国際特許分類[C07C309/12]の内容
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感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
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環状化合物及びその組成物
【課題】極端紫外光リソグラフィーにおいて、ラフネスの低減を実現できる材料を提供する。
【解決手段】下記式(A)で表される環状化合物。(式中、Rはカルボン酸誘導体基置換フェニル等、R1は水酸基、アルコキシ基、又はORL(RLは光反応性基を含む基)等、R2は水素原子等を表す。)
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レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤
【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分(B)は、式(b1−1)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含有する[Z+は有機カチオン;Q1及びQ2は、フッ素原子又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数1〜6のフッ素化アルキル基;Xは−(CH2)m1−;Yは単結合、−O−(CH2)L1−又は−C(=O)−O−(CH2)L1−;L1、m1は1〜6の整数;RxはC=C不飽和結合を有し、置換基を有していてもよい炭素数2〜36の2価の脂肪族炭化水素基;Ryは酸解離性基である。]。
[化1]
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ArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
【課題】疎水性が高く液浸水への溶出が低く、酸拡散制御による、高解像性パターンプロファイルの構築。
【解決手段】(A)式(1−1)の化合物(B)式(1−2)で示される酸発生剤、(C)ベース樹脂、(D)有機溶剤を含有するArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。
(Arはアリール基。)
(R1はアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基。R2は水素原子又はトリフルオロメチル基。Arはアリール基。)
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レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光によりpKaが0以上である酸を発生する酸発生剤成分(C)(但し、前記基材成分(A)を除く)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(但し、前記基材成分(A)及び前記酸発生剤成分(C)を除く)と、を含み、前記基材成分(A)が、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体(A1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
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化合物、重合体及びフォトレジスト組成物
【課題】感度等の基本性能に加えて、ナノエッジラフネス、解像度、パターン倒れ耐性、MEEF(Mask Error Enhancement Factor)等に優れると共に、これらのバランスに優れるレジスト膜を形成するために用いられる化合物、それを用いて得られる重合体及びその重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物である。
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化合物、重合体及びフォトレジスト組成物
【課題】感度等の基本性能に加えて、ナノエッジラフネス、解像度、パターン倒れ耐性、MEEF(Mask Error Enhancement Factor)に優れるレジスト膜を形成するために用いられる化合物、それを用いて得られる重合体及びその重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物。
(式(1)中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2は、単結合又は2価の連結基である。M+は、1価のカチオンである。)また、式(1)におけるM+の1価のカチオンは、例えば4−シクロヘキシルチオフェニル・ジフェニルスルホニウムのようなスルホニウム好ましい。
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感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
【課題】露光ラチチュード、及びLWRなどのパターンラフネスに優れ、発生酸の液浸液への溶出少ない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】(A)下記一般式(I)で表される化合物、及び(B)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたCD均一性(CDU)で、欠陥数の少ないレジストパターンの製造。
【解決手段】式(aa)、(ab)の構造単位を有する樹脂(X)、酸発生剤(B)を含有する組成物。
[式中、Aaa1は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等で表される基;Raa2は、脂肪族炭化水素基;Rab2は芳香族炭化水素基を表す。]
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フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
【課題】本発明は、密集及び孤立の両トレンチパターン形成における焦点深度を共に高いレベルにすることができ、かつ断面形状が良好なレジストパターンを形成することができるフォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、[A]酸解離性基を含む構造単位(I)を有する重合体、及び
[B]酸発生剤を含有するフォトレジスト組成物であって、[B]酸発生剤が、下記式(1)で表されるカチオンと、炭素数6〜15の脂環構造を有するアニオンとを含むことを特徴とする。下記式(1)中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立して、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数3〜20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、R1とR2とが互いに結合して、これらが結合している硫黄原子と共に環構造を形成していてもよい。Xは、単結合又は酸素原子である。
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