【課題】ＣＶＤ法による酸化モリブデンを含有する薄膜の製造においてプレカーサの輸送性に優れ、基板への供給量の制御が容易かつ安定供給が可能であり、量産性良く良質な酸化モリブデンを含有する薄膜を製造できる方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有してなる薄膜形成用原料を気化させて得たモリブデンアミド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、さらに酸化性ガスを導入することで分解及び／又は化学反応させて基体上に薄膜を形成する、酸化モリブデンを含有する薄膜の製造方法。式中、Ｒ¹、Ｒ²は炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基を表し、Ｒ³はｔ−ブチル基又はｔ−アミル基を表し、ｙは０又は２を表し、ｘはｙが０のときに４であり、ｙが２のときに２であり、複数存在するＲ¹、Ｒ²はそれぞれ同一でもよく、異なっても良い。
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【課題】ニトリル化合物の水素化反応に用いた場合に、常温常圧に近い穏和な条件下で高い原料転化率と優れた第一級アミン選択性とを示し、且つ空気雰囲気下で安定に取り扱うことができるパラジウム含有触媒および該触媒を用いたニトリル水素化による第一級アミンの製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物と、該金属酸化物に担持されたパラジウムとを有してなり、該金属酸化物に担持された金を更に含みまたは含まず、ニトリル化合物から第一級アミンを高選択率で得ることのできるニトリル化合物水素化用触媒；上記触媒の存在下、ニトリル化合物を水素雰囲気中にて湿式で水素化し、第一級アミンを高選択率で得ることを含む第一級アミンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高銀含有率のアセトンジカルボン酸銀を含み、銀塩の分解温度未満の低温で、且つ短時間の加熱でも導電性、平坦性、密着性に優れた金属銀膜が得られる、保存安定性の高い銀含有組成物、およびそれを用いて形成した金属銀膜備える基材を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される銀化合物(A)と、式（２）で表されるアミン化合物(B)とを特定割合で含有することを特徴とする組成物。


（Ｒ¹：Ｈ、−(ＣＹ₂)ａ−ＣＨ₃、−((ＣＨ₂)ｂ−Ｏ−ＣＨＺ)ｃ−ＣＨ₃、Ｒ²：−(ＣＹ₂)d−ＣＨ₃、−((ＣＨ₂)ｅ−Ｏ−ＣＨＺ)ｆ−ＣＨ₃。Ｙ：Ｈ、−(ＣＨ₂)ｇ−ＣＨ₃、Ｚ：Ｈ、−(ＣＨ₂)ｈ−ＣＨ₃。ａ：０〜８、ｂ：１〜４、ｃ：１〜３、d：１〜８、ｅ：１〜４、ｆ：１〜３、ｇ：１〜３、ｈ：１〜２) （もっと読む）

【課題】液状及びガス状の原料との反応により効率よく３級アミンを製造する方法の提供。
【解決手段】ハニカム状触媒を含む触媒層が充填された塔型反応器の塔底部から液状のアルコールとガス状の１級アミン又は２級アミンを供給して反応させ、塔頂部より排出させる３級アミンの製造方法であって、前記塔型反応器内に液状のアルコールとガス状の１級アミン又は２級アミンを供給するとき、液状のアルコールとガス状の１級アミン又は２級アミンを同一空間内に導入した後、隘路を通過させて供給する３級アミンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】銀化合物とアンモニウムカルバメート系化合物とを反応して誘導される新規な有機銀錯体化合物及び該化合物の製造方法の提供。
【解決手段】下式で表される銀化合物と、アンモニウムカルバメート系化合物(例えば；２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカルバメート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカルバメートなど）とを反応させて銀錯体化合物を製造する。


（式で、ｎは１〜４の整数であり、Ｘは酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート、及びカルボキシレートで構成された群から選択される置換基である） （もっと読む）

【課題】 本発明は、ｔｅｒｔ−ブチルアミンを第１級アルキルアルコールと気相接触反応させて、工業的に有用な化合物であるＮ−アルキル−ｔｅｒｔ−ブチルアミンを高収率で製造する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 元素として銅を含有する酸化物触媒の存在下、ｔｅｒｔ−ブチルアミンを式（１）：
ＲＣＨ_２ＯＨ （１）
（式中、Ｒは水素原子又はアルキル基を示す。）で表される第１級アルキルアルコールと気相接触反応させることを特徴とするＮ−アルキル−ｔｅｒｔ−ブチルアミンの製造方法。 （もっと読む）

６０〜３００℃の範囲の温度で、銅及び酸化アルミニウム含有触媒の存在下、第一級又は第二級アルコール、アルデヒド、及び／又はケトンを、水素、並びにアンモニア、第一級及び第二級アミンの群から選択される窒素化合物と反応させることにより、アミンを連続的に製造するための方法であって、前記反応を気相で行い、触媒の触媒活性物質が水素による還元前に、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）を２０〜７５質量％、銅の酸素含有化合物をＣｕＯとして計算して２０〜７５質量％、ナトリウムの酸素含有化合物をＮａＯ₂として計算して０〜２質量％、及びニッケルの酸素含有化合物をＮｉＯとして計算して５質量％未満含み、かつ触媒成形体が、直径１〜４ｍｍの範囲、高さ１〜４ｍｍの範囲のタブレット形態を有する、前記方法。 （もっと読む）

【課題】触媒、磁性材料、電極基板などの種々の用途、特にＭＬＣＣの電極に好適なニッケル粒子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるニッケル錯体であって、
Ｎｉ（ＨＣＯＯ）₂（Ｌ¹）（Ｌ²）・・・・（１）
（但し、Ｌ¹及びＬ²はルイス塩基配位子を示し、Ｌ¹とＬ²とは互いに同一であっても異なっていても良い。）
ギ酸ニッケル二水和物、脂肪族アミンなどのルイス塩基及び溶媒を含む溶液を加熱することによって製造される。 （もっと読む）

本発明は、新規ルテニウムに基づく触媒、およびアミンの調製方法を、１級アルコールおよびアンモニアを、前記触媒の存在下にて反応し、アミンおよび水を生成することによるアミンを調整する方法を提供する。本発明の方法にしたがって、１級アルコールは直接アンモニアと反応させて、１級アミンおよび水を、高収率および高い転換数にて生成する。この反応は新規ルテニウム複合体によって触媒され、好ましくはピンサー型リガンドに基づくキノリニルまたはアクリジニルから構成されるものによって触媒される。 （もっと読む）

本発明は、非常に高純度である、即ち従来の工業的方法において通常生じる不純物が非常に低濃度であるＮ−エチルメチルアミンに関し、工業規模での高純度Ｎ−エチルメチルアミンの調製方法にも関する。 （もっと読む）