【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】植物病害に対して高い防除効果を示す化合物のラセミ体から、一方のエナンチオマーを選択的に製造する方法を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で示されるトリアゾール化合物の或るジアステレオマーにおけるラセミ体に光学活性カンファースルホン酸類を反応させて、塩混合物を形成させ、一方の塩を晶析させた後、塩を解離させて一方のエナンチオマーを得る。
【化１】
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【課題】本発明の目的は、ＥＬに優れると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減し、リソグラフィー特性を向上させることができるフォトレジスト組成物を与え得る感放射線性酸発生剤を提供することである。
【解決手段】本発明の化合物は、下記式（１）で表される。また、下記式（１）におけるＲ^２は、炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基であることが好ましい。さらに、本発明は、［Ａ］本発明の化合物、及び［Ｂ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有する重合体を含有するフォトレジスト組成物も含む。
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【課題】本発明は、密集及び孤立の両トレンチパターン形成における焦点深度を共に高いレベルにすることができ、かつ断面形状が良好なレジストパターンを形成することができるフォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有する重合体、及び
［Ｂ］酸発生剤を含有するフォトレジスト組成物であって、［Ｂ］酸発生剤が、下記式（１）で表されるカチオンと、炭素数６〜１５の脂環構造を有するアニオンとを含むことを特徴とする。下記式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基である。但し、Ｒ^１とＲ^２とが互いに結合して、これらが結合している硫黄原子と共に環構造を形成していてもよい。Ｘは、単結合又は酸素原子である。
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【課題】 ラフネス特性に優れ、且つ、膜減りや裾引きのない良好なパターン形状を形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）カチオン部に窒素原子を含み且つ活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩、及び（Ｃ）下記一般式（１−１）または（１−２）で表される、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。（一般式（１−１）及び（１−２）中の各符号は明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】リソグラフィー特性が良好なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）として、一般式（ｂ１−１）で表される基をカチオン部に有する酸発生剤（Ｂ１）を含有するレジスト組成物。
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【課題】 感度及びラフネス特性に優れた半導体用レジスト組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体用レジスト組成物は、下記一般式（Ｉ）により表される化合物を含有している。
【化１】
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【課題】解像力に優れ、露光ラチチュード（ＥＬ）が広く、また線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さいパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、（Ａ）樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表される酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、及び、（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法。式（Ｉ）中、Ａは、環状の有機基を表す。その他の各符号は所定の構造を表す。
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【課題】 露光ラチチュード（ＥＬ）及び現像欠陥性能に優れたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るパターン形成方法は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂（Ａ）と、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（ＬＤ）により表される部分構造を備えた酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を、濃度が２．３８質量％未満であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像することとを含んでいる。
【化１】
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