α−メチルスチレン、アセトン、及びフェノール、を生成する方法であって、α−メチルスチレンの生成量がクメンヒドロペルオキシドの一部をジメチルフェニルカルビノール、α−メチルスチレンの水化物に選択的に変換することにより制御できる方法を開示する。従って、生成したジメチルフェニルカルビノールにより、フェノールプラントの酸開裂ユニットにおいて、脱水によりα−メチルスチレンの生成が増加される。ジメチルフェニルカルビノールに還元されるクメンヒドロペルオキシドのフラクション制御により、プラントで生成されるα−メチルスチレン量をα−メチルスチレン市場の需要に連続的に合わせることができる。また、クメンヒドロペルオキシドを還元するための非酸性触媒を開示する。
（もっと読む）

ケイ素含有担体にハロゲン化チタンからなるガス流を含浸させる工程を含むエポキシ化触媒の調製方法、およびこのような触媒を使用する酸化アルキレンの調製方法。 （もっと読む）

（ａ）重量平均粒径が０．１から２ミリメートルのシリカゲル担体を２００℃超から３００℃の温度で乾燥する工程と、（ｂ）工程（ａ）で得られた担体をハロゲン化チタンを含むガス流に接触させて含浸担体を得る工程とを含むエポキシ化触媒の調製方法、および酸化アルキレンの調製におけるこのような触媒の使用。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１の担体と前記担体に付与される少なくとも１の層とを含んでなり、前記層がａ）５０〜９０質量％の酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン又は酸化マグネシウム化合物の少なくとも１種、又は炭化ケイ素、又は炭素担体、又はこれらの混合物と、ｂ）５〜５０質量％の少なくとも１のナノカーボンとを含有する触媒に関する。該触媒は、アルキル芳香族、アルケン類、及びアルカン類の、気相酸化脱水素により、不飽和炭化水素を製造するために用いることができる。 （もっと読む）

水素の選択酸化のための触媒は、菫青石のような不活性な内核、及びアルミン酸リチウム担体で構成される外層で構成される。上記担体は、その上に白金族金属及びプロモーター金属、例えば、それぞれ白金及びスズを分散させて成る。この触媒は脱水素化プロセスにおける水素の選択酸化に特に効果的である。 （もっと読む）

【課題】 脱水素触媒と水蒸気の存在下でエチルベンゼンの脱水素反応によるスチレンの製造において、脱水素反応装置以降の熱交換器、冷却凝縮器および／又は圧縮凝縮器、移送ラインおよび給排ライン、蒸留精製工程の蒸留塔およびこれらの周辺装置やその移送／給排ラインでのスチレンの重合に由来する汚れの発生、付着を防止する方法を提供することにある。
【解決手段】 脱水素触媒と水蒸気の存在下でエチルベンゼンの脱水素反応によるスチレンの製造において、脱水素反応装置から排出され、冷却凝縮器および／又は圧縮凝縮器への供給前の脱水素反応生成物及び／又は凝縮分離したベントガスに、沸点が２００℃〜３５０℃（１気圧）の重合抑制剤を添加することを特徴とするスチレン製造における汚れ防止方法。 （もっと読む）

【課題】脱水素化合物の製造方法において、酸化工程における水素転化率の低下を抑制できると共に、二酸化炭素の生成を抑制できる脱水素化合物の製造方法、及びそのための触媒充填方法を提供する。
【解決手段】脱水素触媒充填層と酸化触媒充填層を併有し、且つ、該酸化触媒充填層において混入している脱水素触媒の量を１．０重量％未満とした反応装置を用いる脱水素化合物の製造方法、並びに、脱水素触媒を充填した後、脱水素触媒の粉塵が鎮静化した後に酸化触媒を充填する触媒充填方法、及び、少なくとも脱水素触媒の充填を、酸化触媒充填部分又は形成された酸化触媒充填層と、脱水素触媒充填部分との間を縁切りした後に行う触媒充填方法、並びに、反応装置内にそれらの触媒充填方法によって脱水素触媒充填層と酸化触媒充填層とが形成された反応装置を用いる脱水素化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ポリスチレン分解生成油を第１蒸留塔と第２蒸留塔で蒸留してスチレンを回収する際のスチレン純度およびスチレン回収率を向上する。
【解決手段】 ポリスチレン分解生成油を第１蒸留塔１で低沸点成分とスチレンを含む高沸点成分に分離し、その高沸点成分を第２蒸留塔２で低沸点成分であるスチレンと高沸点成分である重質油成分に分離する場合において、第１蒸留塔１の塔頂圧力を予め設定された圧力範囲に維持するとともに、第１蒸留塔１の塔頂温度を予め設定された範囲に維持できるように、塔頂から流出する低沸点成分の抜出量を調整し、それによって第１蒸留塔１から流出する低沸点成分の濃度を所定範囲に維持する。 （もっと読む）

本発明は、ａ）一級アルコール類（Ｒ^１Ｒ^２ＣＨＣＨ_２‐ＯＨ）またはｂ）二級アルコール類（Ｒ^１Ｒ^２ＣＨＣＨＲ^３‐ＯＨ）またはｃ）三級アルコール類（Ｒ^１Ｒ^２ＣＨ‐ＣＲ^３Ｒ^４ＯＨ）と環状無水アルキルホスホン酸類との−１００〜＋１２０℃の範囲内の温度における反応による、式（II）のアルケン類の製造方法に関し、ここでＲおよび／またはＲ^１および／またはＲ^２および／またはＲ^３および／またはＲ^４はＨ、直鎖または分岐Ｃ_１‐Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_３‐Ｃ_１０シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表わす。好ましくは、式（Ｉ）の２，４，６‐置換１，３，５，２，４，６‐トリオキサトリホスフィナン ２，４，６‐トリオキシドが環状無水ホスホン酸として用いられ、ここでＲ′は（互いに独立して）アリル、アリールまたは開鎖もしくは分岐Ｃ_１‐Ｃ_１２アルキル基を表わす。場合により反応は三級アミン塩基ＮＲ^５_３の存在下で行われる。
Ｒ^１Ｒ^２Ｃ＝ＣＲ^３Ｒ^４ （II）

（もっと読む）

触媒担体としての使用に好適な成形粒子、または成形粒子の形態の脱水素触媒系であって、この成形粒子は、特定の長さと、前記長さに沿った少なくとも一点における特定の断面形状とを有する形状を有し、この断面形状は、上端断面積を有する上端と、下端断面積を有する下端とが得られる仮想分割線を有する非対称形状によって画定され、この上端断面積は下端断面積よりも大きい。断面形状は、特定の周囲を有しおよび複数の切り込みを画定することでさらに特徴づけることができ、これらの複数の切り込みの各切り込みは、溝深さと、溝開口部回転距離を有する。
（もっと読む）