIを計量することにより得、この流入ガス流Iは、シャフトの固定触媒床へ流動し、水素分子および固定触媒床の上流に脱水素化される炭化水素を含む方法。 (もっと読む)


【課題】
アセン誘導体に一度導入した置換基を、積極的に、効率よく、しかも合成ステップ数が多くならずに、選択的に外す手法の提供。
【解決手段】
下記式(3)で示される環化合物と、還元剤とを反応させ、次いで、求電子剤または求核剤と反応させることにより、前記環化合物中の脱離基P1及びP2を脱離させることにより、上記課題を解決する。
【化1】


[式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、A1及びA2は、それぞれ、同一又は異なって、炭化水素基等を表す。P1及びP2は脱離基を示す。R7及びR8は、それぞれ、同一または異なって、ハロゲン原子等を示す。mは0以上の整数であり、nは1以上の整数である。]
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所定体積の脱水素化触媒を含有する脱水素反応装置を運転および停止するための方法が記載される。脱水素化反応条件下で運転される脱水素化反応装置への脱水素化原料の導入を停止した後、スチームを含む第1の冷却流体が、脱水素化反応装置に含有される脱水素化触媒を第2の温度に冷却するために十分な第1の期間、反応装置に導入される。第1の冷却流体の導入が停止され、続いて、第2の冷却流体の導入が、脱水素化反応装置に含有される脱水素化触媒を、脱水素化触媒の取り扱い、および、脱水素化反応装置からの脱水素化触媒の取り出しを可能にする第3の温度に冷却するために十分な第2の期間にわたって行われる。 (もっと読む)


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