国際特許分類[C07C309/17]の内容
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感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
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レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤
【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、および露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分が、一般式(b1−11)で表される化合物からなる酸発生剤を含むことを特徴とするレジスト組成物。式(b1−11)中、R7”〜R9”のうち少なくとも1つは、置換基として式(I)で表される基を有する置換アリール基であり、式(I)中のWは2価の連結基である。X−は、式(b−3)または(b−4)で表されるアニオンである。
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化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。
[式中、R2はエチレン性二重結合を含む基;Wは2価の脂環式炭化水素基;T1は、単結合、2価の脂肪族炭化水素基等;T2は2価の脂肪族炭化水素基等]
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化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたパターン倒れ耐性(PCM)を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下式(I)で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。
[式中、QI1及びQI2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表し、nは、0又は1を表し、m1及びm2は、それぞれ独立に、0又は1を表し、X1は、単結合又は炭素数1〜10のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、nが0の時、X1は単結合ではなく、R1は、水素原子又はメチル基を表し、Z1+は、有機対イオンを表す。]
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを製造することができる、特定の塩を酸発生剤として含むレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される塩。
[式(I)中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。L1は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基等を表す。L2及びL3は、それぞれ独立に、単結合、2価の炭素数1〜6の飽和炭化水素基等を表す。環W1及び環W2は、互いに独立に、炭素数3〜36の炭化水素環を表す。R1及びR2は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。R3は、炭素数1〜6のアルキル基を表す。tは、0〜2の整数を表す。Z+は、有機対イオンを表す。]
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化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたレジストパターンのCD均一性(CDU)を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。
[式(I)中、QI1及びQI2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。nは、0又は1を表す。X1は、単結合又は炭素数1〜10のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、nが0のとき、X1は単結合ではない。Wは、特定式(Ia1−1)又は特定式(Ia1−2)で表される構造を表す。R1は、水素原子又はメチル基を表す。Z1+は、有機対イオンを表す。]
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塩及びレジスト組成物
【課題】レジストパターン製造時のラインエッジラフネス(LER)が良好なレジスト組成物を構成する酸発生剤の提供。
【解決手段】式(1)で表される基を有するヒドロキシ芳香族誘導体。
[式中、Q1及びQ2は、同一又は相異なり、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。L1は、炭素数1〜17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Z+は、有機カチオンを表す。*は、ヒドロキシ芳香族環との結合手を表す。]
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】レジストパターンのラインエッジラフネスに優れた酸発生剤を含むレジスト組成物の提供。
【解決手段】式(I)で表される塩。
[式中、Q1〜Q4はフッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。L1及びL2は炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基等を表す。Wは式(W−I)
(式中、nは0〜5の整数を表す。R1は炭素数1〜12の炭化水素基等を表す。mは0〜4の整数を表す。2つの*はL1及びL2との結合手である。)で表される基を表す。Za+及びZb+は有機対イオンを表す。]
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レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤
【課題】レジスト組成物に有用な酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分(B)が、一般式(b1−11)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。式(b1−11)中、R101〜R104はそれぞれ独立にアルキル基またはアルコキシ基であり、n1は1〜5の整数であり、n3およびn4はそれぞれ独立に0〜3の整数である。X−はアニオンである。
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